一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备两个压敏电阻，且在敏感薄膜厚度方向上两组压敏电阻完全重合，并且同一表面的两个压敏电阻分别正对敏感薄膜一组相对边缘的中心位置；敏感薄膜下表面的两个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接，金属引线上设有绝缘层；四个压敏电阻之间采用惠斯通电桥方式连接。本发明专利技术中两组压敏电阻沿敏感薄膜厚度方向垂直分布，且两组压敏电阻在水平方向上均沿同一方向排布，结构具有高度的对称性，解决了压阻排布的不对称性导致传感器输出精度降低的问题。输出精度降低的问题。输出精度降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种MEMS(Micro
‑
Electro
‑
MechanicalSystem，微机电系统)压阻式压力传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]压力传感器可以将压力信号转化为电信号从而便于测量，它在工业控制、航空航天、汽车电子等领域应用广泛。基于MEMS技术制造的压力传感器具有体积小、精度高、易集成等优点。MEMS压力传感器包括压阻式压力传感器、电容式压力传感器和压电式压力传感器等，其中压阻式压力传感器具有良好的线性度和可靠性，因此成为了最为常见的一种压力传感器。典型的压阻式压力传感器是在敏感薄膜边缘通过扩散或离子注入的方式制作四个压敏电阻，四个压敏电阻经过合理的排布和互联构成惠斯通电桥。当有外力作用使薄膜发生形变时，压敏电阻的阻值在应力作用下发生改变，经过惠斯通电桥转化为相应的电信号输出。
[0003]目前，传统的MEMS压阻式压力传感器的四个压敏电阻通常位于敏感薄膜的同一平面内，同时为了实现灵敏度最大化，压敏电阻通常位于敏感薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括第一衬底（1），第一衬底（1）下方设有第二衬底（8），所述第二衬底（8）上表面中央设有空腔（9），所述空腔（9）上方正对的所述第一衬底（1）部分形成敏感薄膜（10）；在所述第一衬底（1）下表面设置两个第一压敏电阻（4），两个第一压敏电阻（4）分别正对所述空腔（9）的一组相对边缘的中心位置；在所述第一衬底（1）的上表面设置两个第二压敏电阻（11），在沿所述敏感薄膜（10）厚度方向上，两个第二压敏电阻（11）分别同下表面的两个第一压敏电阻（4）完全重合；所述第一衬底（1）上表面设有电极层（13），两个第二压敏电阻（11）的两端分别与对应的电极层（13）电连接，两个第一压敏电阻（4）的两端分别通过金属引线与对应的电极层（13）电连接，所述金属引线上设有绝缘层；位于所述第一衬底（1）上表面和下表面的四个压敏电阻之间采用惠斯通电桥方式连接。2.根据权利要求1所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述金属引线由位于所述第一衬底（1）下方的引线层（6）以及垂直穿过所述第一衬底（1）的金属填充层（5）连接构成。3.根据权利要求1所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述第一衬底（1）的上表面还覆盖有一层绝缘层（12）。4.根据权利要求3所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述引线层（6）与第一衬底（1）下表面之间的绝缘层（3）的厚度和材料均与所述第一衬底（1）上表面的绝缘层（12）相同。5.根据权利要求1
‑
3任一所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓东，张志强，兰之康，秦明，黄见秋，韩磊，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：