光传感器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种光传感器结构及其制造方法，该光传感器结构包括一基板，其两侧分别具有一第一表面及一第二表面；一感光元件，设置于该第一表面，该感光元件具有一感光区域；及一反射层，设置于该第二表面且覆盖该第二表面和该感光元件的感光区域对位的部分。面和该感光元件的感光区域对位的部分。面和该感光元件的感光区域对位的部分。

【技术实现步骤摘要】
光传感器结构及其制造方法


[0001]本专利技术指一种光传感器结构及制造方法，尤指一种设有感光元件的光传感器结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]近接传感器(proximity sensor，PS)及环境光传感器(ambient light sensor)等光传感器广泛应用于移动电话等携带式行动装置或其它消费性电子装置内。近接传感器可用来侦测使用者的脸部或其他物体与电子装置之间的距离；环境光传感器可应用于电子产品中以感测环境光的强度。如图1所示，近接传感器和环境光传感器都需使用感光元件91，而且近接传感器一般还需要使用发光元件92(例如红外线发射器或雷射光发射器)。
[0003]请参照图2所示，其为图1中感光元件91一区域A的局部放大示意图。感光元件91一般设置于一半导体基板93上，用来接收光讯号，并且透过后级电路对所接收的光讯号的强度或成分进行判断，以完成上述近接传感器和环境光传感器的功能。随着当前的电子装置逐渐朝向高屏占比甚至全面屏发展的趋势，距离传感器被迫采用屏下式设计设置于显示屏幕的下方，因此对于光传感器的尺寸限制越趋严格。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光传感器结构，其特征在于，包括：一基板，其两侧分别具有一第一表面及一第二表面；一感光元件，设置于该第一表面，该感光元件具有一感光区域；及一反射层，设置于该第二表面且覆盖该第二表面和该感光元件的感光区域对位的部分。2.如权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，其中该反射层以晶背金属镀膜制程镀膜形成于该第二表面。3.如权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，其中反射层镀膜形成于一背板，且该背板固定于该基板的第二表面。4.如权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，其中该反射层的镀膜材料对于波长在850~1450nm的光讯号具有高于70%的反射率。5.如权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，其中该反射层的镀膜材料对于波长在一第一波长范围：850~1000nm的光讯号或波长在一第二波长范围：1150~1450nm的光讯号具有高于70%的反射率。6.如权利要求5所述的光传感器结构，其特征在于，其中该反射层的镀膜材料对于波长在1050nm~1100nm的光讯号具有低于70%的反射率。7.如权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，其中另设有一发光元件，该发光元件产生的发射光部分穿过该感光元件该和该基板，并受该反射层反射。8.一种光传感器结构制造方法，其特征在于，包含：于一基板的一第一表面上设置一感光元件；对该基板与该第一表面相对的一第二表面进行晶圆背面研磨；及经由晶背金属化在该第二表面镀膜形成一反射层，并使该反射层覆盖该第二表面和该感光元件的一感光区域对...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏吏千，廖彦玮，许源卿，
申请(专利权)人：昇佳电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：