基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基板处理装置，在使用了等离子体的基板处理中，抑制在基板上生成的薄膜的面内均匀性的降低。该基板处理装置具备：处理室；向处理室供给处理气体的处理气体供给系统；对处理室内进行排气的排气系统；向处理室供给等离子体的远程等离子体产生结构；在处理室内将多个晶圆以多层状保持，并且与多个晶圆电连接的晶舟；能够旋转地支撑晶舟的筒状旋转轴；以及设于筒状旋转轴的内部，且与晶舟电连接的内部导体。舟电连接的内部导体。舟电连接的内部导体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本公开涉及一种基板处理装置，特别涉及一种利用等离子体处理基板的基板处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体装置制造工序中，作为利用了等离子体的基板处理的一例，具有使用CVD(Chemical Vapor Deposition)法或ALD(Atomic Layer Deposition)法在基板上堆积预定的薄膜的成膜处理(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2012－099765号公报

技术实现思路

[0006]技术所要解决的课题
[0007]另外，在使用了等离子体的基板处理中，有时难以使由等离子体源产生等离子体或活性种遍布基板的整个表面。特别是在将多个基板以多层状保持来进行处理的情况下，即使从基板的侧方供给等离子体，也存在如下可能性：在基板的中心部，活性种的浓度降低，形成于基板的表面上的薄膜的面内均匀性降低。
[0008]本公开考虑上述的事实，目的在于，在使用了等离子体的基板处理中，抑制在基板的表面上生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理室；向上述处理室供给处理气体的处理气体供给系统；对上述处理室内进行排气的排气系统；向上述处理室供给等离子体的远程等离子体产生结构；具有导电性且在上述处理室内以多层状保持多个基板的晶舟；能够旋转地支撑上述晶舟的筒状旋转轴；以及设于上述筒状旋转轴的内部，且与上述晶舟电连接的内部导体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备设于上述处理室外且将上述内部导体和直流电源电连接的滑环。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，具备设于上述筒状旋转轴的端部且支撑上述晶舟，并且将上述晶舟和上述内部导体电连接的晶舟支撑台。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述晶舟支撑台具有：支撑上述晶舟的绝缘部件；以及设于上述绝缘部件的内部的金属部件，上述金属部件从上述绝缘部件的上表面露出，具有与上述晶舟接触的接触面，且将上述晶舟和上述内部导体电连接。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述晶舟具有在载置于上述晶舟支撑台时覆盖上述接触面的整个面的底板。6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，在上述筒状旋转轴与上述内部导体之间设有绝缘子管。7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述内部导体的上端比上述筒状旋转轴的上表面突出，且与上述金属部件接触。8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：江尻靖则，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：新型
国别省市：