【技术实现步骤摘要】
氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置
[0001]本技术的优先权基础包括：申请号202110903994.8、申请日2021.08.06、专利名称为“氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法”的专利技术申请案。
[0002]本技术涉及氮化镓HEMT芯片的封装
，尤其是涉及氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置。
技术介绍
[0003]氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)芯片的工作层基础材质为氮化镓(GaN)，MOSFET芯片的工作层基础材质为硅(Si)。由于材料特性氮化镓HEMT芯片的体内不能设置PN结，源极与漏极之间的导通是通过中间的电子层导通,只有在柵极施加足够的负电压才能关断氮化镓HEMT芯片。故氮化镓HEMT芯片相比于MOSFET(金氧半场效晶体管)芯片，具有开关速度快的优点,但是基于结构特性,柵极的开关导通操作需要在负电压工作范围内,当柵极接地或电压0 V下,氮化镓HEMT芯片为导通,需要给到足够大的负电压,氮化镓HEMT芯片的源极与漏极才会关闭,故存在耗电漏电流的风险。因此,氮化镓HEMT的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，包括：位于封装底面的散热载片;氮化镓HEMT芯片，设置在所述散热载片上，使所述氮化镓HEMT芯片的背面热耦合至所述散热载片，所述氮化镓HEMT芯片的正面设置有第一源极垫、第一柵极垫与第一漏极垫;平板模封形成的第一封装胶层，形成在所述散热载片上，以密封所述氮化镓HEMT芯片，所述第一封装胶层在所述氮化镓HEMT芯片上具有第一模封高度，所述第一封装胶层开设有第一通孔,以显露所述第一源极垫、所述第一柵极垫与所述第一漏极垫;扇出线路层，形成在所述第一封装胶层上,所述扇出线路层包括：通孔导通至所述第一源极垫的第一源极内岛、通孔导通至所述第一柵极垫的柵极线路以及通孔导通至所述第一漏极垫的漏极线路,其中,所述第一源极内岛形成于偏离所述氮化镓HEMT芯片的区块中,所述漏极线路的一端扇出延伸以远离所述氮化镓HEMT芯片,所述柵极线路位于所述第一源极内岛与所述漏极线路之间;MOSFET芯片,设置在所述第一源极内岛上，使所述MOSFET芯片的背面漏极层电连接所述第一源极垫，所述MOSFET芯片的正面设置有第二源极垫与第二柵极垫;平板模封形成的第二封装胶层,形成在所述第一封装胶层与所述扇出线路层上，所述第二封装胶层在所述MOSFET芯片上具有第二模封高度，所述第二封装胶层开设有第二通孔,以显露所述第二源极垫与所述第二柵极垫;金属岛层,形成在所述第二封装胶层上,所述金属岛层包括：通孔导通互连所述第二源极垫与所述柵极线路的第二源极内岛以及通孔导通至所述第二柵极垫的柵极内岛;其中,所述散热载片割裂为在散热主岛周边且导通至所述第二源极内岛的源极外岛、导通至所述柵极内岛的柵极外岛以及导通至所述漏极线路扇出端的漏极外岛;随着所述柵极岛在0V关闭与5V开通所述MOSFET芯片,所述氮化镓HEMT芯片也同步关闭与同步开启。2.根据权利要求1所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，通过所述漏极外岛，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一漏极垫的关断工作电压介于100～600 V;通过所述第二源极内岛短接所述氮化镓HEMT芯片的所述第一柵极垫与所述MOSFET芯片的所述第二源极垫，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一柵极垫的关断与开通工作电压皆小于0 V。3.根据权利要求2所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，通过所述柵极外岛，所述MOSFET芯片在源漏关闭时，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一源极垫的电压被动抬高，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一柵极垫的≦0 V电压不足以开通所述氮化镓HEMT芯片。4....
【专利技术属性】
技术研发人员：谢文华，任炜强，
申请(专利权)人：深圳真茂佳半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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