半导体封装件、半导体装置、半导体封装件搭载设备、以及半导体装置搭载设备制造方法及图纸

提供能够提高从半导体芯片的散热性的半导体封装件。模块基板具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面，设置了多个凸块的半导体芯片经由凸块安装于模块基板的上表面。模块基板包含配置于下表面以及内层的至少一方的第一金属膜。第一金属膜与凸块电连接，并且到达模块基板的侧面。金属部件的顶面部以模块基板的上表面为高度的基准配置在比半导体芯片高的位置。顶面部在俯视时包含半导体芯片。金属部件具有从顶面部朝向模块基板延伸的侧面部。侧面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件、半导体装置、半导体封装件搭载设备、以及半导体装置搭载设备


[0001]本专利技术涉及半导体封装件、半导体装置、半导体封装件搭载设备、以及半导体装置搭载设备。

技术介绍

[0002]移动终端等的发送电路的功率放大器使用半导体封装件。半导体封装件包含模块基板、和安装于该模块基板的半导体芯片以及表面安装部件等。半导体芯片经由设置于晶体管等的器件形成面的多个凸块安装于模块基板。半导体封装件安装于母基板，并与电源、其它的电子电路连接。
[0003]形成于半导体芯片的晶体管由于放大动作而自发热，随着温度上升晶体管的性能劣化。为了抑制晶体管的性能的劣化，优选高效地从作为发热源的晶体管向半导体芯片以及半导体封装件之外进行散热。在将半导体封装件安装于母基板(基底基板)的构成中，在半导体芯片产生的热量通过模块基板传导至母基板，并从母基板散热。
[0004]专利文献1：日本特开2006－120996号公报
[0005]若放大电路的输出变高，并且动作频率变高，则来自晶体管的发热量增大，所以期望进一步提高从半导体芯片的散热性。一般而言，来自半导体芯片的热量大部分经由母基板进行散热，所以提高从母基板向外部即装置的壳体、环境的散热性较重要。
[0006]但是，在一般的移动终端等中，不能说进行了在母基板与壳体之间得到足够的导热的设计。另外，由于母基板被封闭在壳体内的较窄的空间，所以也难以确保空气的对流带来的足够的散热量。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供能够提高从半导体芯片的散热性的半导体封装件、半导体装置、半导体封装件搭载设备、以及半导体装置搭载设备。
[0008]根据本专利技术的一观点，提供一种半导体封装件，具备：
[0009]模块基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面；以及
[0010]半导体芯片，设置多个凸块，并经由上述凸块安装于上述模块基板的上表面，
[0011]上述模块基板包含配置于上述模块基板的下表面以及内层的至少一方的第一金属膜，上述第一金属膜与上述凸块电连接，并且到达上述模块基板的侧面，
[0012]还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述模块基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体芯片高的位置，且在俯视时包含上述半导体芯片，上述侧面部从上述顶面部朝向上述模块基板延伸，
[0013]上述侧面部在上述模块基板的侧面与上述第一金属膜热结合。
[0014]根据本专利技术的其它的观点，提供一种半导体封装件，具备：
[0015]模块基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面；以及
[0016]半导体芯片，设置多个凸块，并经由上述凸块安装于上述模块基板的上表面，
[0017]上述模块基板包含：
[0018]金属焊盘，配置于在俯视时不与上述半导体芯片重合的区域的上表面；
[0019]第一金属膜，配置于上述模块基板的下表面以及内层的至少一方；以及
[0020]通孔导体，配置在俯视时与上述半导体芯片重合的位置，从上述模块基板的上表面到达下表面，并与上述凸块电连接，
[0021]上述金属焊盘经由上述第一金属膜与上述通孔导体电连接，
[0022]还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述模块基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体芯片高的位置，且在俯视时包含上述半导体芯片，上述侧面部从上述顶面部朝向上述模块基板延伸，
[0023]上述侧面部与上述金属焊盘热结合。
[0024]根据本专利技术的其它的观点，提供一种半导体装置，具备：
[0025]半导体封装件，包含具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面的模块基板、以及安装于上述模块基板的上表面的半导体芯片；以及
[0026]母基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面，在上表面安装上述半导体封装件，
[0027]上述母基板包含配置在上表面中不与上述半导体封装件重合的区域的金属焊盘、和配置于上述母基板的下表面以及内层的至少一方的第二金属膜，上述半导体封装件与上述金属焊盘经由上述第二金属膜电连接，
[0028]还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述母基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体封装件高的位置，并且在俯视时包含上述半导体封装件，上述侧面部从上述顶面部朝向上述母基板延伸，
[0029]上述侧面部与上述金属焊盘热结合。
[0030]根据本专利技术的其它的观点，提供一种半导体封装件搭载设备，具备：
[0031]上述的半导体封装件；
[0032]壳体，收容上述半导体封装件；以及
[0033]热结合部件，使上述顶面部与上述壳体热结合。
[0034]根据本专利技术的其它的观点，提供一种半导体装置搭载设备，具备：
[0035]上述的半导体装置；
[0036]壳体，收容上述半导体装置；以及
[0037]热结合部件，使上述顶面部与上述壳体热结合。
[0038]形成从半导体芯片经由第一金属膜或者第二金属膜、以及金属部件的侧面部到达顶面部的导热路径。能够将顶面部利用为从半导体芯片到散热片的导热路径的一部分。其结果，能够提高从半导体芯片的散热性。
附图说明
[0039]图1是第一实施例的半导体封装件的剖视图。
[0040]图2是表示第一实施例的半导体封装件的各构成要素的俯视时的位置关系的图。
[0041]图3是搭载了第一实施例的半导体封装件的半导体封装件搭载设备的局部剖视
图。
[0042]图4是第一实施例的变形例的半导体封装件的剖视图。
[0043]图5是第一实施例的其它的变形例的半导体封装件的示意立体图。
[0044]图6是第二实施例的半导体封装件的剖视图。
[0045]图7是第二实施例的变形例的半导体封装件的剖视图。
[0046]图8是第三实施例的半导体封装件的剖视图。
[0047]图9是表示第三实施例的半导体封装件的各构成要素的俯视时的位置关系的图。
[0048]图10是第四实施例的半导体封装件的剖视图。
[0049]图11是将第四实施例的半导体封装件安装于母基板，并收容于壳体的状态的剖视图。
[0050]图12是第五实施例的半导体封装件的剖视图。
[0051]图13是第六实施例的半导体封装件的剖视图。
[0052]图14是第七实施例的半导体装置的剖视图。
[0053]图15是第七实施例的变形例的半导体装置的剖视图。
[0054]图16是第七实施例的其它的变形例的半导体装置的剖视图。
[0055]图17是第八实施例的半导体装置的剖视图。
[0056]图18是第八实施例的变形例的半导体装置的剖视图。
[0057]图19是第九实施例的半导体封装件搭载设备的剖视图。
[0058]图20是第九实施例的变形例的半导体封装件搭载设备的剖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，具备：模块基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面；以及半导体芯片，设置多个凸块，并经由上述凸块安装于上述模块基板的上表面，上述模块基板包含配置于上述模块基板的下表面以及内层的至少一方的第一金属膜，上述第一金属膜与上述凸块电连接，并且到达上述模块基板的侧面，还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述模块基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体芯片高的位置，且在俯视时包含上述半导体芯片，上述侧面部从上述顶面部朝向上述模块基板延伸，上述侧面部在上述模块基板的侧面与上述第一金属膜热结合。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，上述金属部件是具有上述顶面部以及上述侧面部的金属帽，上述侧面部经由由焊料或者导热膏体构成的导热接合材料与上述第一金属膜热结合。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，还具备密封上述半导体芯片的密封树脂，上述金属部件包含覆盖上述密封树脂的表面以及上述模块基板的侧面的由金属构成的覆盖膜，上述覆盖膜在上述模块基板的侧面与上述第一金属膜连接。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体封装件，其中，还具备背面金属膜，该背面金属膜形成于上述半导体芯片的与朝向上述模块基板的面相反侧的面，上述金属部件的上述顶面部与上述背面金属膜热结合。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，还具备印刷电路基板，该印刷电路基板配置在上述背面金属膜与上述顶面部之间，上述印刷电路基板包含从一方的表面到达另一方的表面的金属部分，上述顶面部经由上述印刷电路基板的金属部分与上述背面金属膜热结合。6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，还具备导热板，该导热板配置在上述背面金属膜与上述顶面部之间，上述顶面部经由上述导热板与上述背面金属膜热结合。7.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，还具备背面金属膜，该背面金属膜形成在上述半导体芯片的与朝向上述模块基板的面相反侧的面，在上述密封树脂设置有从上述密封树脂的顶面到达上述背面金属膜的开口，上述覆盖膜通过设置于上述密封树脂的开口与上述背面金属膜热结合。8.一种半导体封装件，具备：模块基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面；以及半导体芯片，设置多个凸块，并经由上述凸块安装于上述模块基板的上表面，上述模块基板包含：金属焊盘，配置于在俯视时不与上述半导体芯片重合的区域的上表面；第一金属膜，配置于上述模块基板的下表面以及内层的至少一方；以及通孔导体，配置在俯视时与上述半导体芯片重合的位置，从上述模块基板的上表面到
达下表面，并与上述凸块电连接，上述金属焊盘经由上述第一金属膜与上述通孔导体电连接，还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述模块基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体芯片高的位置，且在俯视时包含上述半导体芯片，上述侧面部从上述顶面部朝向上述模块基板延伸，上述侧面部与上述金属焊盘热结合。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，上述金属部件是具有上述顶面部以及上述侧面部的金属帽，上述侧面部经由由焊料或者导热膏体构成的导热接合材料与上述金属焊盘连接。10.根据权利要求8或者9所述的半导体封装件，其中，还具备背面金属膜，该背面金属膜形成于上述半导体芯片的与朝向上述模块基板的面相反侧的面，上述顶面部与上述背面金属膜热结合。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，还具备印刷电路基板，该印刷电路基板配置在上述背面金属膜与上述顶面部之间，上述印刷电路基板包含从一方的表面到达另一方的表面的金属部分，上述顶面部经由上述印刷电路基板的金属部分与上...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤将夫，佐佐木健次，小屋茂树，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：