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一种三族氮基半导体晶圆,其包括具有中央区域以及边缘区域的衬底。可以选择性提供一层或多层中间层,其选自缓冲层、种子层或转换层。边缘特征形成在衬底或转换层的边缘区域中或其上,其具有一层或多层边缘钝化层或边缘纹理化表面。边缘特征仅形成于边缘区域而...该专利属于英诺赛科(苏州)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺赛科(苏州)科技有限公司授权不得商用。
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一种三族氮基半导体晶圆,其包括具有中央区域以及边缘区域的衬底。可以选择性提供一层或多层中间层,其选自缓冲层、种子层或转换层。边缘特征形成在衬底或转换层的边缘区域中或其上,其具有一层或多层边缘钝化层或边缘纹理化表面。边缘特征仅形成于边缘区域而...