Ag合金溅射靶制造技术

该Ag合金溅射靶由包含Ge和In的Ag合金构成，且利用舍勒方程式求出的微晶直径为以下。所述Ag合金优选为如下组成：在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质。剩余部分为Ag及不可避免的杂质。剩余部分为Ag及不可避免的杂质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Ag合金溅射靶


[0001]本专利技术涉及一种在进行包含In及Ge的Ag合金的薄膜的成膜时使用的Ag合金溅射靶。
[0002]本申请主张基于2020年5月29日于日本申请的专利申请2020
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094256号的优先权，并将该内容援用于此。

技术介绍

[0003]通常，由于Ag膜或Ag合金膜的光学特性及电特性优异，因此被用作各种部件的反射膜及导电膜，比如显示器或LED等的反射电极膜、触摸面板等的配线膜等。
[0004]例如，在专利文献1中，公开有使用Ag合金作为有机EL元件的反射电极的构成材料。
[0005]在专利文献2中，公开有使用各种Ag合金作为设置于光存储介质、显示器等的反射膜。
[0006]在专利文献3中，公开有在反射型LCD用反射板、反射配线电极、薄膜、光学存储介质、电磁波屏蔽体、电子部件用金属材料、配线材料、电子部件、电子设备、电子光学部件、层叠体及建筑材料玻璃等中，使用各种Ag合金膜。
[0007]并且，在专利文献4中，公开有使用各种Ag合金膜作为液晶显示器等显示器或者LED(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种Ag合金溅射靶，其特征在于，由包含Ge和In的Ag合金构成，且利用舍勒方程式求出的微晶直径为以下。2.根据权利要求1所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，所述Ag合金为如下组成：在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge，且剩余部...

【专利技术属性】
技术研发人员：林雄二郎，小见山昌三，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：