一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管制造方法及图纸

本申请提供一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管，用于在不增加肖特基结构二极管体积的前提下，降低肖特基结构二极管的正向导通损耗，减少肖特基势垒分布不均匀的情况。该方法包括：在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，其中，所述电子扩展层的电阻率小于所述外延层的电阻率；在所述电子扩展层上划分有源区和非有源区，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入；生成肖特基结构二极管。管。管。

【技术实现步骤摘要】
一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管


[0001]本申请涉及电子
，尤其涉及一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管。

技术介绍

[0002]碳化硅SiC作为第三代新型半导体，具有禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率高等特点。SiC常应用在高温、高压、高频、大功率等领域，相较于硅基器件有很大的使用价值。SiC元器件，例如肖特基结构二极管，具有正向开启电压小，反向阻断电压大，开关速度快等特点，另外，肖特基结构二极管还具有较好的温度特性。
[0003]为了降低肖特基结构二极管的正向导通损耗，以及减少肖特基势垒分布不均匀的情况，一般是通过增大芯片元胞面积的方式，然而，增大芯片元胞面积会使得肖特基结构二极管体积变大，生产成本和使用成本均较高，不适用于现在小型化设备的使用场景。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管，解决了需要通过增大芯片元胞面积的方式来降低肖特基结构二极管的正向导通损耗、减少肖特基势垒分布不均，从而导致肖特基结构二极管体积变大，生产成本和使用成本均本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备肖特基结构二极管的方法，其特征在于，包括：在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，其中，所述电子扩展层的电阻率小于所述外延层的电阻率；在所述电子扩展层上划分有源区和非有源区，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入；生成肖特基结构二极管。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，包括：在外延层上沉积碳化硅，并掺杂n型杂质；控制沉积厚度在第二预设厚度范围内，形成电子扩展层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二预设厚度范围为0～1微米。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入，包括：针对所述非有源区，以第一预设剂量范围注入n型杂质，形成n型重掺杂的非有源区。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入，包括：针对所述有源区，以第二预设剂量范围注入的p型杂质，形成p型重掺杂的有源区。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电子扩展层上划分有源区和非有源区，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入之前，包括：在所述电子扩展层上沉积二氧化硅，并控制沉积厚度在第三预设厚度范围内，形成缓冲层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：林苡任，史波，陈道坤，曾丹，
申请(专利权)人：珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：