一种倒角装置制造方法及图纸

技术编号:32493886 阅读:79 留言:0更新日期:2022-03-02 10:01
本申请提供了一种倒角装置,属于研磨技术领域,具体包括两个压盘、至少两个倒角磨轮和预紧构件;两个压盘竖直设置,压盘相对设置,硅单晶片竖直地设置于两个压盘之间,压盘相对于硅单晶片进行随动;至少两个倒角磨轮沿硅单晶片的下方圆周方向设置,多个倒角磨轮以硅单晶片所在平面的竖直轴线为对称轴进行对称布置,倒角磨轮由伺服电机驱动旋转;预紧构件设置于硅单晶片的上方,用于调整硅单晶片的目标直径。通过本申请的处理方案,可以提高硅单晶片研磨时的稳定性,降低碎片率,提高研磨效率。提高研磨效率。提高研磨效率。

【技术实现步骤摘要】
一种倒角装置


[0001]本申请涉及研磨
,尤其涉及一种倒角装置。

技术介绍

[0002]单晶硅作为一种重要的半导体材料,具有良好的电学性能和热稳定性,自被人们发现和利用后很快替代其它半导体材料。硅材料因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适用于制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料,集成电路半导体器件大多数硅材料制成的。在制造性能良好的硅单晶方法中,直拉法生长硅单晶具有设备和工艺相对简单、容易实现自动控制。直拉单晶硅棒从单晶炉中拉制出来以后为了得到好的成本与质量控制,都会在晶棒分段成晶段后进行硅片的取片。硅片在取片时具有两个特征,分别为外径不固定和厚度不固定,由于上述两个参数的不固定,所以需要额外的加工工序进行处理。常规的处理方法是先进行硅片的外径倒角,再进行厚度研磨。外径倒角就需要一种倒角装置,常规的会采用真空吸附的方式进行,但是这种常规的吸附装置无法很好的满足硅片的要求。原因是硅片的厚度无法保证TTV(硅单晶片在厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值)及弯曲度的高要求,同时硅片本身也比较的厚,因此会出现硅片吸不住或吸不稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒角装置,用于对硅单晶片进行外径倒角,其特征在于,所述倒角装置包括两个压盘、至少两个倒角磨轮和预紧构件;两个所述压盘竖直设置,所述压盘相对设置,所述硅单晶片竖直地设置于两个所述压盘之间,所述压盘相对于所述硅单晶片进行随动;所述至少两个倒角磨轮沿所述硅单晶片的下方圆周方向设置,多个所述倒角磨轮以所述硅单晶片所在平面的竖直轴线为对称轴进行对称布置,所述倒角磨轮由伺服电机驱动旋转;所述预紧构件设置于所述硅单晶片的上方,用于调整所述硅单晶片的目标直径。2.根据权利要求1所述的倒角装置,其特征在于,所述预紧构件与伺服进给轴连接,并沿所述硅单晶片的径向进行伺服进给。3.根据权利要求1所述的倒角装置,其特征在于,所述硅单晶片与两个所述压盘之间分别存在0.2mm

0.5mm的间隙。4.根据权利要求1所述的倒角装置,其特征在于,所述倒角磨轮设置为两个,每个所述倒角磨...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵旭良
申请(专利权)人:上海新昇半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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