光子电路制造中的损耗监测制造技术

本公开的实施例涉及光子电路制造中的损耗监测。光学制造监测器结构可以被包括在由掩模或制造光罩在晶片上进行制造的设计中。第一组件集合可以在初始制造周期中被形成，其中第一组件集合包括功能性组件和监测器结构。第二组件集合可以通过后续制造过程形成，后续制造过程可能潜在地导致第一组件集合的错误或损坏。监测器结构可以在制造期间(例如，在洁净室中)被实现，以在不会拉出或报废晶片的情况下，检测制造错误。检测制造错误。检测制造错误。

【技术实现步骤摘要】
光子电路制造中的损耗监测


[0001]本公开总体上涉及光学电路，并且更具体地涉及电路的光学测试。

技术介绍

[0002]在硅光子的开发和制造期间，铸造厂可以使用在线(in-line)电气测量和电气监测器结构来表征制造过程，以确保所交付的材料具有良好的质量。单个晶片可以被制造为包括多个光子集成电路，多个光子集成电路然后被单片化(singulate)为进行最终测试的单独管芯。通常，管芯的一部分具有制造过程中产生的错误，并且在最终测试之后被报废。对于光学组件的处理，使用现有的过程控制机制来确定晶片的质量目前是具有挑战性的或不切实际的。

技术实现思路

[0003]根据一些实施例，提供了一种用于在光子集成电路的制造期间测量光学组件错误的方法，方法包括：在制造环境中，使用初始制造周期在光子集成电路的硅层上制造多个光学组件，多个光学组件包括功能性光学组件和制造波导监测器结构，功能性光学组件用于处理光子集成电路中的光，制造波导监测器结构用于测量对光子集成电路的一个或多个区的损坏，一个或多个区易受到由用于形成光子集成电路的后续制造周期过程造成的损本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于在光子集成电路的制造期间测量光学组件错误的方法，所述方法包括：在制造环境中，使用初始制造周期在所述光子集成电路的硅层上制造多个光学组件，所述多个光学组件包括功能性光学组件和制造波导监测器结构，所述功能性光学组件用于处理所述光子集成电路中的光，所述制造波导监测器结构用于测量对所述光子集成电路的一个或多个区的损坏，所述一个或多个区易受到由用于形成所述光子集成电路的后续制造周期过程造成的损坏；在所述制造环境中，使用所述后续制造周期在所述光子集成电路的另一层中制造多个附加光学组件，所述多个附加光学组件被包括在易受到来自所述后续制造周期的损坏的所述一个或多个区中；以及在所述制造环境中，标识由所述后续制造周期造成的对所述硅层的所述一个或多个区的损坏，所述损坏从传播通过从所述初始制造周期形成的所述制造波导监测器结构中的一个制造波导监测器结构的光而被测量。2.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述光子集成电路的设计，所述制造波导监测器结构与处理光的所述功能性光学组件分离。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述制造波导监测器结构中的每个制造波导监测器结构包括集成光源和光电检测器，所述集成光源和所述光电检测器由一个或多个波导连接。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述制造波导监测器结构中的每个制造波导监测器结构包括输入耦合器和输出耦合器，所述输入耦合器和所述输出耦合器用于在单片化之前在晶片级接收和输出光。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述输入耦合器是输入光栅耦合器，并且所述输出耦合器是输出光栅耦合器。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述光子集成电路由晶片形成；并且其中所述制造波导监测器结构中的一个或多个制造波导监测器结构经由所述初始制造周期，被形成在将与所述晶片分离的光子集成电路区域外部的区域中。7.根据权利要求6所述的方法，其中第一制造波导监测器结构具有位于所述外部区域中的耦合器，并且具有穿过易于损坏的所述一个或多个区中的区的波导路径。8.根据权利要求7所述的方法，其中第二制造波导监测器结构具有位于所述光子集成电路内的耦合器，并且具有第二波导，所述第二波导穿过来自易于损坏的所述一个或多个区的所述区。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一制造波导监测器结构是校准制造波导监测器结构，针对所述校准制造波导监测器结构，所述第二制造波导监测器结构的光学损耗能够被测量以检测对所述一个或多个区中的所述区的损坏。10.根据权利要求6所述的方法，其中所述制造波导监测器结构中的一个制造波导监测器结构是外部制造波导监测器结构，所述外部制造波导监测器结构包括输入耦合器和输出耦合器以及健康波导，所述输入耦合器和所述输出耦合器以及所述健康波导被包括在所述外部区域内并且从所述光子集成电路被排除。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述后续制造周期被应用于所述光子集成电路的一部分、并且还被应用于所述光子集成电路外...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：瞻博网络公司，
类型：发明
国别省市：