一种基准和运放合二为一的线性稳压器制造技术

一种基准和运放合二为一的线性稳压器，通过引入耗尽管，采用耗尽管基准既作为基准，又作为运放的第一级，从而实现运放和基准合二为一，不需要启动电路，电路及其简易，在实现线性稳压器电路性能的基础上，由于采用耗尽基准既做基准又做运放第一级，还可以明显改善低功耗应用的静态功耗，从而实现性能和成本的最佳结合。合。合。

【技术实现步骤摘要】
一种基准和运放合二为一的线性稳压器


[0001]本专利技术属于集成电路
，涉及用于电源管理的线性稳压器，为一种基准和运放合二为一的线性稳压器。

技术介绍

[0002]随着便携式电子产品的广泛使用于工作和生活的各个方面，其对供电电源的性能提出了更高的要求，尤其是系统的低功耗性能。传统的线性稳压器可以提供优良的抗电源干扰能力，被广泛应用于电路设计中，如图1所示，由于该架构中必须同时包含基准电路和运放电路，所以这种结构通常会带来其他问题，例如因为基准和运放电路都需要消耗电流，导致静态功耗偏大，这会限制电池的使用寿命，降低便携式设备的工作时间。在美国专利US6144250中，采用三极管工艺设计了一种带隙基准和运放二合一的结构，如图2所示，但由于该方案采用带隙基准结构，电路结构复杂，并且必须引入启动电路，因此整体电路的静态功耗和成本都有一定劣势。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的问题是：线性稳压器的电路结构同时包含基准电路和运放电路，存在静态功耗偏大的问题，现有提出的基准和运放二合一电路结构复杂，整体上仍然存在静态功耗问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基准和运放合二为一的低压线性稳压器，其特征是包括耗尽型NMOS场效应管ND1、增强型NMOS场效应管NE1和NE2、增强型PMOS场效应管P1和P2、反馈电阻R1和R2、限流电阻R3、栅极上拉电阻R4、补偿电阻Rc、前馈电容CFB和补偿电容Cc，采用耗尽管基准既作为线性稳压器的基准VREF，又作为运放的第一级，实现运放和基准合二为一，电路如下：耗尽管ND1的漏极接输入电源端VCC，栅极和源极以及衬底相接，并一起连接至增强管NE1的漏极、增强管NE2的栅极、以及补偿电阻Rc的一端，增强管NE1的源极和衬底相接后一起连至地电位，补偿电阻Rc通过补偿电容Cc接至地电位，增强管NE2的源极和衬底相接并一起连接至地电位，NE2的漏极接至增强管P2的漏极和栅极以及增强管P1的栅极，并通过电阻R4接VCC，增强管P2的源极和衬底相接后经电阻R3连接至VCC，增强管P1的源极和衬底相接，连接至输入电源VCC，P1的漏极接输出电压端VOUT，P1的漏极还经反馈电阻R1和R2接地，反馈电阻R1和R2之间为反馈节点FB，前馈电容CFB串联在输出电压端VOUT和反馈节点FB之间，并连接增强管NE1的栅极。2.根据权利要求1所述的一种基准和运放合二为一的低压线性稳压器，其特征是耗尽管ND1的漏极通过预调整电路再连接至电源，所述预调整电路用...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国江，王海波，
申请(专利权)人：江苏长晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：