提供了发光元件、所述发光元件的制造方法和显示装置。所述发光元件包括：第一半导体层；第二半导体层；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；绝缘膜，至少围绕活性层的侧表面；以及波长转换材料，设置在绝缘膜上的至少一部分上，其中，发射到外部的光和从活性层发射的光具有不同的中心波段。层发射的光具有不同的中心波段。层发射的光具有不同的中心波段。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件、发光元件的制造方法以及显示装置
[0001]公开涉及发光元件、发光元件的制造方法以及显示装置。
技术介绍
[0002]显示装置的重要性随着多媒体的发展而增加。因此，正在使用各种类型的显示装置，诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置。
[0003]诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板是包括在显示装置中以显示图像的器件。在这样的显示面板之中，发光元件可以包括在发光显示面板中，并且发光二极管(LED)的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
技术实现思路
[0004]技术问题
[0005]公开的方面提供了包括相同的活性层但发射不同的光的发光元件以及制造发光元件的方法。
[0006]公开的方面还提供了可以通过包括上述发光元件来显示各种颜色的光的显示装置。
[0007]应该注意的是，公开的方面不限于此，并且根据以下描述，在这里未提及的其它方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
[0008]技术方案
[0009]根据公开的实施例，发光元件包括：第一半导体层和第二半导体层；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；绝缘膜，围绕至少活性层的侧表面；以及波长转换材料，设置在绝缘膜的至少一部分上，其中，发射到外部的光和从活性层发射的光具有不同的中心波段。
[0010]活性层可以发射第一光，第一光的中心波段是第一波长，并且波长转换材料可以将第一光转换成第二光，第二光的中心波段是第二波长。
[0011]其中波长转换材料设置在绝缘膜上的区域可以至少与活性层叠置。
[0012]第一光的中心波段可以在450nm至495nm的范围内，并且波长转换材料可以包括量子点材料。
[0013]第二光的中心波段可以在495nm至570nm或620nm至750nm的范围内。
[0014]第一半导体层、活性层和第二半导体层可以沿着第一方向顺序地设置，并且从波长转换材料发射的光的至少一部分可以在与第一方向不同的方向上行进。
[0015]发光元件还可以包括设置在绝缘膜上并使入射光散射的散射体。
[0016]发光元件还可以包括设置在第二半导体层上的电极层，其中，绝缘膜可以围绕电极层的外表面的至少一部分。
[0017]发光元件还可以包括结合到绝缘膜的配体，其中，波长转换材料可以结合到配体。
[0018]根据公开的实施例，一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：准备下基底和半导体棒，半导体棒形成在下基底上并且包括半导体晶体和形成在半导体晶体的外表面上的绝缘膜；以及在绝缘膜上形成波长转换材料并将半导体棒与下基底分离。
[0019]半导体晶体可以包括第一半导体层和第二半导体层以及设置在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层，并且从活性层发射的光和发射到波长转换材料之外的光具有不同的中心波段。
[0020]在分离半导体棒的步骤中，可以在半导体棒与下基底分离之后将波长转换材料附着在绝缘膜上。
[0021]半导体棒还可以包括结合到绝缘膜的配体，并且波长转换材料结合到配体。
[0022]根据公开的实施例，显示装置包括第一像素和第二像素，第一像素和第二像素均包括：基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在基底上并与第一电极间隔开；以及发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，发光元件均包括：第一半导体层和第二半导体层；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；绝缘膜，围绕至少活性层的侧表面；以及波长转换材料，设置在绝缘膜的至少一部分上，并且发光元件可以包括其中从活性层发射的光和发射到发光元件之外的光相同的第一发光元件和其中从活性层发射的光和发射到发光元件之外的光具有不同的中心波段的第二发光元件。
[0023]第一发光元件和第二发光元件中的每个的活性层可以发射第一光，第一光的中心波段是第一波长，第一发光元件可以设置在第一像素中，并且第二发光元件可以包括第一波长转换材料并且设置在第二像素中。
[0024]第一光的中心波段可以在450nm至495nm的范围内，并且波长转换材料可以包括量子点材料。
[0025]第一波长转换材料可以将第一光转换成第二光，第二光的中心波段是与第一波长不同的第二波长。
[0026]第一发光元件和第二发光元件中的每个还可以包括设置在绝缘膜上并使入射光散射的散射体。
[0027]显示装置还可以包括第三像素，其中，发光元件还可以包括第三发光元件，第三发光元件设置在第三像素中并且包括第二波长转换材料。
[0028]第三发光元件的活性层可以发射第一光，并且第二波长转换材料可以将第一光转换成第三光，第三光的中心波段是不同于第一波长和第二波长的第三波长。
[0029]其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
[0030]有益效果
[0031]根据实施例的发光元件可以均包括波长转换材料，波长转换材料转换从活性层发射的光，并且可以发射具有与从活性层发射的光的中心波段不同的中心波段的光。发光元件可以包括发射相同的光的活性层，但是可以根据波长转换材料的类型向外部发射不同的光。
[0032]因此，根据实施例的显示装置可以通过包括具有相同的活性层但发射不同的光的上述发光元件来显示各种颜色的光。
[0033]根据实施例的效果不受上面例示的内容限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
[0034]图1是根据实施例的发光元件的示意性透视图。
[0035]图2是图1的部分A的放大图。
[0036]图3是示出从根据实施例的发光元件发射的光的示意图。
[0037]图4是示出设置在电极上的根据实施例的发光元件的示意性剖视图。
[0038]图5至图11是示出根据实施例的制造发光元件的方法的示意图。
[0039]图12是示出根据另一实施例的制造发光元件的方法的一部分的示意图。
[0040]图13和图14是示出根据另一实施例的制造发光元件的方法的一部分的示意图。
[0041]图15是根据另一实施例的发光元件的绝缘膜的放大示意图。
[0042]图16是示出从图15的发光元件发射的光的示意图。
[0043]图17是根据另一实施例的发光元件的绝缘膜的放大示意图。
[0044]图18是根据另一实施例的发光元件的示意图。
[0045]图19是根据实施例的显示装置的示意图。
[0046]图20是根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图。
[0047]图21是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
[0048]图22是沿着图20的线Xa
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Xa'、线Xb
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Xb'和线Xc
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Xc'截取的剖视图。
[0049]图23是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
[0050]图24是根据另一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，所述发光元件包括：第一半导体层和第二半导体层；活性层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；绝缘膜，围绕至少所述活性层的侧表面；以及波长转换材料，设置在所述绝缘膜的至少一部分上，其中，发射到外部的光和从所述活性层发射的光具有不同的中心波段。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述活性层发射第一光，所述第一光的中心波段是第一波长，并且所述波长转换材料将所述第一光转换成第二光，所述第二光的中心波段是第二波长。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，其中所述波长转换材料设置在所述绝缘膜上的区域至少与所述活性层叠置。4.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一光的所述中心波段在450nm至495nm的范围内，并且所述波长转换材料包括量子点材料。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述第二光的所述中心波段在495nm至570nm或620nm至750nm的范围内。6.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层沿着第一方向顺序地设置，并且从所述波长转换材料发射的光的至少一部分在与所述第一方向不同的方向上行进。7.根据权利要求6所述的发光元件，所述发光元件还包括设置在所述绝缘膜上并使入射光散射的散射体。8.根据权利要求6所述的发光元件，所述发光元件还包括设置在所述第二半导体层上的电极层，其中，所述绝缘膜围绕所述电极层的外表面的至少一部分。9.根据权利要求2所述的发光元件，所述发光元件还包括结合到所述绝缘膜的配体，其中，所述波长转换材料结合到所述配体。10.一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：准备下基底和半导体棒，所述半导体棒形成在所述下基底上并且包括半导体晶体和形成在所述半导体晶体的外表面上的绝缘膜；以及在所述绝缘膜上形成波长转换材料并将所述半导体棒与所述下基底分离。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体晶体包括第一半导体层和第二半导体层以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层，并且从所述活性层发射的光和发射到所述波长转换材料之外的光具有不同的中心波段。12.根据权利要求11所述的方法，其中，在分离所述半导体棒的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳济源，金大贤，李新兴，林白铉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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