一种酸浴、铜沉积物及均镀剂的制备方法技术

本申请涉及沉积铜技术领域，具体一种酸浴、铜沉积物及均镀剂的制备方法。一种酸浴，包括以下组分：150

【技术实现步骤摘要】
一种酸浴、铜沉积物及均镀剂的制备方法


[0001]本专利技术涉及沉积铜
，尤其是涉及一种酸浴、铜沉积物及均镀剂的制备方法。

技术介绍

[0002]众所周知，重布线层（RDL）工艺、铜柱（copper piller）工艺以及Fan Out Tall Piller工艺均是常见的半导体封装技术。其中，重布线层（RDL）工艺是通过刻蚀修饰剩余光刻胶层图形，以去除钻蚀，再电镀金属，形成了RDL布线层的操作，具有改善器件性能和制备出良好的细线宽线距RDL布线层的优势。铜柱（copper piller）工艺的操作流程依次包括在绝缘层和金属焊盘表面溅射金属化层，在金属化层表面旋涂光刻胶层，图形化所述光刻胶层，在金属焊盘之上形成暴露金属化层的开口，在上述开口中电镀Cu金属，形成铜柱，再在上述铜柱表面依次形成保护层和焊料帽层。
[0003]盲孔电镀工艺是选择一块与待电镀电路板形状相同的盖板，在盖板上设置与电路板的盲孔一一对应的隔离柱；将电路板放入电镀液中，然后将盖板悬置于电路板上方并固定，固定状态下，隔离柱与盲孔一一对应并伸入盲孔内；调整盖板的高度，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种酸浴，其特征在于，包括以下组分：150
‑
200g/L硫酸铜，60
‑
200g/L浓硫酸、50
‑
80g/L氯化物离子和0.0001
‑
0.1g/L均镀剂；其中，所述均镀剂的制备方法包括：将环状聚合物和含氮多元环加1
‑
2L水，搅拌40
‑
120h后得到均镀剂；其中，所述环状聚合物选为聚醚酰亚胺和环糊精；所述环状聚合物与含氮多元环的重量比为1：（2.8
‑
8.6）。2.根据权利要求1所述的酸浴，其特征在于，所述均镀剂的制备方法还包括所述环状聚合物的预处理，具体包括：将环状聚合物溶解，在冰水浴中冷却，加入碱搅拌均匀，再缓慢滴入卤代芳香化合物，要求卤代芳香化合物在1
‑
3min内滴完，继续搅拌20
‑
40h后得到接枝中间体；其中，所述环状聚合物与卤代芳香化合物的重量比为1:（0.5
‑
0.7）；所述卤代芳香化合物选为溴化苄和氯化苄中的一种；所述碱选为氢化钠、氢氧化钠、氢氧化锂和氢氧化钾中的一种。3.根据权利要求1或2所述的酸浴，其特征在于，所述聚醚酰亚胺的分子量为600
‑
1800；所述环糊精选为α
‑
环糊精、β
‑
环糊精和γ
‑
环糊精中的一种；所述含氮多元环选为2,3
‑
环氧丙基铵、三甲基苄基氯化铵、苄基三甲基氯化铵、十二烷基三甲基氯化铵、十四烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基溴化铵、四甲基氯化铵、四乙基氯化铵、四丁基醋酸铵、四甲基醋酸铵、四甲基硫酸氢铵、四丙基硫酸氢铵、四甲基氟化铵、三壬基甲基氯化铵、双十烷基二甲基氯化铵、双十二烷基二甲基氯化铵、双十八烷基二甲基氯化铵中的至少一种。4.根据权利要求2所述的酸浴，其特征在于，至少还包括0.005
‑
0.5g/L增亮剂和0.005
‑
20g/L润湿剂中的一种，所述增亮剂至少包含一水溶性硫化物，所述润湿剂至少包含一含氧高分子化合物。5.根据权利要求4所述的酸浴，其特征在于，所述水溶性硫化物选为3
‑
(苯基并噻唑基
‑2‑
硫)
‑
丙基磺酸的钠盐、3
‑
疏基丙烷
‑1‑
磺酸的钠盐、亚乙基二硫二丙基磺酸的钠盐、双
‑
(对硫代苯基)
‑
二硫化物的二钠盐、双
‑
(ω
‑
硫代苯基)
‑
二硫化物的二钠盐、双
‑
(ω
‑
硫代丁基)
‑
二硫化物的二钠盐、双
‑
(ω
‑
硫代羟基丙基)
‑
二硫化物的二钠盐、双
‑
(ω
‑
硫代丙基)
‑
二硫化物的二钠盐、双
‑
(ω
‑
硫代丙基)
‑
二硫化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志恒，
申请(专利权)人：永星化工上海有限公司，
类型：发明
国别省市：