电容器结构制造技术

本发明专利技术涉及一种电容器结构及制造此类电容器结构的方法，电容器结构被实施为包含复数个交替的介电层和金属化层的分层结构。电容器结构包括至少一个侧向平行板电容器部分(LPP部分)和至少一个垂直平行板电容器部分(VPP部分)，所述至少一个LPP部分包括由复数所述交替的层之介电材料分隔的在两个不同的层上的两个第一电极，所述至少一个VPP部分包括两个第二电极，每个第二电极包含布置在复数个所述金属化层上的复数个叠置的平板或条。所述至少一个LPP部分与所述至少一个VPP部分电耦接以形成该电容器结构。由于介电材料之一厚度变化引起的所述至少一个LPP部分之一电容值变化至少部分地通过所述至少一个VPP部分之一的电容值的相反变化来补偿。的相反变化来补偿。的相反变化来补偿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器结构


[0001]本专利技术涉及一种电容器装置结构及制造此结构的方法。
[0002]先前技术
[0003]图1a示出具有两个侧向定向的导体板的平行板电容器，该导体板具有导体板长度L，导体板宽度W且两个板电极(100、102)之间的垂直距离为D。第一板电极(100)与第二板电极(102)之间的间隙填充有介电介质(101)，该介电介质具有厚度为D及相对电容率∈
r
且∈0对于真空的电容率为恒定。平行板电容器的电容由以下公式给出：
[0004]C＝∈0X∈
r
X(W
×
L)/D
ꢀꢀꢀ
(1)。
[0005]在半导体工业中，当绝缘体用作介电介质(101)时，通常通过在两个扁平金属板之间置放一个或更多个绝缘体材料层来制造此种电容器，且因此通常将其称为金属
‑
绝缘体
‑
金属(MIM)电容器。此类型电容器可被称为水平电容器或侧向电容器，原因是导体板沿水平方向延伸，该水平方向亦可被视为侧向方向。
[0006]当板电极(100、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电容器结构，其被实施为包括复数个交替的介电层和金属化层的分层结构，其特征在于，所述电容器结构包括：至少一个侧向平行板电容器部分(LPP部分)，所述至少一个LPP部分包括由复数个所述交替的层的介电材料分隔的两个第一电极，所述两个第一电极由两个基本上平行的金属化图案在两个不同的层上形成，和至少一个垂直平行板电容器部分(VPP部分)，所述至少一个VPP部分包括两个第二电极，每个第二电极包括布置在复数个所述金属化层上的复数个叠置的平板或条，其中，所述至少一个LPP部分与所述至少一个VPP部分电耦接以形成所述电容器结构，以及其中，由于在分隔所述两个第一电极的所述复数个交替的层中的至少一层上的介电材料的厚度变化引起的所述至少一个LPP部分的电容值的变化至少部分地通过所述至少一个VPP部分的电容值的相反变化来补偿，其中，在分隔所述两个第一电极的所述复数个交替的层中的所述至少一层上的所述介电材料的厚度变化引起在垂直维度上所述两个第一电极之间的距离相对于标称值的差，所述至少一个VPP部分的电容值的所述相反变化由于所述复数个交替的层中的所述至少一层上的所述介电材料的厚度变化导致所述两个第二电极在垂直维度上的宽度相对于标称值的差而引起。2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述至少一个LPP部分及所述至少一个VPP部分彼此并联或串联地电耦接。3.根据权利要求1或2所述的电容器结构，包括至少两个LPP部分和至少两个VPP部分，其中，至少一个LPP部分和至少一个VPP部分彼此并联地电耦接，并且其中，至少另一个LPP部分和至少另一个VPP部分彼此串联地电耦接。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器结构，其中，所述两个第二电极包括复数个电极指部，每个电极指部由复数个叠置的平板或条形成，所述两个第二电极的所述电极指部以指状交叉电极指部的形式形成梳状结构，其中，相邻电极指部具有交替的极性，以及/或者其中，所述叠置的平板或条通过一个或更多个导电通孔彼此电连接，所述一个或更多个导电通孔穿过将两个相邻的包括所述叠置的平板或条的金属化层分隔的每个介电材料层。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器结构，其中，所述两个第一电极驻留在所述电容器结构的包括所述第二电极的顶部和底部平板或条的金属化层上，所述顶部和底部平板或条限定所述第二电极在垂直维度上的宽度。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器结构，其中所述两个第一电极中的一个第一电极驻留在所述电容器结构的在垂直维度上位于如下金属化层上方的层上：该金属化层包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的上界限的所述第二电极的平板或条；并且所述两个第一电极中的另一个第一电极驻留在所述电容器结构的包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的下界限的所述第二电极的平板或条的层上，或者所述两个第一电极中的一个第一电极驻留在所述电容器结...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯，
申请(专利权)人：可尔HW半导体公司，
类型：发明
国别省市：