一种沟槽二极管势垒层制备方法技术

本发明专利技术公开了半导体制造技术领域内的一种沟槽二极管势垒层制备方法，包括以下步骤：S1：在硅衬底表面溅射金属；S2：经快速退火炉退火横向形成势垒层；S3：经合金炉退火纵向形成势垒层；S4：去除硅衬底表面金属，完成势垒层制备。该势垒层制备方法可以解决势垒层边缘偏薄的问题，降低沟槽二极管漏电参数，提高产品稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽二极管势垒层制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种沟槽二极管势垒层制备方法。

技术介绍

[0002]沟槽二极管常规制备方法包括：在硅衬底表面开设特定图形的沟槽，在沟槽中制备氧化层覆盖沟槽，在硅衬底表面溅射金属制备势垒层，在势垒层表面生长金属层。
[0003]而在氧化层制备过程中，不可避免的会覆盖位于沟槽边缘的部分硅衬底表面。由于氧化层遮挡，使得需要形成势垒层的区域边缘无法溅射足够量的金属，导致金属溅射形成的势垒层边缘偏薄，容易形成电流通道，从而导致制备的沟槽二极管漏电参数较大。

技术实现思路

[0004]本申请通过提供一种沟槽二极管势垒层制备方法，解决了现有技术中因氧化层遮挡导致金属溅射形成的势垒层边缘偏薄的问题，有效提高势垒层边缘厚度，降低沟槽二极管漏电参数。
[0005]本申请实施例提供了一种沟槽二极管势垒层制备方法，包括以下步骤：
[0006]S1：在硅衬底表面溅射金属；
[0007]S2：经快速退火炉退火横向形成势垒层；
[0008]S3：经合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽二极管势垒层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在硅衬底表面溅射金属；S2：经快速退火炉退火横向形成势垒层；S3：经合金炉退火纵向形成所述势垒层；S4：去除所述硅衬底表面金属，完成所述势垒层制备。2.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法，其特征在于：在步骤S1中，溅射金属时将溅射腔室的排气速率控制为设定值。3.根据权利要求2所述的沟槽二极管势垒层制备方法，其特征在于：所述溅射腔室的排气速率控制方法如下：在所述溅射腔室排气口处安装蝶阀，通过控制所述蝶阀的开度来调控排气速率。4.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述快速退火炉退火温度为350℃
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380℃，退火时间为40s
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：潘东辉，陆阳，张龙，李怀辉，赵国权，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：发明
国别省市：