【技术实现步骤摘要】
一种同步整流控制方法、电路、装置、设备及存储介质
[0001]本专利技术实施例涉及同步整流
，尤其涉及一种同步整流控制方法、电路、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]在低压大电流输出的应用场合中，LLC谐振变换器因具有软开关特性而得到广泛应用。通过合理的设计，LLC变换器的变压器原边开关管能够实现ZVS开通，副边整流二极管能够实现ZCS关断，能够有效降低损耗，提升效率；在此基础上，变压器副边整流器的损耗成为了LLC变换器的主要损耗，极大地限制了LLC变换器效率的提升；为解决整流器损耗大的问题，当前较多的是采用同步整流技术。
[0003]现有技术中，同步整流控制方法主要分为硬件控制方案和软件控制方案两种。硬件控制方案大致包括两种，一种是使用驱动IC，一种是传统自驱动电路。使用驱动IC的控制方案受驱动芯片规格限制，调节受限，控制效果受限。传统自驱动电路，其将副边整流管漏极连接到另一路整流管栅极，以VDS作为另一路的驱动信号，其结构太过于简单，未包含任何保护逻辑电路，可靠性较低；或者使用电压偏置电路作为整流...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种同步整流控制方法，其特征在于，包括：获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略，包括：在所述第一状态为导通且所述第二状态为导通；或，所述第一状态为关断且所述第二状态为关断时，所述控制策略为第一控制策略；在所述第一状态为导通且所述第二状态为关断时所述控制策略为第二控制策略；在所述第一状态为关断且所述第二状态为导通时所述控制策略为第三控制策略。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，包括：基于所述第一控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第二控制策略控制所述第一MOS管导通，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第三控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管导通。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，包括：将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，所述第一比较器输出高电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为导通；当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第一比较器输出低电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为关断。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态，包括：将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端；将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果；当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压小于所述参考电压时，所述第二比较器输出高电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为导通；当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第二比较器输出低电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为关断。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：判断同步整流控制模式是否开启，当所述同步整流控制模式未开启时，控制所述同步整流控制模式开启，并控制所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：宇文超敏，宋泽琳，颜权枫，雷龙，翟志伟，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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