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本发明公开了半导体制造技术领域内的一种沟槽二极管势垒层制备方法，包括以下步骤：S1：在硅衬底表面溅射金属；S2：经快速退火炉退火横向形成势垒层；S3：经合金炉退火纵向形成势垒层；S4：去除硅衬底表面金属，完成势垒层制备。该势垒层制备方法可以...
该专利属于扬州国宇电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州国宇电子有限公司授权不得商用。

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