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一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法技术
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文档序号:32458345
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本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法,在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备两个压敏电阻,且在敏感薄膜厚度方向上两组压敏电阻完全重合,并且同一表面的两个压敏电阻分别正对敏感薄膜一组相对边缘的中心位置;敏感薄膜下表面的两个压敏电阻...
该专利属于东南大学所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学授权不得商用。
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