一种基于单宁酸的正性光刻材料及其制备方法、光刻胶体系及在制备微纳电路中的应用技术

本发明专利技术提供了一种基于单宁酸的正性光刻材料及其制备方法、光刻胶体系及在制备微纳电路中的应用，所述正性光刻材料是通过将单宁酸依次与二碳酸二叔丁酯和甲基丙烯酰氯进行接枝反应得到，之后采用上述正性光刻材料为主要成分制备得到光刻胶体系，使用该光刻胶体系进行光刻

【技术实现步骤摘要】
一种基于单宁酸的正性光刻材料及其制备方法、光刻胶体系及在制备微纳电路中的应用


[0001]本专利技术涉及一种基于单宁酸的正性光刻材料及其制备方法、光刻胶体系及在制备微纳电路中的应用，属于高分子感光成像


技术介绍

[0002]微纳电路是指在微电子工艺中用于连接微电子元件的导电线路，微纳电路常用于平板印刷、可穿戴电子设备等领域。目前，常用的微纳电路的沉积方法是利用金属油墨、辅助表面活性剂、稳定剂为原料，利用喷墨打印的方式在基底(例如PDMS、PET、PI)上沉积。该方法主要有以下两个缺点：1、它是一种非原位的沉积方法，需要稳定剂来避免金属粒子的团聚以及金属粒子的氧化问题；2、为实现良好的导电性，需要多次反复喷墨，并且由于液滴的表面张力的原因，绘制出的线路分辨率不够高。
[0003]光刻法是常用的制备高分辨率微纳电路的方法，在光刻方法构造电路的过程中，常用的光刻胶组分为酚醛树脂和环氧树脂体系，由于聚合物之间的分子链缠连作用，线路的分辨率较低，并且酚醛树脂合成过程污染环境，会释放对人体有害气体。目前光刻方法制备微纳电路的方法为：先制好本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于单宁酸的正性光刻材料，其特征在于，其结构式如通式I所示：其中，取代基R各自独立的选自叔丁氧羰基、2
‑
甲基
‑1‑
丙烯基羰基或H，并且取代基R中，叔丁氧羰基、2
‑
甲基
‑1‑
丙烯基和H的摩尔比为0.1
‑
0.7:0.1
‑
0.4:0.1
‑
0.3。2.根据权利要求1所述的正性光刻材料，其特征在于，所述取代基R中，叔丁氧羰基、2
‑
甲基
‑1‑
丙烯基和H的摩尔比为0.5
‑
0.7:0.2
‑
0.3:0.1
‑
0.2。3.权利要求1或2所述基于单宁酸的正性光刻材料的制备方法，采用下述方法之一进行制备：方法i：在氮气保护下，将单宁酸和二碳酸二叔丁酯加入溶剂A中，之后加入催化剂进行反应，得到反应液；之后在氮气保护下，0
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8℃条件下，向所得反应液中加入三乙胺，再滴加甲基丙烯酰氯，之后升至室温进行反应，反应完成后，经后处理得到基于单宁酸的正性光刻材料；或，方法ii：在氮气保护下，0
‑
8℃条件下，将单宁酸加入溶剂A中，之后加入三乙胺，再滴加甲基丙烯酰氯，之后升至室温进行反应，得到反应液；在氮气保护下，向所得反应液中加入二碳酸二叔丁酯，之后加入催化剂进行反应，反应完成后，经后处理得到基于单宁酸的正性光刻材料。4.根据权利要求3所述基于单宁酸的正性光刻材料的制备方法，其特征在于，方法i或方法ii中所述二碳酸二叔丁酯和单宁酸的摩尔比为3
‑
21:1，优选为15
‑
21:1；方法i或方法ii中所述溶剂A为丙酮和溶剂B的混合溶剂，混合溶剂中丙酮与溶剂B的体积比为1:4
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6；所述溶剂B为N,N
‑
二甲基甲酰胺或N
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甲基吡咯烷酮；所述溶剂A的体积与单宁酸的质量之比为5
‑
20mL:1g。
5.根据权利要求3所述基于单宁酸的正性光刻材料的制备方法，其特征在于，方法i或方法ii中所述催化剂为4
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二甲氨基吡啶或三乙胺；所述催化剂的质量为单宁酸和二碳酸二叔丁酯总质量的0.3
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1％；所述催化剂是以催化剂丙酮溶液的形式滴加入体系中，所述催化剂丙酮溶液的浓度为0.01
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0.02g/mL，滴加时间为10
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15min；单宁酸和二碳酸二叔丁酯进行反应的时间为10
‑
16h。6.根据权利要求3所述基于单宁酸的正性光刻材料的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤紫成，康文兵，陈欢，赵莉苹，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：