发光装置制造方法及图纸

技术编号:32352188 阅读:12 留言:0更新日期:2022-02-20 02:22
本申请涉及发光装置,包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的堆叠体的中间层。所述发射层的堆叠体包括两个或多于两个的发射层、量子阱层、空穴传输主体和电子传输主体。所述量子阱层包含空穴传输化合物,以及所述空穴传输化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能量的绝对值大于所述空穴传输主体的HOMO能量的绝对值。的HOMO能量的绝对值。的HOMO能量的绝对值。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月31日向韩国知识产权局提交的第10

2020

0096113号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是自发射装置,其与本领域的装置相比,具有广视角、高对比度、短响应时间,以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
[0005]在发光装置中,第一电极放置在衬底上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动,并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合,从而产生光。

技术实现思路

[0006]实施方案包括与现有技术的装置相比具有改善的效率和使用寿命的装置。
[0007]其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见,或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
[0008]根据实施方案,有机发光装置可以包括
[0009]第一电极,
[0010]面向所述第一电极的第二电极,
[0011]设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的堆叠体的中间层,
[0012]其中所述发射层的堆叠体可以包括两个或多于两个的发射层,量子阱层,
>[0013]空穴传输主体和电子传输主体,
[0014]所述量子阱层可以包含空穴传输化合物,以及
[0015]所述空穴传输化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能量的绝对值可以大于所述空穴传输主体的HOMO能量的绝对值。
[0016]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层的堆叠体之间的空穴传输区,以及所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。
[0017]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第二电极与所述发射层的堆叠体之间的电子传输区,以及所述电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0018]在实施方案中,所述量子阱层可以设置在所述两个或多于两个的发射层之间。
[0019]在实施方案中,所述发射层的堆叠体可以发射蓝色光。
[0020]在实施方案中,所述发射层的堆叠体可以包含磷光掺杂剂。
[0021]在实施方案中,所述中间层可以包括电子阻挡层,所述电子阻挡层可以包含空穴传输化合物,以及所述电子阻挡层的所述空穴传输化合物和所述量子阱层的所述空穴传输化合物可以彼此相同。
[0022]在实施方案中,所述电子阻挡层的厚度可以大于所述量子阱层的厚度。
[0023]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,以及在所述发射层的堆叠体中最靠近所述阳极的发射层可以包含空穴传输主体。
[0024]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,以及在所述发射层的堆叠体中最靠近所述阴极的发射层可以包含电子传输主体。
[0025]在实施方案中,所述量子阱层的厚度可以是约3nm至约6nm。
[0026]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层的堆叠体之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,所述发射层的堆叠体可以包括第一发射层和第二发射层,所述第一发射层可以包含空穴传输主体和电子传输主体,所述第二发射层可以包含空穴传输主体和电子传输主体,以及所述量子阱层可以设置在所述第一发射层与所述第二发射层之间。
[0027]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层的堆叠体之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,所述发射层的堆叠体可以包括第一发射层和第二发射层,所述第一发射层可以包含空穴传输主体,所述第二发射层可以包含电子传输主体,以及所述量子阱层可以设置在所述第一发射层与所述第二发射层之间。
[0028]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层的堆叠体之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,所述发射层的堆叠体可以包括第一发射层、第二发射层和第三发射层,所述量子阱层可以包括第一量子阱层和第二量子阱层,所述第一发射层可以包含空穴传输主体和电子传输主体,所述第二发射层可以包含空穴传输主体和电子传输主体,所述第三发射层可以包含空穴传输主体和电子传输主体,所述第一量子阱层可以设置在所述第一发射层与所述第二发射层之间,以及所述第二量子阱层可以设置在所述第二发射层与所述第三发射层之间。
[0029]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层的堆叠体之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,所述发射层的堆叠体可以包括第一发射层、第二发射层和第三发射层,所述量子阱层可以包括第一量子阱层和第二量子阱层,所述第一发射层可以包含空穴传输主体,所述第二发射层可以包含空穴传输主体和电子传输主体,所述第三发射层可以包含电子传输主体,所述第一量子阱层可以设置在所述第一发射层与所述第二发射层之间,以及所述第二量子阱层可以设置在所述第二发射层与所述第三发射层之间。
[0030]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层的堆叠体之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,所述发射层的堆叠体可以包括第一发射层、第二发射层和第三发射层,所述量子阱层可以包括第一量子阱层和第二量子阱层,所述第一发射层可以包含空穴传输主体,所
述第二发射层可以包含空穴传输主体,所述第三发射层可以包含电子传输主体,所述第一量子阱层可以设置在所述第一发射层与所述第二发射层之间,以及所述第二量子阱层可以设置在所述第二发射层与所述第三发射层之间。
[0031]在实施方案中,所述第一电极可以是阳极,所述第二电极可以是阴极,所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层的堆叠体之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,所述发射层的堆叠体可以包括第一发射层、第二发射层和第三发射层,所述量子阱层可以包括第一量子阱层和第二量子阱层,所述第一发射层可以包含空穴传输主体,所述第二发射层可以包含电子传输主体,所述第三发射层可以包含电子传输主体,所述第一量子阱层可以设置在所述第一发射层与所述第二发射层之间,以及所述第二量子阱层可以设置在所述第二发射层与所述第三发射层之间。
[0032]根据实施方案,电子设备可以包括
[0033]所述发光装置和薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的堆叠体的中间层,其中所述发射层的堆叠体包括:两个或多于两个的发射层;量子阱层;以及空穴传输主体和电子传输主体,所述量子阱层包含空穴传输化合物,以及所述空穴传输化合物的HOMO能量的绝对值大于所述空穴传输主体的HOMO能量的绝对值。2.如权利要求1所述的发光装置,其中所述量子阱层设置在所述两个或多于两个的发射层之间。3.如权利要求1所述的发光装置,其中所述发射层的堆叠体发射蓝色光。4.如权利要求1所述的发光装置,其中所述发射层的堆叠体包含相同的磷光掺杂剂。5.如权利要求1所述的发光装置,其中所述中间层包括电子阻挡层,所述电子阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员:慎晧祯
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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