【技术实现步骤摘要】
静电防护结构、薄膜晶体管基板及显示面板
[0001]本专利技术涉及一种静电防护结构、薄膜晶体管基板及显示面板。
技术介绍
[0002]静电是普遍存于自然界中的现象,当两个介电常数(Dielectric constant)不同的材料介质相互磨擦时,静电便会伴随产生。当带有静电的物体释放静电后回归到中性状态,这种静电释放的现象称之为静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)。
[0003]在显示面板中,静电防护结构的基本功能是将面板内的静电引导至像素矩阵外,以防止静电瞬间放电电流击伤像素矩阵区的薄膜晶体管元件,以免造成面板显示不良的现象。随着市场对面板边框宽度要求越来越窄,因而,兼顾静电防护作用与满足窄边框设计的显示面板的静电防护结构更能符合市场需求。
技术实现思路
[0004]鉴于此,有必要提供一种静电防护结构,用以释放显示面板上的静电,所述静电防护结构在具备静电放电功能的同时,有利于减少所述静电防护结构在显示面板上占用的空间。
[0005]本专利技术一方面提供一种静电防 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电防护结构,用于对功能电路进行静电释放,所述功能电路包括多条信号线,其特征在于,包括:放电电极以及与所述放电电极电性连接的多个静电防护单元;每一个静电防护单元包括第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极与第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极与第二漏极,所述第一栅极与所述第一漏极电性连接且两者电性连接至一所述信号线,所述第一源极与所述第二漏极电性连接,所述第一漏极与所述第二源极电性连接,所述第二栅极与所述放电电极电性连接,所述第二栅极与所述第二漏极电性连接;两个相邻的静电防护单元的所述第二漏极电性连接,且该两个相邻的静电防护单元的所述第二栅极与所述第二漏极通过同一个桥接结构电性连接。2.如权利要求1所述的静电防护结构,其特征在于,每一个静电防护单元的所述第二栅极复用所述放电电极的一部分。3.如权利要求1所述的静电防护结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管为同一类型的晶体管,通过所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管释放所述信号线上的正电荷或负电荷至所述放电电极。4.一种薄膜晶体管基板,具有显示区与围绕所述显示区设置的非显示区,其特征在于,所述薄膜晶体管基板包括:衬板;以及如权利要求1至3任意一项所述的静电防护结构,所述静电防护结构设置于所述衬板上且位于所述非显示区。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管基板还包括位于所述衬板上的图案化的第一金属层、覆盖所述第一金属层的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的图案化的第二金属层以及覆盖所述第二金属层的第二绝缘层;该两个相邻的静电防护单元的所述第二栅极电性连接且均由图案化的所述第一金属层形成,且该两个相邻的静电防护单元的所述第二漏极电性连接且均由图案化的所述第二金属层形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖晟,许琪,王涛,张亚珂,柳智忠,戴孟杰,
申请(专利权)人:深超光电深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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