基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路、方法、装置、设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路、方法、装置、设备。该电路包括第一电容、第二电容、电感、电流检测模块、第一MOS管模块、第二MOS管模块以及处理模块；处理模块可以在第一MOS管模块的漏极与源极导通时电感的电流平均值，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期，用于基于第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期，向第一MOS管模块以及第二MOS管模块发送触发电压，以用于第一MOS管模块以及第二MOS管模块根据该触发电压导通，实现变频控制。以此方式，节省了传统的比较电路，简化了控制过程。简化了控制过程。简化了控制过程。

【技术实现步骤摘要】
基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路、方法、装置、设备


[0001]本公开涉及变频控制领域，尤其涉及基于桥式MOSFET的软开关变频控制领域。

技术介绍

[0002]现如今双向半桥DC
‑
DC变换器中实现MOSFET软开关的方法是：在变换器其中一个桥臂添加电流检测装置，将检测出的电流值通过比较器，与所在桥臂设置的MOSFET能够实现软开关的电流值进行比较，相等时将会通过驱动电路将其关断，导通另一个桥臂的MOSFET。
[0003]这样能够控制上下桥臂导通关断时间，进而控制它们的开关周期，实现对MOSFET软开关变频控制。这种方法需要在硬件电路中加入电流检测装置，还要对测得的电流值进行比较，过程较繁琐。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路、方法、装置、设备以及存储介质。
[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路，该电路包括第一电容、第二电容、电感、电流检测模块、第一MOS管模块、第二MOS管模块以及处理模块；第一电容的第一端与电感的第一端连接；电感的第二端通过电流检测模块与第一MOS管模块的漏极连接，第一MOS管模块的源极与第一电容的第二端连接，其中，第一MOS管模块包括第一MOS管、第一二极管以及第三电容，第一MOS管的漏极与第一二极管的阴极以及第三电容的第一端连接，第一二极管的阳极以及第三电容的第二端与第一MOS管的源极连接；第一电容的第一端还与直流电源的正极连接，第一电容的第二端与直流电源的负极连接；电感的第二端还与第二MOS管模块的源极连接；第一MOS管模块的源极还与第二电容的第一端连接，第二MOS管模块的漏极还与第二电容的第二端连接，其中，第二MOS管模块包括第二MOS管、第二二极管以及第四电容，第二MOS管的漏极与第二二极管的阴极以及第四电容的第一端连接，第二二极管的阳极以及第四电容的第二端与第二MOS管的源极连接；处理模块还与电流检测模块连接，用于在第一MOS管模块的漏极与源极导通时，获取电感的电流平均值；处理模块还用于根据电感的电流平均值，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期；处理模块还与第一MOS管模块的栅极以及第二MOS管模块的栅极连接，用于基于第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期，向第一MOS管模块以及第二MOS管模块发
送触发电压。
[0006]在第一方面的一些实现方式中，处理模块还与第二电容的第一端和第二端连接，用于获取电路的输出电压。
[0007]在第一方面的一些实现方式中，处理模块还与直流电源的正极以及负极连接，用于获取直流电源的电压；处理模块还用于根据电感的电流平均值，直流电源的电压以及预设电路输出电压，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期。
[0008]根据本公开的第二方面，提供了一种基于上述第一方面以及第一方面的一些实现方式中软开关变频控制电路的控制方法，该方法包括：在第一MOS管模块的漏极与源极导通时，获取电感的电流平均值；根据电感的电流平均值，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期；基于第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期，向第一MOS管模块以及第二MOS管模块发送触发电压。
[0009]在第二方面的一些实现方式中，该方法还包括：获取直流电源的电压；确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期，包括：根据电感的电流平均值，直流电源的电压以及预设电路输出电压，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期。
[0010]根据本公开的第三方面，提供了一种控制装置，该装置包括：获取模块，用于在第一MOS管模块的漏极与源极导通时，获取电感的电流平均值；开关周期确定模块，用于根据电感的电流平均值，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期；触发电压发送模块，用于基于第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期，向第一MOS管模块以及第二MOS管模块发送触发电压。
[0011]在第三方面的一些实现方式中，获取模块，还用于获取直流电源的电压；开关周期确定模块，还用于根据电感的电流平均值，直流电源的电压以及预设电路输出电压，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期。
[0012]根据本公开的第四方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括：存储器和处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如以上所述第二方面，以及第二方面的一些实现方式中的控制方法。
[0013]根据本公开的第五方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现如以上所述第二方面，以及第二方面的一些实现方式中的控制方法。
[0014]根据本公开的第六方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序在被处理器执行时实现如以上所述第二方面，以及第二方面的一些实现方式中的控制方法。
[0015]本公开提供的基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路、方法、装置、设备以及存储介质，通过在第一MOS管模块的漏极与源极导通时电感的电流平均值，确定第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的开关周期，用于基于第一MOS管模块以及第二MOS管模块对应的
开关周期，向第一MOS管模块以及第二MOS管模块发送触发电压，以用于第一MOS管模块以及第二MOS管模块根据该触发电压导通，实现变频控制。通过获取电感的电流平均值来直接计算开关周期达到软开关的目的，节省了传统的比较电路，简化了控制过程。
[0016]应当理解，
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
附图说明
[0017]结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。附图用于更好地理解本方案，不构成对本公开的限定在附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素，其中：图1示出了本公开实施例的一种基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路的结构示意图；图2示出了本公开实施例的另一种基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路的结构示意图；图3示出了本公开的实施例的一种电路数据关系图；图4示出了本公开的实施例的一种基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路的控制方法的流程示意图；图5示出了根据本公开的实施例的一种控制装置的结构示意图；图6示出了能够实施本公开的实施例的示例性电子设备的结构框图。
具体实施方式
[0018]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的全部其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路，其特征在于，所述电路包括第一电容、第二电容、电感、电流检测模块、第一MOS管模块、第二MOS管模块以及处理模块；所述第一电容的第一端与所述电感的第一端连接；所述电感的第二端通过所述电流检测模块与所述第一MOS管模块的漏极连接，所述第一MOS管模块的源极与所述第一电容的第二端连接，其中，所述第一MOS管模块包括第一MOS管、第一二极管以及第三电容，所述第一MOS管的漏极与所述第一二极管的阴极以及所述第三电容的第一端连接，所述第一二极管的阳极以及所述第三电容的第二端与所述第一MOS管的源极连接；所述第一电容的第一端还与直流电源的正极连接，所述第一电容的第二端与直流电源的负极连接；所述电感的第二端还与所述第二MOS管模块的源极连接；所述第一MOS管模块的源极还与所述第二电容的第一端连接，所述第二MOS管模块的漏极还与所述第二电容的第二端连接，其中，所述第二MOS管模块包括第二MOS管、第二二极管以及第四电容，所述第二MOS管的漏极与所述第二二极管的阴极以及所述第四电容的第一端连接，所述第二二极管的阳极以及所述第四电容的第二端与所述第二MOS管的源极连接；所述处理模块还与所述电流检测模块连接，用于在所述第一MOS管模块的漏极与源极导通时，获取所述电感的电流平均值；所述处理模块还用于根据所述电感的电流平均值，确定所述第一MOS管模块以及所述第二MOS管模块对应的开关周期；所述处理模块还与第一MOS管模块的栅极以及第二MOS管模块的栅极连接，用于基于所述第一MOS管模块以及所述第二MOS管模块对应的开关周期，向所述第一MOS管模块以及所述第二MOS管模块发送触发电压。2.根据权利要求1所述的基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路，其特征在于，所述处理模块还与第二电容的第一端和第二端连接，用于获取所述电路的输出电压。3.根据权利要求1所述的基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路，其特征在于，所述处理模块还与直流电源的正极以及负极连接，用于获取所述直流电源的电压；所述处理模块还用于根据所述电感的电流平均值，所述直流电源的电压以及预设电路输出电压，确定所述第一MOS管模块以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨锡旺，姚冬冬，付瑜，
申请(专利权)人：常州索维尔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：