一种结构件的制备方法、结构件及电子设备技术

本申请涉及结构件的制备方法、结构件及电子设备，所述结构件包括基材层，所述制备方法包括：在所述基材层溅射金属保护层，其中，所述金属保护层的材质包括惰性金属或惰性金属的合金；在所述金属保护层设置绝缘层；去除预设位置的所述绝缘层，以使所述预设位置的所述金属保护层裸露。在形成金属保护层时，无需采用化学转化、水溶液化学镀等需要将基材层放置于溶液中的方式，而是采用溅射的方式，从而能够避免基材层放置于溶液时发生腐蚀的风险，进而能够避免因基材层发生腐蚀产生气泡导致金属保护层的致密性较低，提高金属保护层对基材层的防护效果。的防护效果。的防护效果。

【技术实现步骤摘要】
一种结构件的制备方法、结构件及电子设备


[0001]本申请涉及导电涂层
，尤其涉及一种结构件的制备方法、结构件及电子设备。

技术介绍

[0002]镁及镁合金由于具有较高的强度、刚度及良好的导热导电性，广泛应用于汽车制造、航空航天以及手机电子通讯领域，镁及镁合金的密度仅为1.3～1.9g/cm3，约为铝的2/3，铁的1/4，是轻量化趋势下最有前途的合金材料。然而镁合金本身化学活性极高，稳定性差，电极电位高(-2.34V)，导致其耐蚀性很差，严重制约了其进一步应用，因此如何通过表面处理/镀膜来提高其耐蚀性成为了工艺研究的热点。同时，在电子设备领域，一方面需要镁合金绝大部分区域是绝缘的，以降低镁合金对天线的影响，另一方面，还需要在镁合金的局部位置形成电连接点，用于与电子设备的导电部件电连接。因此，为了满足电子设备的需求，需要提高镁合金的绝缘性和局部导电性。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种结构件的制备方法、结构件及电子设备，能够提高金属保护层对基材层的防护效果。
[0004]本申请第一方面提供一种结构件的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构件的制备方法，其特征在于，所述结构件包括基材层，所述制备方法包括：在所述基材层溅射金属保护层，其中，所述金属保护层的材质包括惰性金属或惰性金属的合金；在所述金属保护层设置绝缘层；去除预设位置的所述绝缘层，以使所述预设位置的所述金属保护层裸露。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基材层溅射金属保护层时，所述制备方法包括：在真空腔体中通入惰性气体，溅射过程中，施加偏压，并使用惰性金属靶或惰性金属合金靶进行溅射第一预设时间，以便在所述基材层上溅射形成所述金属保护层；其中，惰性气体的压力为0.1Pa～0.3Pa，偏压的范围为-80V～-120V，所述第一预设时间为0.7h～1.5h。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，溅射所述金属保护层时，通过Ni靶和Cr靶共溅射，且二者的功率比为3:1～5:1；其中，所述Ni靶和所述Cr靶的纯度大于95％。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述惰性金属合金靶为NiCr20。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述基材层溅射所述金属保护层之前，所述制备方法还包括：将所述真空腔体抽真空，以使所述真空腔体内的真空度小于10-3
Pa；在所述真空腔体中通入惰性气体，且惰性气体的压力为0.5Pa～4Pa；在所述真空腔体中，将所述基材层进行离子反溅第二预设时间，所述第二预设时间为10min～30min，且离子反溅的功率为200W～500W，偏压为100V～300V。6.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属保护层为Ni和Cr的化合物，且二者的原子比为4:1。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述金属保护层喷涂绝缘材料形成所述绝缘层。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛佳伟，霍国亮，臧永强，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：