失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片制造方法及图纸

本公开是关于一种失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补场景。该失效位元修补方案的确定方法包括：确定含有所述失效位元的待修补子域，以及为所述待修补子域确定初步用于修补的所述子域冗余电路；根据当前所述全域冗余电路用于替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路后的可使用数量和所述当前所述子域冗余电路的可使用数量，确定所述待修补子域的区域层级；根据所述待修补子域的所述区域层级，控制所述全域冗余电路或者所述子域冗余电路修补所述失效位元。本公开可以有效提高芯片的制程良率，减少芯片报废的情况发生。发生。发生。

【技术实现步骤摘要】
失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片


[0001]本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种失效位元修补方案的确定方法、失效位元修补方案的确定装置及芯片。

技术介绍

[0002]随着计算机技术的快速发展，集成电路芯片在人们的生产生活中发挥的作用越来越大。然而，芯片在研制、生产和使用过程中产生的失效问题不可避免，通常可以采用冗余电路对芯片中的失效位元进行修补处理。
[0003]修补演算法(Repair Algorithm,RA)是一种能有效分派不同种类冗余电路，以修补上述失效位元所在的线路的方法。
[0004]然而，现有的修补演算法常常在执行一次修补之后，存在子域冗余电路数量稀缺或空无的状态，以致下一次无法进行修补，进而导致芯片报废的情况发生。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本公开的目的在于提供一种失效位元修补方案的确定方法、失效位元修补方案的确定装置及芯片，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种失效位元修补方案的确定方法，用于含有多个子域的芯片，所述芯片还包括全域冗余电路和子域冗余电路，所述全域冗余电路用于修补任一所述子域中的失效位元，所述子域冗余电路用于修补指定的所述子域中的失效位元，其特征在于，所述方法包括：确定含有所述失效位元的待修补子域，以及为所述待修补子域确定初步用于修补的所述子域冗余电路；获取当前所述全域冗余电路用于替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路后的可使用数量和所述待修补子域指定的当前所述子域冗余电路的可使用数量；根据当前所述全域冗余电路用于替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路后的可使用数量和所述当前所述子域冗余电路的可使用数量，确定所述待修补子域的区域层级；根据所述待修补子域的所述区域层级，控制所述全域冗余电路替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路修补所述失效位元，或者，控制所述初步用于修补的所述子域冗余电路修补所述失效位元。2.根据权利要求1所述的失效位元修补方案的确定方法，其特征在于，所述区域层级包括自由区和限制区；所述根据所述待修补子域的所述区域层级，控制所述全域冗余电路替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路修补所述失效位元，或者，控制所述初步用于修补的所述子域冗余电路修补所述失效位元的步骤，包括：在所述待修补子域的所述区域层级为所述自由区时，控制所述全域冗余电路替换所述初步用于修补的所述子域冗余电路修补所述失效位元；在所述待修补子域的所述区域层级为所述限制区时，控制所述初步用于修补的所述子域冗余电路修补所述失效位元。3.根据权利要求1所述的失效位元修补方案的确定方法，其特征在于，所述当前所述全域冗余电路用于替换初步用于修补的所述子域冗余电路后的可使用数量为，当前所述全域冗余电路的可使用数量与初步用于修补的所述子域冗余电路可修补的失效位元数量的差值。4.根据权利要求1-3任一项所述的失效位元修补方案的确定方法，其特征在于，所述根据当前所述全域冗余电路用于替换修补后的可使用数量和当前所述子域冗余电路的可使用数量，确定所述待修补子域的区域层级的步骤，包括：根据当前所述全域冗余电路用于替换修补后的可使用数量和当前所述子域冗余电路的可使用数量，通过决策支持函数确定所述待修补子域的区域层级。5.根据权利要求4所述的失效位元修补方案的确定方法，其特征在于，所述决策支持函数f
DSS
(g,l)为：其中，g代表当前所述全域冗余电路用于替换修补后的可使用数量(简称GR可使用数量)，l代表当前所述子域冗余电路的可使用数量(简称LR可使用数量)，g
L
代表GR可使用基
础数量，g
M
代表GR可使用理想数量，g
H
代表GR可使用冗余数量，l
L
代表LR可使用基础数量，l
M

【专利技术属性】
技术研发人员：陈予郎，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：