用于制作光转换层的方法和装置制造方法及图纸

本申请涉及显示技术领域，公开了一种用于制作光转换层的方法，包括：在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；在发光单元层的未被掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。本申请提供的用于制作光转换层的方法，能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。本申请还公开了一种用于制作光转换层的装置。本申请还公开了一种用于制作光转换层的装置。本申请还公开了一种用于制作光转换层的装置。

【技术实现步骤摘要】
用于制作光转换层的方法和装置


[0001]本申请涉及显示
，例如涉及一种用于制作光转换层的方法和装置。

技术介绍

[0002]在显示领域，目前通常使用到光转换层，以对显示进行支持。
[0003]在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
[0004]尚未出现能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑的工艺，不利于光转换层正常发挥功能，影响光转换效果。

技术实现思路

[0005]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0006]本公开实施例提供了一种用于制作光转换层的方法和装置，以解决尚未出现能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑的工艺，不利于光转换层正常发挥功能，影响光转换效果的技术问题。
[0007]本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法，包括：
[0008]在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；
[0009]在发光单元层的未被掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。
[0010]在一些实施例中，设置掩膜图形，可以包括：
[0011]在发光单元层设置掩膜层，对掩膜层进行处理以形成掩膜图形。
[0012]在一些实施例中，在发光单元层的透光区域设置掩膜图形，可以包括：
[0013]在发光单元层的部分或全部透光区域设置掩膜图形。
[0014]在一些实施例中，掩膜图形还可以覆盖发光单元层的部分不透光区域。
[0015]在一些实施例中，对掩膜层进行处理以形成掩膜图形，可以包括：
[0016]去除掩膜层中不用于形成掩膜图形的部分。
[0017]在一些实施例中，设置掩膜图形，可以包括：
[0018]在发光单元层的出光面设置掩膜图形。
[0019]在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
[0020]通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷的方式设置金属栅格结构。
[0021]在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
[0022]通过电镀的方式设置金属栅格结构。
[0023]在一些实施例中，在设置掩膜图形之前，还可以在发光单元层设置电镀种子层。可选地，在设置掩膜图形之后，还可以在发光单元层的未被掩膜图形覆盖的区域设置电镀种子层。
[0024]在一些实施例中，在设置掩膜图形之前设置电镀种子层的情况下，在电镀金属栅格结构之后，还可以去除电镀种子层的未电镀有金属栅格结构的部分。
[0025]在一些实施例中，还可以在金属栅格结构设置覆盖层。
[0026]在一些实施例中，在金属栅格结构设置覆盖层，可以包括：
[0027]在金属栅格结构的表面设置覆盖层。
[0028]在一些实施例中，设置覆盖层，可以包括：
[0029]设置疏水层、亲水层、隔离层中至少之一。
[0030]在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
[0031]将金属栅格结构设置于掩膜图形的间隙中。
[0032]在一些实施例中，掩膜图形可以包含光转换材料。可选地，还可以对掩膜图形进行固化处理。
[0033]在一些实施例中，还可以：去除掩膜图形；在金属栅格结构设置光转换材料。
[0034]在一些实施例中，设置光转换材料，可以包括：
[0035]将光转换材料设置于金属栅格结构的间隙中。
[0036]本公开实施例提供的用于制作光转换层的装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，处理器被配置为在执行程序指令时，执行上述的用于制作光转换层的方法。
[0037]本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法和装置，可以实现以下技术效果：
[0038]能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
[0039]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0040]至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
[0041]图1A是本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法的流程示意图；
[0042]图1B、图1C、图1D是本公开实施例提供的用于制作光转换层的原理示意图；
[0043]图2是本公开实施例提供的设置掩膜图形的原理示意图；
[0044]图3是本公开实施例提供的设置掩膜图形的另一原理示意图；
[0045]图4是本公开实施例提供的设置掩膜图形的另一原理示意图；
[0046]图5是本公开实施例提供的设置掩膜图形的另一原理示意图；
[0047]图6A、图6B、图6C是本公开实施例提供的设置电镀种子层的原理示意图；
[0048]图7是本公开实施例提供的设置电镀种子层的另一原理示意图；
[0049]图8是本公开实施例提供的设置覆盖层的原理示意图；
[0050]图9A、图9B是本公开实施例提供的设置覆盖层的另一原理示意图；
[0051]图10是本公开实施例提供的设置金属栅格结构的原理示意图；
[0052]图11是本公开实施例提供的用于制作光转换层的另一原理示意图；
[0053]图12是本公开实施例提供的用于制作光转换层的另一原理示意图；
[0054]图13是本公开实施例提供的设置光转换材料的原理示意图；
[0055]图14是本公开实施例提供的用于制作光转换层的装置的结构示意图。
[0056]附图标记：
[0057]110：发光单元层；111：发光单元；112：发光单元光隔离结构；113：透光区域；114：不透光区域；120：掩膜图形；130：金属栅格结构；140：掩膜层；X：出光面；150：电镀种子层；160：覆盖层；161：光吸收层；163：光反射层；170：间隙；180：间隙；190：光转换材料；200：用于制作光转换层的装置；210：处理器；220：存储器；230：通信接口；240：总线。
具体实施方式
[0058]为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与
技术实现思路
，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
[0059]参见图1A，本公开实施例提供了一种用于制作光转换层的方法，包括：
[0060]S110：在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；
[0061]S120：在发光单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制作光转换层的方法，其特征在于，包括：在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；在所述发光单元层的未被所述掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述掩膜图形，包括：在所述发光单元层设置掩膜层，对所述掩膜层进行处理以形成所述掩膜图形。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在发光单元层的透光区域设置掩膜图形，包括：在所述发光单元层的部分或全部透光区域设置所述掩膜图形。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜图形还覆盖所述发光单元层的部分不透光区域。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述掩膜层进行处理以形成所述掩膜图形，包括：去除所述掩膜层中不用于形成所述掩膜图形的部分。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述掩膜图形，包括：在所述发光单元层的出光面设置所述掩膜图形。7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，设置所述金属栅格结构，包括：通过物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷的方式设置所述金属栅格结构。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，设置所述金属栅格结构，包括：通过电镀的方式设置所述金属栅格结构。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：在设置所述掩膜图形之前，在所述发光单元层设置电镀种子层；或在设置所述掩膜图形之后，在所述发光单元层的未被所...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾铁成，刁鸿浩，
申请(专利权)人：视觉技术创投私人有限公司，
类型：发明
国别省市：