静电防护电路及电子装置制造方法及图纸

一种静电防护电路，其连接至功率装置的第一端点及第二端点，其中静电防护电路经配置以允许功率装置之第一端点及第二端点之间的双向静电保护，且其中功率装置包含横向高电子迁移率晶体管，其中静电防护电路进一步包含第一晶体管及第一电容器。第一晶体管具有一源极、一栅极、及一漏极，其中第一晶体管之源极连接至功率装置的第一端点，且第一晶体管之栅极连接至第一晶体管之漏极，其中功率装置的第一端点为横向高电子迁移率晶体管之一栅极。第一电容器连接于第一晶体管之漏极及功率装置的第二端点之间，其中功率装置的第二端点为横向高电子迁移率晶体管之一漏极。电子迁移率晶体管之一漏极。电子迁移率晶体管之一漏极。

【技术实现步骤摘要】
静电防护电路及电子装置
本申请是2019年5月15日提交的题为“静电防护电路及电子装置”的中国专利申请201910406827.5的分案申请。


[0001]本揭露系关于一静电防护电路及电子装置，特别系关于具有III
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V族高电子迁移率晶体管之静电防护电路及电子装置。

技术介绍

[0002]直接能隙(direct bandgap)半导体之组件，例如包括三五族材料或III
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V族化合物(Category:III
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V compounds)之半导体组件，由于其特性而可在多种条件或环境(例如不同电压、频率)下操作(operate)或运作(work)。
[0003]上述半导体组件可包括异质接面双极晶体管(heterojunction bipolar transistor，HBT)、异质接面场效晶体管(heterojunction field effect transistor，HFET)、高电子迁移率晶体管(high
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electron
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电防护电路，其特征在于，其连接至一功率装置的一第一端点及一第二端点，其中所述静电防护电路经配置以允许所述功率装置之所述第一端点及所述第二端点之间的双向(bilateral)静电保护，且其中所述功率装置包含横向高电子迁移率晶体管(high
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electron
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mobility transistor，HEMT)，其中所述静电防护电路进一步包含：一第一晶体管(M6)，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第一晶体管之源极连接至所述功率装置的所述第一端点，且所述第一晶体管之栅极连接至所述第一晶体管之漏极，其中所述功率装置的所述第一端点为所述横向高电子迁移率晶体管之一栅极；及一第一电容器(C1)，连接于所述第一晶体管之漏极及所述功率装置的所述第二端点之间，其中所述功率装置的所述第二端点为所述横向高电子迁移率晶体管之一漏极。2.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，其进一步包含：一第二晶体管，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第二晶体管之源极连接至所述第一晶体管之漏极，且所述第二晶体管之栅极连接至所述第二晶体管之漏极；及一第三晶体管，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第三晶体管之源极连接至所述第二晶体管之漏极，且所述第三晶体管之栅极连接至所述第三晶体管之漏极。3.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，其进一步包含：一第一电阻器(R3)，连接于所述第一电容器(C1)及所述第一晶体管之漏极之间。4.一种静电防护电路，其特征在于，其连接至一功率装置的一第一端点及一第二端点，其中所述静电防护电路经配置以允许所述功率装置之所述第一端点及所述第二端点之间的双向(bilateral)静电保护，且其中所述功率装置包含横向高电子迁移率晶体管(high
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electron
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mobility transistor，HEMT)，其中所述静电防护电路进一步包含：一第一晶体管(M8)，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第一晶体管之源极连接至所述功率装置的所述第一端点(S)，且所述第一晶体管之栅极连接至所述第一晶体管之漏极，其中所述功率装置的所述第一端点为所述高电子迁移率晶体管之一源极；一第二晶体管(M7)，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第二晶体管之源极连接至所述功率装置的所述第一端点(S)，且所述第二晶体管之栅极连接至所述第一晶体管之漏极，且所述第二晶体管之漏极连接至所述功率装置的所述第二端点(D)，其中所述功率装置的所述第二端点为所述横向高电子迁移率晶体管之一漏极；一第三晶体管(M11
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Mn)，其特征在于，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第六晶体管之漏极连接至所述功率装置的所述第二端点(D)；及一第一电阻器(R2)，连接于所述第六晶体管之源极及所述功率装置的所述第一端点(S)之间。5.根据权利要求4所述的静电防护电路，其特征在于，其进一步包含：一第四晶体管(M2)，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第四晶体管之源极连接至所述第四晶体管(M8)之漏极，且所述第四晶体管之栅极连接至所述第三晶体管(M11
…
Mn)之源极；一第五晶体管(M6)，其具有一源极、一栅极、及一漏极，其中所述第五晶体管之源极连接至所述功率装置的第三端点(G)，且所述第五晶体管之栅极连接至所述第五晶体管之漏极，其中所述功率装置的所述第三端点为所述高电子迁移率晶体管之一栅极；及一第二电阻器(R3)，连接于所述第六晶体管(M2)之漏极及第五晶体管(M6)之漏极之
间。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：管要宾，盛健健，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：