公开了一种发光元件以及包括该发光元件的电子装置，所述发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层堆叠体，其中，所述发光层堆叠体包括：第一发光层，包括第一热活性延迟荧光掺杂剂；第二发光层，包括第二热活性延迟荧光掺杂剂，所述第一热活性延迟荧光掺杂剂和第二热活性延迟荧光掺杂剂是不同的化合物，所述第一发光层和第二发光层相接。第二发光层相接。第二发光层相接。
【技术实现步骤摘要】
发光元件以及包括该发光元件的电子装置
[0001]涉及一种发光元件以及包括该发光元件的电子装置。
技术介绍
[0002]发光元件(light emitting device)作为自发光型元件，相比现有的元件，不仅视角广、对比度优异，而且响应时间短，辉度特性、驱动电压特性以及响应速度特性优异。
[0003]所述发光元件可以具有如下结构：在基板上部布置有第一电极，在所述第一电极上部依次形成有空穴传输区域(hole transport region)、发光层、电子传输区域(electron transport region)以及第二电极。从所述第一电极注入的空穴经由空穴传输区域移动到发光层，从第二电极注入的电子经由电子传输区域移动到发光层。诸如所述空穴和电子之类的载流子在发光层区域再结合而生成光。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种效率相比现有技术得到提高的元件等。
[0005]根据一方面，提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层堆叠体，其中，所述发光层堆叠体包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层包括：第一热活性延迟荧光掺杂剂；第二发光层，包括第二热活性延迟荧光掺杂剂，所述第一热活性延迟荧光掺杂剂和第二热活性延迟荧光掺杂剂是不同的化合物，所述第一发光层和第二发光层相接。
[0006]根据另一方面，提供一种包括上述发光元件的电子装置。
[0007]根据一实现例的发光元件表现出效率相比现有技术得到提高的结果。
附图说明
[0008]图1是示意性地分别示出根据一实现例的发光元件的结构的图。
[0009]图2是根据本专利技术的一实现例的发光装置的剖面图。
[0010]图3是根据本专利技术的另一实现例的发光装置的剖面图。
[0011]【附图标记说明】
[0012]10：发光元件
[0013]110：第一电极
[0014]130：中间层
[0015]150：第二电极
具体实施方式
[0016]在将相同颜色的一个发光层配备在多个堆叠体的结构中，通过增加包括发光层的单位元件的堆叠体数量来实现高发光效率。在此情形下，在空穴传输层与发光层的界面形成发光区域，从而通常显示出如果效率得到改善则寿命减小的倾向。
[0017]根据一方面的发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层堆叠体，其中，所述发光层堆叠体包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层包括第一TADF掺杂剂，所述第二发光层包括第二TADF掺杂剂，所述第一TADF掺杂剂和第二TADF掺杂剂是不同的化合物，所述第一发光层和第二发光层相接。
[0018]例如，所述发光层堆叠体可以由第一发光层以及第二发光层构成(consistof)。
[0019]根据一实现例，所述第一电极是可以阳极，所述第二电极可以是阴极，所述发光元件还可以包括：空穴传输区域，布置在所述第一电极与所述发光层堆叠体之间，并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或者其任意组合。
[0020]根据一实现例，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述发光元件还可以包括：电子传输区域，布置在所述第二电极与所述发光层堆叠体之间，并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或者其任意组合。
[0021]针对所述空穴传输区域和电子传输区域将后述。
[0022]根据一实现例，所述发光层堆叠体可以发出蓝色光。例如，与第一发光层和第二发光层分别发出哪种颜色的光无关地，包括第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。例如，第一发光层可以发出短波长蓝色光，第二发光层可以发出长波长蓝色光，包括所述第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。例如，第一发光层可以发出长波长蓝色光，第二发光层可以发出短波长蓝色光，包括所述第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。
[0023]根据一实现例，所述第一发光层可以发出短波长蓝色光。
[0024]根据一实现例，所述第二发光层可以发出长波长蓝色光。
[0025]例如，第一发光层可以发出蓝色光，第二发光层可以发出蓝色光，包括所述第一发光层和第二发光层的发光层堆叠体可以发出蓝色光。
[0026]根据一实现例，所述第一TADF掺杂剂的波长可以为440nm以上且460nm以下。
[0027]根据一实现例，所述第二TADF掺杂剂的波长可以为460nm至480nm。
[0028]所述波长表示λmax的波长。
[0029]根据一实现例，所述第一TADF掺杂剂的波长的半宽度可以是30nm以下。例如，所述第一TADF掺杂剂的波长的半宽度可以是10nm至25nm。
[0030]根据一实现例，所述第二TADF掺杂剂的波长的半宽度可以是30nm以上。例如，所述第二TADF掺杂剂的波长的半宽度可以是30nm至50nm。
[0031]在所述第一TADF掺杂剂和第二TADF掺杂剂的波长和波长的半宽度在上述范围的情形下，发光元件的效率、寿命等优异。
[0032]根据一实现例，所述第一发光层可以与空穴传输层相接，所述第二发光层可以与电子传输层相接。
[0033]根据一实现例，所述第一发光层可以与空穴传输层相接，所述第二发光层可以与空穴阻挡层相接。
[0034]根据一实现例，所述第一发光层可以包括第一主体，第二发光层可以包括第二主体，所述第一主体和第二主体可以是不同的化合物。
[0035]根据一实现例，所述第一主体和第二主体可以是相同的化合物。所述第一主体和
第二主体可分别是具有高三重态(T1：Triplet energy)能级的化合物。
[0036]例如，所述第一主体和第二主体的T1能级分别可以是1.7eV以上。在第一主体和第二主体的T1能级低于1.7eV的情形下，发光机制可能无法正常工作。
[0037]所述第一TADF掺杂剂和第二TADF掺杂剂的S1能级与T1能级的差值可以分别为0.5eV以下。S1(Singlet energy)能级高于T1能级。
[0038]例如，第一TADF掺杂剂和第二TADF掺杂剂的S1能级与T1能级的差值可以分别为0.3eV以下。
[0039]在S1能级与T1能级的差值大于0.5eV的情形下，几乎不发生热活性延迟荧光机制。
[0040]根据一实现例，从所述第一电极注入的空穴和从所述第二电极注入的电子可以在所述第一发光层和所述第二发光层的界面再结合。因此，与在空穴传输层和发光层的界面形成发光区域的现有技术不同地，不会发生空穴传输层以及发光层界面的劣化，因此寿命不缩短，效率增加。
[0041]根据一实现例，所述发光层堆叠体可以为多个。例如，所述发光层堆叠体可以为2个、3个或者4个。在此情形下，在多个所述发光层堆本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层堆叠体，其中，所述发光层堆叠体包括：第一发光层，包括第一热活性延迟荧光掺杂剂；第二发光层，包括第二热活性延迟荧光掺杂剂，所述第一热活性延迟荧光掺杂剂和第二热活性延迟荧光掺杂剂是不同的化合物，所述第一发光层和所述第二发光层相接。2.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述发光元件还包括：空穴传输区域，布置在所述第一电极与所述发光层堆叠体之间，并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或者其任意组合。3.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述发光元件还包括：电子传输区域，布置在所述第二电极与所述发光层堆叠体之间，并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或者其任意组合。4.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层堆叠体发出蓝色光。5.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一发光层发出蓝色光。6.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二发光层发出蓝色光。7.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一热活性延迟荧光掺杂剂的波长为440nm以上且小于460nm。8.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二热活性延迟荧光掺杂剂的波长为460nm至480nm。9.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一热活性延迟荧光掺杂剂的波长的半宽度为30nm以下。10....
【专利技术属性】
技术研发人员：郑栋燮，朴恩京，宋芝英，芮志明，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。