一种暗场图像还原方法、系统、存储介质及电子设备技术方案

本发明专利技术涉及平板探测器领域，尤其涉及一种暗场图像还原方法、系统、存储介质及电子设备。该方法包括：剔除样本图像中预设的本底图像Img0，得到图像Img2；若图像Img2满足预设条件，则对图像Img2中的像素进行划分，得到亮场像素以及暗场像素；基于图像Img2中的暗场像素对应的第一漏电流图像以及预设的漏电流图像Img1，经还原处理得到图像Img2中的亮场像素对应的第二漏电流图像；对第一漏电流图像以及第二漏电流图像进行还原处理，得到图像Img2对应的漏电流图像Img3；对漏电流图像Img3进行还原处理得到图像Img2的暗场图像Img4。通过本发明专利技术可以达到提高了暗场图像的准确度的效果。达到提高了暗场图像的准确度的效果。达到提高了暗场图像的准确度的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种暗场图像还原方法、系统、存储介质及电子设备


[0001]本专利技术涉及平板探测器领域，尤其涉及一种暗场图像还原方法、系统、存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]平板探测器由于制作工艺误差，不同像素间通常会存在一定的偏置和增益差异，为了避免平板探测器自身像素差异对测量的影响，通常在亮场测量时需要对平板探测器进行偏置及增益校正以消除探测器本身的物理特性差异。
[0003]偏置模板的生成由暗场图像得到，暗场图像由2部分组成：一部分是由平板探测器物理特性决定的的本底图像，其几乎不随外界条件变化；另一部分是漏电流引入的漏电流图像，其与温度与曝光时间直接相关。目前部分厂家基于温度在时间上不会剧烈变化的假设，仅在亮场测试前/后采集某一曝光时间下的暗场图像生成偏置模板进行校正，但由于亮场测量时温度或曝光时间的变化，此种方法生成的偏置模板准确性及实时性不高，仅能适用于对漏电流不敏感的场合。还有部分厂家通过预测试不同曝光时间、不同温度下的暗场图像得到暗场图像与曝光时间、温度的对应关系，在亮场采集时通过读取曝光时间以及温度还原得到实时的暗场图像，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平板探测器暗场图像还原方法，其特征在于，包括：步骤1，剔除样本图像中预设的本底图像Img0，得到图像Img2；步骤2，若所述图像Img2满足预设条件，则对所述图像Img2中的像素进行划分，得到亮场像素以及暗场像素；步骤3，基于所述图像Img2中的暗场像素对应的第一漏电流图像以及预设的漏电流图像Img1，经处理得到所述图像Img2中的亮场像素对应的第二漏电流图像；步骤4，对所述第一漏电流图像以及所述第二漏电流图像进行组合处理，得到所述图像Img2对应的漏电流图像Img3；步骤5，对所述漏电流图像Img3进行还原处理得到所述图像Img2的暗场图像Img4。2.根据权利要求1所述的一种平板探测器暗场图像还原方法，其特征在于，所述对所述图像Img2中的像素进行划分，包括：将所述图像Img2和所述预设的漏电流图像Img1中每个互相对应位置的像素的漏电流值进行比较,当任一比较得到的值超过阈值时，则判定对应的像素为亮场像素，否则,则判定对应的像素为暗场像素；或，通过预设的对应关系图，将所述图像Img2转换为温度分布图，基于所述温度分布图对所述图像Img2中的像素进行划分，其中，所述对应关系图为第三漏电流图像与温度的对应关系图。3.根据权利要求2所述的一种平板探测器暗场图像还原方法，其特征在于，所述经还原处理得到所述图像Img2中的亮场像素对应的第二漏电流图像，包括：通过第一公式得到所述图像Img2中任一亮场像素P1对应的漏电流值img2_p1，所述第一公式为：其中，img1_p1为：所述任一亮场像素P1在所述预设的漏电流图像Img1中所对应的漏电流值；img1_p2为：所述任一暗场像素P2在所述预设的漏电流图像Img1中所对应的漏电流值；img2_p2为：任一暗场像素P2在所述图像Img2中所对应的漏电流值；将所述图像Img2中每个亮场像素对应的漏电流值整合，得到所述第二漏电流图像；或，基于所述温度分布图，将所述图像Img2中亮场像素的温度值代入反推图像Img2中亮场像素的漏电流值，将所有所述图像Img2中亮场像素的漏电流值整合，得到所述第二漏电流图像。4.根据权利要求1所述的一种平板探测器暗场图像还原方法，其特征在于，所述步骤4包括：将所述第一漏电流图像每个像素的漏电流值以及所述第二漏电流图像中每个像素的漏电流值组合，生成所述图像Img2对应的漏电流图像Img3。5.根据权利要求1所述的一种平板探测器暗场图像还原方法，其特征在于，所述步骤5包括：将所述漏电流图像Img3与所述本底图像Img0进行叠加处理，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光，李柳丹，罗杰，赵世强，
申请(专利权)人：成都善思微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：