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本申请提供一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管，用于在不增加肖特基结构二极管体积的前提下，降低肖特基结构二极管的正向导通损耗，减少肖特基势垒分布不均匀的情况。该方法包括：在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，其中，所述电子扩展层的电...
该专利属于珠海零边界集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海零边界集成电路有限公司授权不得商用。

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