聚合物及其制造方法以及抗蚀剂用树脂组合物技术

本发明专利技术的课题是提供聚合物及其制造方法，所述聚合物为包含来源于对羟基苯乙烯的结构单元、和具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元的聚合物，并且在制造过程中由于缩醛基的脱离、缩醛基的移动而产生的结构单元极少。本发明专利技术的解决手段为：在共轭酸的pKa为12以上的碱的存在下，于50℃以下，使含有包含来源于对乙酰氧基苯乙烯的结构单元、和具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元的聚合物的溶液进行脱保护反应。保护反应。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物及其制造方法以及抗蚀剂用树脂组合物


[0001]本专利技术涉及聚合物及其制造方法。详细而言，涉及包含来源于对羟基苯乙烯的结构单元、和具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元的聚合物及其制造方法。此外，本专利技术涉及包含该聚合物的抗蚀剂用树脂组合物。

技术介绍

[0002]以往，在IC、LSI等半导体器件的制造工艺中，通过使用光致抗蚀剂组合物的光刻来进行微细加工。近年来，伴随着集成电路的高集成化，逐渐要求形成次微米区域、四分之一微米区域的超微细图案，曝光用光源也从g线、i线逐渐将波长更短的KrF准分子激光及ArF准分子激光用于半导体的批量生产中。进而，目前正在进行使用电子射线、X射线、或远紫外线(EUV)的光刻技术的开发。
[0003]这些基于电子射线、X射线、或EUV的光刻被定位为下一代或下下一代的图案形成技术，期望高敏感度、高分辨力的抗蚀剂组合物。特别是为了晶片处理时间的缩短化，抗蚀剂的高敏感度化是非常重要的课题，但敏感度与分辨力处于相互制衡的关系，强烈期望同时满足这些特性的抗蚀剂组合物的开发。
[0004]在专利文献1中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.聚合物的制造方法，其为包含来源于对羟基苯乙烯的结构单元、和具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元的聚合物的制造方法，所述制造方法的特征在于，在有机溶剂中，在共轭酸的pKa为12以上的碱的存在下，于0℃～50℃的温度范围内，使包含来源于对乙酰氧基苯乙烯的结构单元、和具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元的聚合物进行脱保护反应，将聚合物中的来源于对乙酰氧基苯乙烯的结构单元转化为来源于对羟基苯乙烯的结构单元。2.如权利要求1所述的聚合物的制造方法，其中，具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元为式(II)表示的结构单元，式(II)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数1～10的烷基；R3表示碳原子数1～15的烷基、碳原子数5～15的饱和脂肪族环式基团、碳原子数6～15的芳基、碳原子数7～15的烷基芳基、碳原子数7～15的芳烷基；另外，R2和R3可以键合而与R3所键合的氧原子一起形成5～8元环的杂环式基团。3.如权利要求1或2所述的聚合物的制造方法，其中，共轭酸的pKa为12以上的碱是选自由氢氧化钠、氢氧化钾、甲醇钠、甲醇钾、及二氮杂双环十一碳烯组成的组中的至少一种。4.如权利要求1～3中任一项所述的聚合...

【专利技术属性】
技术研发人员：相原大路，益川友宏，
申请(专利权)人：丸善石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：