一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺，由以下成分组成：铜盐70

【技术实现步骤摘要】
一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺


[0001]本专利技术涉及表面处理
，尤其涉及一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺。

技术介绍

[0002]传统上，IC芯片与外部的电气连接是用金属引线以键合方式把芯片上的I/O连至封装载体实现引脚封装。然而随着I/O间距缩至70μm以下，引线键合技术不符合时代要求。晶圆级封装技术(WLP)因其尺寸小、成本低等优势应运而生，目前在移动电话、GPS、蓝牙元器件等诸多领域得到应用，生产范围十分广泛。
[0003]在倒装芯片互连方式中，凸点下金属化层(UBM)是IC上金属焊盘和金凸点之间的关键界面层。UBM需要与金属焊盘和晶圆钝化层具有足够的好的粘结性，其通常是通过整个晶圆表面沉积多层金属来实现的。由于电镀工艺可以实现很窄的凸点节距并维持高产率，并可以依据不同尺寸、节距以及几何形状来实现电镀，因而晶圆制作中最为常风的金属沉积一般通过电镀工艺来实现。电镀技术中以电镀铜因其成本低，技术成熟等优势而应用最为广泛。然而，目前晶圆级封装电镀铜技术依然面临着许多重要问题尚未解决，比如高电流密度下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，包括以下质量浓度比的组分：所述反应防污剂为乙二醇叔丁醚和磷酸酯的复合物，且乙二醇叔丁醚和磷酸酯在使用时的质量浓度比为1:1；所述载运剂为氯离子和矾离子的复合物，质量浓度比为1：(1
‑
5)范围内配置混合，在使用时的氯离子浓度控制在60
‑
80ppm/L之间，矾离子浓度控制在60
‑
400ppm/L之间；将上述组分按照配比均匀混合后，余量为水，操作温度15
‑
40℃后形成电镀铜溶液。2.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述光亮剂由质量浓度30
‑
45ppm/L的有机丙烷甜菜碱，质量浓度为15
‑
20ppm/L的异丙基苯磺酸钠和质量浓度为15
‑
25ppm/L的硫酸羟胺组成的复合物。3.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述抗氧化剂与抑制剂在使用时的质量浓度比例为3：1，所述抗氧化剂与抑制剂在使用时形成一种具有共轭传输桥梁作用的化合物，加快凹点部位的快速沉积。4.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述抗氧化剂与反应防污剂在使用时的质量浓度比例为1：1，抗氧化剂与反应防污剂配合，既可以防止油污性污染源，又可以防止化学微量离子的侵蚀。5.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚玉，陈建龙，王江锋，
申请(专利权)人：珠海市创智芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：