一种半导体焊接装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体焊接装置，涉及半导体焊接领域。该半导体焊接装置包括夹持部和供电部，夹持部用于固定待焊接半导体，并调整待焊接半导体的位置；供电部包括供电层和短接层，待焊接半导体在焊接过程中先后与供电层、短接层电连接，供电层用于为待焊接半导体提供工作电流，短接层用于使待焊接半导体短接。本申请提供的半导体焊接装置可以在焊接的过程中为待焊接半导体提供工作电流，使之能够对待焊接半导体进行光学校准，在位置校准完成后，需要进行焊接时，通过短接层使得待焊接半导体短接，避免在焊接时待焊接半导体内存在电流造成的损坏。成的损坏。成的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体焊接装置


[0001]本专利技术涉及半导体焊接领域，具体而言，涉及一种半导体焊接装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体激光器被广泛应用于各个领域，但是由于半导体激光器自身散热效果较差，在没有冷却的情况下很难保持稳定的输出功率，所以通常需要将半导体焊接到散热板上。
[0003]现有技术中，由于焊接时会产生较高的温度，所以在焊接的过程中无法给半导体通电并进行光束的校准，从而影响半导体在焊接时的精度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供了一种半导体焊接装置，其能够有效提高半导体在焊接时的精度。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：
[0006]一种半导体焊接装置，所述半导体焊接装置包括夹持部和供电部；
[0007]所述夹持部用于固定待焊接半导体，并调整所述待焊接半导体的位置；
[0008]所述供电部包括供电层和短接层，所述待焊接半导体在焊接过程中先后与所述供电层、短接层电连接；
[0009]所述供电层用于为所述待焊接半导体提供工作电流；
[0010]所述短接层用于使所述待焊接半导体短接。
[0011]可选的，所述供电层包括第一电极和第二电极，所述待焊接半导体的正负极引脚在焊接过程中首先分别与所述第一电极、所述第二电极电连接，所述第一电极和所述第二电极为所述待焊接半导体提供工作电流，所述待焊接半导体向所述短接层移动的过程中，所述正负极引脚始终与所述第一电极、第二电极电连接。
[0012]可选的，所述短接层为金属层，所述待焊接半导体的正负极引脚与所述金属层电连接时，所述待焊接半导体被短接。
[0013]可选的，所述短接层包括短接导体，所述短接导体设置与所述待焊接半导体的正负极引脚之间，所述待焊接半导体的正负极引脚均与所述短接导体连接时，所述待焊接半导体被短接。
[0014]可选的，所述短接层还包括第三电极和第四电极，所述第三电极与所述第一电极电连接，所述第四电极与所述第二电极电连接，所述短接导体设置于所述第三电极和所述第四电极之间。
[0015]可选的，所述半导体焊接装置还包括校准部，所述校准部用于提供校准信号，所述校准信号作为所述夹持部调整所述待焊接半导体位置的参考信号。
[0016]可选的，所述校准部包括校准光源、半波片、偏振分光棱镜、慢轴准直柱面镜以及光屏，所述校准光源、半波片、偏振分光棱镜、慢轴准直柱面镜以及光屏依次设置。
[0017]可选的，所述半导体焊接装置还包括调节架，所述夹持部和所述供电部均与所述调节架连接。
[0018]可选的，所述半导体焊接装置还包括基板固定部，所述基板固定部包括基板和固定台，所述基板与所述固定台连接；
[0019]所述基板设置有焊接槽，所述焊接槽中设置有通孔，所述焊接槽用于焊接所述待焊接半导体，所述待焊接半导体的引脚穿过所述通孔在焊接过程中先后与所述供电层、所述短接层电连接。
[0020]可选的，所述固定台为恒温加热台。
[0021]相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：
[0022]本申请提供了一种半导体焊接装置，该半导体焊接装置包括夹持部和供电部，夹持部用于固定待焊接半导体，并调整待焊接半导体的位置；供电部包括供电层和短接层，待焊接半导体在焊接过程中先后与供电层、短接层电连接，供电层用于为待焊接半导体提供工作电流，短接层用于使待焊接半导体短接。本申请提供的半导体焊接装置可以在焊接的过程中为待焊接半导体提供工作电流，使之能够对待焊接半导体进行光学校准，在位置校准完成后，需要进行焊接时，通过短接层使得待焊接半导体短接，避免在焊接时待焊接半导体内存在电流造成的损坏。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0024]图1为本申请实施例提供的半导体焊接装置的位置示意图之一；
[0025]图2为本申请实施例提供的半导体焊接装置的位置示意图之二；
[0026]图3为本申请实施例提供的半导体焊接装置的结构示意图之一；
[0027]图4为本申请实施例提供的半导体焊接装置的结构示意图之二；
[0028]图5为本申请实施例提供的校准部的结构示意图；
[0029]图6为本申请实施例提供的夹持部的结构示意图。
[0030]图标：100
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半导体焊接装置；10
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夹持部；20
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供电部；30
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待焊接半导体；40
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校准部；210
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供电层；220
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短接层；2110
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第一电极；2120
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第二电极；2210
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短接导体；2220
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第三电极；2230
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第四电极；410
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校准光源；420
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半波片；430
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偏振分光棱镜；440
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慢轴准直柱面镜；450
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光屏；110
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螺纹杆；120
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螺纹通孔。
具体实施方式
[0031]正如
技术介绍
中所记载的，现有技术无法解决半导体焊接时的高温与半导体自身需要电流进行发光校准的矛盾。
[0032]针对现有技术所存在的问题，均是专利技术人在经过实践并仔细研究后得出的结果，因此，上述问题的发现过程以及下文中本专利技术实施例针对上述问题所提出的解决方案，都应该是专利技术人在专利技术过程中做出的贡献。
[0033]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0034]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0036]在本专利技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体焊接装置，其特征在于，所述半导体焊接装置包括夹持部和供电部；所述夹持部用于固定待焊接半导体，并调整所述待焊接半导体的位置；所述供电部包括供电层和短接层，所述待焊接半导体在焊接过程中先后与所述供电层、短接层电连接；所述供电层用于为所述待焊接半导体提供工作电流；所述短接层用于使所述待焊接半导体短接。2.根据权利要求1所述的半导体焊接装置，其特征在于，所述供电层包括第一电极和第二电极，所述待焊接半导体的正负极引脚在焊接过程中首先分别与所述第一电极、所述第二电极电连接，所述第一电极和所述第二电极为所述待焊接半导体提供工作电流，所述待焊接半导体向所述短接层移动的过程中，所述正负极引脚始终与所述第一电极、第二电极电连接。3.根据权利要求2所述的半导体焊接装置，其特征在于，所述短接层为金属层，所述待焊接半导体的正负极引脚与所述金属层电连接时，所述待焊接半导体被短接。4.根据权利要求2所述的半导体焊接装置，其特征在于，所述短接层包括短接导体，所述短接导体设置与所述待焊接半导体的正负极引脚之间，所述待焊接半导体的正负极引脚均与所述短接导体连接时，所述待焊接半导体被短接。5.根据权利要求4所述的半导体焊接装置，其特征在于，所述短...

【专利技术属性】
技术研发人员：张义威，文少剑，黄海翔，刘猛，刘健，黄治家，
申请(专利权)人：深圳市杰普特光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：