用于制造集成电感器和相关半导体器件的技术、电子系统和方法技术方案

在一些实施方案中，可以使用用于形成半导体器件的互连件的过程来构建集成电感器，而不需要附加的过程步骤。集成电感器线圈可以通过例如对上覆的导电材料进行分流来形成，诸如例如，将焊盘金属(例如，铝和其合金)接合到下面的导电材料，诸如例如，使用镶嵌工艺(例如，利用铜和其合金)形成的布线的最上层，没有通孔使两种材料互连。在一些实施方案中，利用此类过程形成的集成电感器可以具有对称螺旋设计。过程形成的集成电感器可以具有对称螺旋设计。过程形成的集成电感器可以具有对称螺旋设计。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造集成电感器和相关半导体器件的技术、电子系统和方法
[0001]优先权声明
[0002]本申请要求2019年7月18日提交的标题为“Techniques for Making Integrated Inductors and Related Semiconductor Devices,Electronic Systems,and Methods”的美国临时专利申请第62/875,917号的优先权日的权益，其公开内容通过引用全文并入本文。


[0003]本公开大体上涉及用于半导体器件的电部件以及相关系统和方法。更具体地，公开的实施方案涉及用于配置和制造半导体器件的集成电感器的技术，所述技术可以提高集成电感器的质量并减少制造集成电感器的专用处理动作的数量。

技术介绍

[0004]Jack Kilby和Robert Noyce通过开创集成电路(IC)革新了半导体工业。在常规IC中，使用通常铝或铜线形成具有多个互连晶体管的全功能设备，并且晶体管在硅基板上单片构建，而不是构建单独的晶体管。除了晶体管之外，通常将设置在印刷电路板(PCB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，包括：基板，所述基板包括半导体材料；和集成电感器，所述集成电感器包括由所述基板支撑的线圈，所述线圈包括：导电材料，所述导电材料位于形成在所述基板上的互连件的最上部部分处；另一种不同的导电材料，所述另一种不同的导电材料与所述导电材料的部分直接接触；以及上层/下层区域，其中所述导电材料的电隔离部分在所述另一种导电材料的另一电隔离部分下方延伸，钝化材料位于所述导电材料的所述部分的所述电隔离部分与所述另一种导电材料的所述另一部分之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述集成电感器在所述集成电感器的所述导电材料与所述另一种导电材料之间没有通孔。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述线圈的所述导电材料包括铜或铜合金材料，并且所述另一种导电材料包括铝或铝合金。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中所述集成电感器至少基本上对称。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中所述导电材料位于使用镶嵌工艺形成的所述互连件的所述层中的最上层处。6.一种半导体器件，包括：基板，所述基板包括半导体材料；和集成电感器，所述集成电感器包括由所述基板支撑的线圈，所述线圈包括：导电材料，所述导电材料位于形成在所述基板上的互连件的最上层中；另一种导电材料，所述另一种导电材料位于所述最上层上方、与所述导电材料的部分直接接触，其中所述另一种导电材料与所述导电材料不同；以及上层/下层区域，其中：一个线圈的所述导电材料从所述上层/下层区域之前连续延伸，通过所述上层/下层区域，并且超过所述上层/下层区域；另一线圈的所述另一种导电材料的一部分从所述上层/下层区域之前连续延伸，通过所述上层/下层区域并在所述一个线圈的所述导电材料下方，并且超过所述上层/下层区域；所述一个线圈的所述另一种导电材料是不连续的，朝向所述上层/下层区域延伸，在所述上层/下层区域内被省略，并且远离所述上层/下层区域延伸；并且所述另一线圈的所述导电材料是不连续的，朝向所述上层/下层区域延伸，在所述上层/下层区域内被省略，并且远离所述上层/下层区域延伸。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述集成电感器没有在所述集成电感器的所述导电材料与所述另一种导电材料之间延伸的通孔。8.根据权利要求6或权利要求7所述的半导体器件，其中所述导电材料位于使用镶嵌工艺形成的所述互连件的所述层中的最上层处。9.一种制造半导体器件的方法，包括：将钝化材料放置在形成于半导体基板上的互连件上；
通过去除所述钝化材料的部分来暴露支撑在所述基板上的集成电感器的线圈的部分，所述线圈的所述部分包括所述互连件的导电材料；以及将另一种不同的导电材料放置成与所述线圈的所述部分的所述导电材料直接接触，以形成所述集成电感器。10.根据权利要求9所述的方法，其中通过去除所述钝化材料的所述部分来暴露所述集成电感器的所述线圈的所述部分包括暴露至少部分地支撑在所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷耀俭，
申请(专利权)人：微芯片技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：