一种晶体管网格状绕线的方法技术

本发明专利技术提供一种晶体管网格状绕线的方法，过程包括：选取若干待绕线晶体管；基于所述若干待绕线晶体管的数量及需绕线管脚分配端绕线区；进行预定义，定义内容包括金属层数量、每层金属层中金属线的线宽与间隙大小；根据所述金属层数量、所述线宽与所述间隙大小，在所述端绕线区填充相应的金属线；将所述需绕线管脚延伸线的方向设为水平方向，将填充的金属线中竖直方向的金属线延伸，直至与需绕线管脚延伸线相交连接；和/或将填充的金属线延伸至其所在金属层的边缘后，通过设置连接结构与需绕线管脚延伸线相互连接。本发明专利技术的方法能实现晶体管网络状自动绕线，极大简化了绕线过程，在不同的工艺、客户、制造方法上能重复使用，适用范围广，应用潜力大。应用潜力大。应用潜力大。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管网格状绕线的方法


[0001]本专利技术属于半导体设计与生产领域，尤其涉及一种晶体管网格状绕线的方法。

技术介绍

[0002]晶体管是集成电路的基本单元，是半导体芯片普遍应用的器件。随着集成电路的广泛应用，对集成度的要求越来越高，集成度越高，各种电子元件越微型化，晶体管的性能对集成电路的影响也就越显著。在晶体管的生产过程中，影响其性能的因素多种多样，需要完成晶体管不同类型的测试以保证晶体管的性能良好。在晶体管测试阶段，一般需要分别对源极（S）、漏极（D）、栅极（G）、衬底极（B）进行加压，从而实现不同类型的测试。但是由于D、G、S、B四端到管脚（Pin）之间的绕线存在一定的电阻，因此加压端到测试端会存在一定的压降，导致测试结果可能会存在偏差。为了降低绕线电阻，通常使用网格状绕线，一般是金属层交错并联。
[0003]传统的网格状绕线有两种类型，均是通过人工手动绕线。第一种是在大面积的金属层中挖孔，形成网格以降低绕线电阻，如图1所示；第二种是将多层的多条金属线通过通孔实现交错连接，形成密集的网格降低电阻，如图2所示。随着集成电路技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管网格状绕线的方法，其特征在于：过程包括：选取若干待绕线晶体管，所述待绕线晶体管包括源极端、漏极端、栅极端、衬底极端；基于所述若干待绕线晶体管的数量及需绕线管脚分配端绕线区；进行预定义，定义内容包括金属层数量、每层金属层中金属线的线宽与间隙大小；根据所述金属层数量、所述线宽与所述间隙大小，在所述端绕线区填充相应的金属线；将所述需绕线管脚延伸线的方向设为水平方向，将填充的金属线中竖直方向的金属线延伸，直至与需绕线管脚延伸线相交连接；或/和将填充的金属线延伸至其所在金属层的边缘后，通过设置连接结构与需绕线管脚延伸线相互连接。2.根据权利要求1所述的一种晶体管网格状绕线的方法，其特征在于：所述若干待绕线晶体管的数量为多个时，为每个所述待绕线晶体管分配大小相同的晶体管绕线区。3.根据权利要求1所述的一种晶体管网格状绕线的方法，其特征在于：所述填充相应的金属线后，同一个所述端绕线区内位于同一金属层的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁天浩，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：