失效位元的修补方法及装置制造方法及图纸

本公开是关于一种失效位元的修补方法及装置，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补场景。该方法包括：确定待修补芯片的待修补区域；采用备用电路对第一失效位元进行第一修补处理；确定各目标修补区域中的第二失效位元的位元位置，对第二失效位元进行第二修补处理；确定各目标修补区域的未修补失效位元，并确定候选修补组合和候选组合数量；如果候选组合数量大于组合数量阈值，则确定目标修补位置，并采用备用字线对目标修补位置进行修补处理；其中，目标修补位置为经修补处理后最大化减少候选组合数量的失效位元的位置。本公开可以避免由于无法找到失效位元的最佳修补组合导致待修补芯片被判定为无法成功修补的问题。法成功修补的问题。法成功修补的问题。

【技术实现步骤摘要】
失效位元的修补方法及装置


[0001]本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种失效位元的修补方法、失效位元的修补装置。

技术介绍

[0002]随着计算机技术的快速发展，集成电路芯片在人们的生产生活中发挥的作用越来越大。然而，芯片在研制、生产和使用过程中的产生的失效问题不可避免，通常可以采用备用电路对芯片中的失效位元进行修补处理。
[0003]如果当下可用的备用电路存在一个以上真实可修补所有失效位元(Fail Bits，FBs)的分派，则认为采用备用电路修复失效位元是真实有解的。在真实有解的情况下，一定可以找出最少一个分派解答即为最佳化分派方法，目前备用电路的分派方法为非最佳化。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种失效位元的修补方法、失效位元的修补装置，进而至少在一定程度上克服由于无法找到失效位元的最佳修补组合导致待修补芯片被判定为无法成功修补的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种失效位元的修补方法，其特征在于，包括：确定待修补芯片的待修补区域；其中，所述待修补区域包括多个目标修补区域；采用备用电路对各所述目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理；在进行所述第一修补处理之后，执行第二失效位元的位置确定步骤以确定各所述目标修补区域中的第二失效位元的位元位置，并根据所述第二失效位元的位元位置对所述第二失效位元进行第二修补处理；确定各所述目标修补区域的未修补失效位元，并确定所述未修补失效位元的候选修补组合以及所述候选修补组合的候选组合数量；获取组合数量阈值，如果所述候选组合数量大于所述组合数量阈值，则确定目标修补位置，并采用备用字线对所述目标修补位置进行修补处理；其中，所述目标修补位置为经修补处理后最大化减少所述候选组合数量的失效位元的位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述确定待修补芯片的待修补区域之前，所述方法还包括：确定所述待修补芯片的初始待修补区域；其中，所述初始待修补区域包括初始字线和初始位线；获取所述初始待修补区域的字线压缩比例和位线压缩比例；根据所述字线压缩比例对所述初始字线进行压缩处理，并根据所述位线压缩比例对所述初始位线进行压缩处理，以形成所述待修补区域；确定所述待修补区域的划分列；其中，所述划分列的宽度根据经压缩处理后数据队列单元中行向等效位元的数量确定；按照所述划分列对所述待修补区域进行列划分处理，以形成多个所述目标修补区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用备用电路对各所述目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理，包括：确定所述目标修补区域的失效位元特征图；根据所述失效位元特征图并采用所述备用电路对各所述目标修补区域的失效位元进行第一修补处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述目标修补区域的失效位元特征图，包括：将所述目标修补区域划分为多个基本修补区域；其中，所述基本修补区域包括预设数量个数据队列单元；获取所述基本修补区域，并确定所述基本修补区域中所有位元的位元状态；对各所述预设数量个数据队列单元中的所述位元状态进行或运算处理，并合并生成所述基本修补区域的失效位元图；根据各所述基本修补区域分别对应的失效位元图生成所述失效位元特征图。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述备用电路包括备用字线和备用位线，所述根据所述失效位元特征图并采用所述备用电路对各所述目标修补区域的失效位元进行第一修补处理，包括：判断步骤：判断所述失效位元特征图是否满足预设条件；其中，所述预设条件包括第一预设条件和第二预设条件；
第一初始修补处理步骤：如果所述失效位元特征图满足第一预设条件，则采用所述备用字线对所述失效位元进行修补处理；其中，所述第一预设条件包括基本修补区域中第一编号字线的失效位元数量大于所述基本修补区域中当前剩余的备用位线数量；第二初始修补处理步骤：如果所述失效位元特征图满足第二预设条件，则采用所述备用位线对所述失效位元进行修补处理；其中，所述第二预设条件包括基本修补区域中第一编号位线的失效位元数量大于所述基本修补区域中当前剩余的备用字线数量。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述执行第二失效位元的位置确定步骤以确定各所述目标修补区域中的第二失效位元的位元位置之前，所述方法还包括：获取所述目标修补区域的失效位元特征图，并确定所述目标修补区域中的目标失效位元数量、可用备用位线数量以及当前剩余的备用字线数量；如果所述目标修补区域满足初始判断条件，则结束针对所述待修补芯片的修补处理操作；其中，所述初始判断条件包括所述目标失效位元数量等于零或所述可用备用位线数量等于零或所述当前剩余的备用字线数量小于零；如果所述目标修补区域不满足初始判断条件，则根据关联关系对所述失效位元特征图进行分割处理以生成分割特征图组；其中，所述分割特征图组包括分割特征图；如果所述目标修补区域的区域特征图状态为第二初始状态且所述分割特征图组中产生新的失效位元特征图，则将所述第二初始状态调整为第一初始状态。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述执行第二失效位元的位置确定步骤以确定各所述目标修补区域中的第二失效位元的位元位置，并根据所述第二失效位元的位元位置对所述第二失效位元进行第二修补处理，包括：如果所述区域特征图状态为所述第一初始状态，则判断所述区域特征图状态是否属于第一状态集合中的第一判断状态；其中，所述第一判断状态包括所述可用备用位线数量大于第一预设数值且最大字线失效位元数量等于所述第一预设数值；如果所述区域特征图状态属于所述第一判断状态，则执行所述第一判断状态下的第二修补处理步骤；其中，所述第一判断状态下的第二修补处理步骤包括：第一判断状态下的修补步骤：获取所述分割特征图中第一位线最大数值失效位元对应的第一最大位元位置；触发执行第一初始修补处理步骤以修补所述第一最大位元位置的失效位元；第一判断状态下的判断步骤：判断经过所述第一判断状态下的修补步骤后的所述分割特征图是否满足第一判断条件；其中，所述第一判断条件包括所述目标失效位元数量大于零、所述可用备用位线数量大于零以及下一剩余备用字线数量大于等于零；如果经过所述第一判断状态下的修补步骤后的所述分割特征图满足第一判断条件，则执行所述第一判断状态下的修补步骤。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述执行第二失效位元的位置确定步骤以确定各所述目标修补区域中的第二失效位元的位元位置，并根据所述第二失效位元的位元位置对所述第二失效位元进行第二修补处理，包括：如果所述区域特征图状态为所述第一初始状态，则判断所述区域特征图状态是否属于第一状态集合中的第二判断状态；其中，所述第二判断状态包括所述可用备用位线数量等
于第一预设数值；如果所述区域特征图状态属于所述第二判断状态，则执行所述第二判断状态下的第二修补处理步骤；其中，所述第二判断状态下的第二修补处理步骤包括：获取所述分割特征图中第一位线最大数值失效位元对应的第一最大位元位置；触发执行第一初始修补处理步骤以修补所述第一最大位元位置的失效位元。9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述执行第二失效位元的位置确定步骤以确定各所述目标修补区域中的第二失效位元的位元位置，并根据所述第二失效位元的位元位置对所述第二失效位元进行第二修补处理，包括：如果所述区域特征图状态为所述第一初始状...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈予郎，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：