三族氮基半导体晶圆制造技术

一种三族氮基半导体晶圆，其包括具有中央区域以及边缘区域的衬底。可以选择性提供一层或多层中间层，其选自缓冲层、种子层或转换层。边缘特征形成在衬底或转换层的边缘区域中或其上，其具有一层或多层边缘钝化层或边缘纹理化表面。边缘特征仅形成于边缘区域而不形成在中央区域。一层或多层三族氮化物层落在中央区域上方。在中央区域中，三族氮化物层为外延层，而在边缘区域中，三族氮化物层为多晶态层。在三族氮化物层和衬底之间因晶格失配以及热膨胀系数差异所产生的应力得以释放并使缺陷最小化。小化。小化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三族氮基半导体晶圆


[0001]本专利技术总体来说有关于一种三族氮基半导体晶圆。具体而言，本专利技术有关于一种改良的衬底上形成的三族氮化物层，其四周边缘具有特征，可以避免在中央区形成缺陷。

技术介绍

[0002]近年来，人们开始将研究和开发聚焦于可以应用在各种三族氮基器件的三族氮化物半导体材料。三族氮基器件包含了具有异质结构的器件、发光二极管(light emitting diode,LED)以及激光。这些具有异质结构的器件的例子有异质结双极性晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)、异质结场效应晶体管(heterojunction field effect transistor,HFET)、高电子迁移率晶体管(high
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electron
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mobility transistor,HEMT)或调制掺杂场效应晶体管(modulation
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doped FET,MODFET)。此处所述的“三族氮基”或“三族氮化物”意旨氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三族氮基半导体晶圆，其特征在于，包括：晶圆衬底，包括中央区域以及环绕所述中央区域的边缘区域；边缘特征，形成在所述衬底的所述边缘区域中或所述边缘区域上，所述边缘特征包括在所述衬底的所述边缘区域中或所述衬底的所述边缘区域上的一层或多层边缘钝化层或边缘纹理化表面，且所述边缘特征沿著所述边缘区域延伸且不位于所述边缘区域中的所述中央区域中；以及一层或多层三族氮化物层，位于所述中央区域上方以及所述边缘区域上方，使位于所述中央区域上方的部分所述三族氮化物层为外延三族氮化物，且位于所述边缘区域上方的部分所述三族氮化物层为多晶态三族氮化物。2.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，所述衬底为硅。3.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，所述三族氮化物为氮化镓。4.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，还包括一层或多层中间层配置于所述衬底上，并未于所述一层或多层三族氮化物层之下，且所述一层或多层中间层选自一层或多层的缓冲层、种子层或转换层，且至少一所述一层或多层中间层中形成有边缘特征。5.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，位于所述边缘特征以及所述中央区域上方的所述一层或多层三族氮化物层的第一层包括氮化镓。6.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，所述一层或多层钝化层包括氧化物、氮化物或氮氧化合物。7.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，所述纹理化表面包括边缘蚀刻区域。8.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，所述纹理化表面包括边缘微图案区域。9.根据权利要求4所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，所述中间层包括多个分级组合层，以减少所述衬底和所述三族氮化物层之间的晶格失配。10.根据权利要求1所述的三族氮基半导体晶圆，其特征在于，所述衬底的所述中央区域上方的所述一层或多层三族氮化物层中形成有一个或多个半导体器件。11.一种三族氮基半导体晶圆的制造方式，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括中央区域以及环绕所述中央区域的边缘区域；在所述衬底的所述边缘区域中或所述边缘区域上形成边缘特征，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李启珍，汪可，谢文元，李新华，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：