存储器结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。本发明专利技术的存储器结构中焊垫与衬底层之间的寄生电容被减小，有利于提高存储器性能。高存储器性能。高存储器性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种存储器结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]近年来，闪存(Flash Memory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density)，同时减少位成本(Bit Cost)，三维的闪存存储器(3D NAND)技术得到了迅速发展。
[0003]在3D NAND闪存结构中，包括存储阵列结构以及位于存储阵列结构上方的CMOS电路结构，所述存储阵列结构和CMOS电路结构通常分别形成于两个不同的晶圆上，然后通过键合方式，将CMOS电路晶圆键合到存储整列结构上方，将CMOS电路和存储阵列电路连接在一起；然后再将存储阵列结构所在晶圆的背面减薄，通过贯穿背面的接触部和焊垫将整个电路接出。焊垫与晶圆背面之间具有绝缘层，当焊垫和晶圆同时有电流通过时，焊垫与晶圆之间会产生强烈的寄生电容，减慢运本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上方的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构位于所述焊垫区域。3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第一基底还包括所述焊垫区域外的器件区域。4.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构位于所述器件区域。5.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构位于所述焊垫区域与所述器件区域的交界处。6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构还贯穿所述介质层。7.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：第一接触部，所述第一接触部贯穿所述介质层和焊垫区域的衬底层；所述焊垫连接至所述第一接触部。8.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述第一接触部包括金属柱以及位于所述金属柱侧壁表面的绝缘侧墙。9.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构的特征尺寸小于所述第一接触部的特征尺寸。10.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述焊垫在衬底层上的投影与所述隔离结构之间的最小距离为0.5μm。11.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构包括两个以上套嵌设置的隔离环。12.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，相邻隔离环之间的距离为0.8μm～1.2μm。13.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述存储层内形成有第二接触部，所述第一接触部连接至所述第二接触部。14.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：第二基底，所述第二基底内形成有外围电路；所述第二基底键合于所述存储层表面，所述存储层内形成有存储单元和连接所述存储单元的存储电路结构，所述第二基底内的外围电路与所述存储层内的存储电路结构之间形成电连接。15.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，包括衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈赫，董金文，朱继锋，华子群，肖亮，王永庆，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：