一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置，结构依照封装工序依序包括散热载片、氮化镓HEMT芯片、第一封装胶层、扇出线路层、MOSFET芯片、第二封装胶层及金属岛层。扇出线路层的源极内岛形成于偏离氮化镓HEMT芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,栅极线路位于源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的源极外岛导通互连MOSFET芯片的第二源极垫与栅极线路,使MOSFET芯片的源极短路径连接氮化镓HEMT芯片的栅极，MOSFET芯片位于不同于氮化镓HEMT芯片的封装胶层中。胶层中。胶层中。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置


[0001]本技术涉及氮化镓HEMT芯片的封装
，尤其是涉及一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置。

技术介绍

[0002]氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)芯片的工作层基础材质为氮化镓(GaN)，MOSFET芯片的工作层基础材质为硅(Si)。由于材料特性氮化镓HEMT芯片的体内不能设置PN结，源极与漏极之间的导通是通过中间的电子层导通,只有在栅极施加足够的负电压才能关断氮化镓HEMT芯片。故氮化镓HEMT芯片相比于MOSFET(金氧半场效晶体管)芯片，具有开关速度快的优点,但是基于结构特性,栅极的开关导通操作需要在负电压工作范围内,当栅极接地或电压0 V下,氮化镓HEMT芯片为导通,需要给到足够大的负电压,氮化镓HEMT芯片的源极与漏极才会关闭,故存在耗电漏电流的风险。因此,氮化镓HEMT的功率器件首要解决的问题是如何在正电压(包括电压0 V)工作范围内进行开关导通,实现栅极接地或电压0 V下氮化镓HEMT芯片为关闭，目前已有多种的现有技术。
[0003]专利技术专利公开号C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，包括：氮化镓HEMT芯片，设置在散热载片上，使所述氮化镓HEMT芯片的背面热耦合至所述散热载片，所述氮化镓HEMT芯片的正面设置有第一源极垫、第一栅极垫与第一漏极垫;平板模封形成的第一封装胶层，形成在所述散热载片上，以密封所述氮化镓HEMT芯片，所述第一封装胶层开设有第一通孔,以显露所述第一源极垫、所述第一栅极垫与所述第一漏极垫;扇出线路层，形成在所述第一封装胶层上,所述扇出线路层包括：通孔导通至所述第一源极垫的源极内岛、通孔导通至所述第一栅极垫的栅极线路以及通孔导通至所述第一漏极垫的漏极线路,其中,所述源极内岛形成于偏离所述氮化镓HEMT芯片的区块中,所述漏极线路的一端扇出延伸以远离所述氮化镓HEMT芯片,所述栅极线路位于所述源极内岛与所述漏极线路之间;MOSFET芯片,设置在所述源极内岛上，使所述MOSFET芯片的背面漏极层电连接所述第一源极垫，所述MOSFET芯片的正面设置有第二源极垫与第二栅极垫;平板模封形成的第二封装胶层,形成在所述第一封装胶层与所述扇出线路层上，以密封所述MOSFET芯片，所述第二封装胶层开设有第二通孔,以显露所述第二源极垫与所述第二栅极垫;金属岛层,形成在所述第二封装胶层上,所述金属岛层包括：互连所述第二源极垫与所述栅极线路的源极外岛、导通至所述第二栅极垫的栅极岛以及导通至所述漏极线路扇出端的漏极岛;随着所述栅极岛在0V关闭与5V开通所述MOSFET芯片,所述氮化镓HEMT芯片也同步关闭与同步开启。2.根据权利要求1所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，通过所述漏极岛，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一漏极垫的关断工作电压介于100～600 V;通过所述源极外岛短接所述氮化镓HEMT芯片的所述第一栅极垫与所述MOSFET芯片的所述第二源极垫，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一栅极垫的关断与开通工作电压皆小于0 V。3.根据权利要求2所述的氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，通过所述栅极岛，所述MOSFET芯片在源漏关闭时，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一源极垫的电压被动抬高，所述氮化镓HEMT芯片的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢文华，任炜强，
申请(专利权)人：深圳真茂佳半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：