发光装置及包括所述发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请涉及发光装置，所述发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的第一发射层、以及在所述第一发射层与所述第二电极之间的第二发射层。所述第一发射层包含第一化合物和第二化合物，所述第二发射层包含第三化合物和第四化合物，所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，并且所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同。所述第四化合物包括电子传输化合物和双极化合物中的至少一种。还提供了包括所述发光装置的电子设备。发光装置的电子设备。发光装置的电子设备。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括所述发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月7日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0099242号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]本公开内容涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]有机发光装置(OLED)是自发射装置，当与常规装置相比时，其具有宽视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压、响应速度和产生全色图像方面的优异的特性。
[0005]OLED可以包括设置在衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]本公开内容涉及发光装置及包括所述发光装置的电子设备。
[0007]其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
[0008]本公开内容的方面提供了发光装置，其包括：第一电极，
[0009]面对所述第一电极的第二电极，以及
[0010]设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中
[0011]所述中间层可以包括第一发射层和设置在所述第一发射层与所述第二电极之间的第二发射层，
[0012]所述第一发射层可以包含第一化合物和第二化合物，
[0013]所述第二发射层可以包含第三化合物和第四化合物，
[0014]所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，
[0015]所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同，
[0016]所述第四化合物可以包括选自电子传输化合物和双极化合物中的至少一种，以及
[0017]所述第一化合物包括第一荧光化合物，并且所述第三化合物包括满足方程式1的第二荧光化合物，或者
[0018]所述第一化合物包括所述满足方程式1的第二荧光化合物，并且所述第三化合物包括所述第一荧光化合物
[0019][方程式1][0020]△
E
ST
＝S1
‑
T1≤0.5eV。
[0021]在方程式1中，S1是所述第二荧光化合物的最低激发单重态能级(eV)，并且T1是所
述第二荧光化合物的最低激发三重态能级(eV)。
[0022]在实施方案中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，并且所述中间层可以进一步包括设置在所述第一电极与所述第一发射层之间的空穴传输区、以及设置在所述第二发射层与所述第二电极之间的电子传输区。
[0023]在实施方案中，所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0024]在实施方案中，所述第二化合物可以包括空穴传输化合物。
[0025]在实施方案中，所述第二化合物和所述第三化合物可以彼此不同，或者所述第一化合物和所述第四化合物可以彼此不同。
[0026]在实施方案中，所述第一发射层可以直接接触所述第二发射层。
[0027]在实施方案中，所述第一化合物和所述第三化合物中的每一种可以发射具有约400nm至约600nm的最大发光波长的光。
[0028]在实施方案中，所述电子传输化合物可以包含至少一个吸电子基团，所述双极化合物可以包含(i)至少一个吸电子基团和至少一个供电子基团，(ii)蒽基团和呋喃基团，或者(iii)至少一个吸电子基团、至少一个供电子基团、蒽基团和呋喃基团。所述空穴传输化合物可以包含至少一个供电子基团。
[0029]在实施方案中，所述吸电子基团可以选自：
[0030]‑
F、
‑
CFH2、
‑
CF2H、
‑
CF3、
‑
CN和
‑
NO2；
[0031]被选自
‑
F、
‑
CFH2、
‑
CF2H、
‑
CF3、
‑
CN和
‑
NO2中的至少一个取代的C1‑
C
60
烷基基团；以及
[0032]未取代的或被至少一个R
10a
取代的含缺π电子的氮的C1‑
C
60
环状基团，以及
[0033]所述供电子基团可以选自未取代的或被至少一个R
10a
和
‑
N(Q1)(Q2)取代的富π电子的C3‑
C
60
环状基团，
[0034]R
10a
可以是：
[0035]氘(
‑
D)、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0036]各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；
[0037]各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括第一发射层和设置在所述第一发射层与所述第二电极之间的第二发射层，所述第一发射层包含第一化合物和第二化合物，所述第二发射层包含第三化合物和第四化合物，所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同，所述第四化合物包括选自电子传输化合物和双极化合物中的至少一种，以及所述第一化合物包括第一荧光化合物，并且所述第三化合物包括满足方程式1的第二荧光化合物，或者所述第一化合物包括所述满足方程式1的第二荧光化合物，并且所述第三化合物包括所述第一荧光化合物：[方程式1]
△
E
ST
＝S1
‑
T1≤0.5eV其中在方程式1中，S1是所述第二荧光化合物的最低激发单重态能级，以及T1是所述第二荧光化合物的最低激发三重态能级。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二化合物包括空穴传输化合物。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二化合物和所述第三化合物彼此不同，或者所述第一化合物和所述第四化合物彼此不同。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层直接接触所述第二发射层。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物和所述第三化合物中的每一种发射具有400nm至600nm的最大发光波长的光。6.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的m个发光单元；以及设置在所述m个...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珉冏，康南洙，朴旻虎，朴喜州，李东奎，李锺源，李炫植，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：