一种高频下测量金属薄膜电导率的装置及方法制造方法及图纸

一种高频下测量金属薄膜电导率的装置及方法，属于导体高频交流电阻测量技术领域。本发明专利技术是为了解决现有的陶瓷金属化表面的金属薄膜在高频交流电的电导率测量方法测量过程困难，无法准确的测量出不同工艺下的陶瓷金属化表面的金属薄膜的电导率的问题。本发明专利技术的测量装置包括损耗测试仪、两个SMA连接器和矢量网络分析仪，所述的两个SMA连接器分别安装在损耗测试仪的两侧，并与矢量网络分析仪连接，为所述的损耗测试仪进行馈电。本发明专利技术主要用于测量射频器件金属表面的电导率。测量射频器件金属表面的电导率。测量射频器件金属表面的电导率。

【技术实现步骤摘要】
一种高频下测量金属薄膜电导率的装置及方法


[0001]本专利技术属于导体高频交流电阻测量
，尤其涉及一种高频下测量金属薄膜电导率的装置及方法。

技术介绍

[0002]射频器件常用于高频交流电的场合，在使用过程中常会出现趋肤效应，所谓的趋肤效应是指当导体中有交流电时，导体内部的电流会集中在导体外表面的薄层，导体内部的电流实际较小，会增大导体内部的电阻，从而增大损耗功率；对于不同工艺所产生的射频器件，其金属表面的电导率也不同，对于陶瓷金属化表面的金属薄膜在高频交流电的电导率测量，一般有方阻法、四探针方块电阻法和TE011圆柱谐振腔测量法；方阻法或四探针方块电阻法目前应用较为广泛，其主要是利用恒流源在金属层表面形成测试回路，通过测量电压差，再根据无限薄层理论模型进行推算方块电阻的阻值，但是该方法测试环境为直流环境，未能很好的考虑趋肤效应对电阻造成的影响，例如，在频率为5GHz的条件下，纯铜的趋肤深度约为1μm，但利用方阻法进行测量时，整个金属层的厚度都会被考虑在内，会得到明显偏小的结论；而TE011圆柱谐振腔测量超导薄面表面电阻的方法较难确定出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频下测量金属薄膜电导率的装置，其特征在于，它包括损耗测试仪(1)、两个SMA连接器和矢量网络分析仪，所述的两个SMA连接器分别安装在损耗测试仪(1)的两侧，并与矢量网络分析仪连接，为所述的损耗测试仪进行馈电。2.根据权利要求1所述的一种高频下测量金属薄膜电导率的装置，其特征在于：所述的损耗测试仪(1)包括中间体(1
‑
1)和两张盖板(1
‑
2)，所述的中间体(1
‑
1)为中间开有长方形通孔(1
‑1‑
2)的金属体，长方形通孔(1
‑1‑
2)的两端端口各安装一张盖板(1
‑
2)形成长方形空腔。3.根据权利要求2所述的一种高频下测量金属薄膜电导率的装置，其特征在于，所述盖板(1
‑
2)的外侧板面中心位置开有立方形槽体(1
‑2‑
1)和圆形通孔(1
‑2‑
2)，圆形通孔(1
‑2‑
2)处于立方形槽体(1
‑2‑
1)槽底的中间位置，所述SMA连接器安装在立方形槽体(1
‑2‑
1)内，SMA连接器的探针插装在圆形通孔(1
‑2‑
2)内。4.根据权利要求3所述的一种高频下测量金属薄膜电导率的装置，其特征在于，所述长方形通孔(1
‑1‑
2)两侧端口的外围各开有一个凹槽(1
‑1‑
1)；所述盖板(1
‑
2)的内侧板面设置有凸台，凸台与中间体(1
‑
1)上的凹槽(1
‑1‑
1)相匹配。5.根据权利要求1至4任一项所述的一种高频下测量金属薄膜电导率的装置，其特征在于，所述的损耗测试仪(1)的材质为紫铜T2。6.根据权利要求5所述的一种高频下测量金属薄膜电导率的装置，其特征在于，在长方形通孔(1
‑1‑
2)的四个内壁上分别设置一张测量基板，每张测量基板的金属化表面紧贴在长方形通孔(1
‑1‑
2)的内壁上，并完全覆盖。7.利用权利要求6所述的装置测量高频下金属薄膜电导率的方法，其特征在于，具体测量过程如下：步骤S1，损耗测试仪(1)通过SMA连接器与矢量网络分析仪连接，在损耗测试仪(1)空腔的条件下...

【专利技术属性】
技术研发人员：林彬，桑锐，王皓吉，隋天一，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：