【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有针状结晶的排列体的复合体及其制造方法、以及使用该复合体的光电转换元件、发光元件及电容器。
技术介绍
光电转换元件、发光元件、电容器等是利用通过使两种类型的材料接触或者接近配置所产生的现象的元件。例如，光电转换元件及发光元件利用下述现象，即，与在p型半导体和n型半导体的接触面受光的光量相对应的、因电子空穴对的产生或者电子和空穴的再结合而引起光的产生这一现象。就电容器而言，是利用被一对电极夹持的电介质的极化作用。在这些元件中，能够通过增加两种类型的材料的接触面积或者对置面积来提高元件的特性。例如，在光电转换元件中，通过增加p型半导体和n型半导体的界面面积，能够增大产生的电子空穴对的数目，即能够增大光电流(光电动势)的大小，就发光元件而言，能够增大产生的光的光量。另外，就电容器而言，通过增加电介质和电极的接触(对置)面积，可提高静电电容。为增大两种类型的材料的接触面积或者对置面积，尝试在这些元件中使用表面系数(比表面積)大的...
【技术保护点】
一种复合体，其具备：基体、和形成于所述基体表面的由第一氧化物组成的多个针状结晶的排列体、覆盖所述针状结晶的表面且含有第二氧化物的覆膜，其特征在于， 所述排列体包含：所述基体侧的第一区域、相对于所述第一区域在所述基体的相反侧的第二区域， 占据平行于所述基体的表面的面的所述针状结晶的截面的比例在所述第二区域比在所述第一区域低，所述基体的表面在所述第一区域实质上由所述针状结晶覆盖。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-5-31 160703/20051.一种复合体，其具备：基体、和形成于所述基体表面的由第一氧
化物组成的多个针状结晶的排列体、覆盖所述针状结晶的表面且含有第二
氧化物的覆膜，其特征在于，
所述排列体包含：所述基体侧的第一区域、相对于所述第一区域在所
述基体的相反侧的第二区域，
占据平行于所述基体的表面的面的所述针状结晶的截面的比例在所
述第二区域比在所述第一区域低，所述基体的表面在所述第一区域实质上
由所述针状结晶覆盖。
2.一种复合体，其具备：基体、和形成于所述基体表面的由第一氧
化物组成的多个针状结晶的排列体、覆盖所述针状结晶的表面且含有第二
氧化膜的覆膜，其特征在于，
所述排列体包含：所述基体侧的第一区域、相对于所述第一区域在所
述基体的相反侧的第二区域，
与所述第二区域相比较，所述第一区域的所述针状结晶的取向性低，
所述基体的表面在所述第一区域实质上由所述针状结晶覆盖。
3.如权利要求2所述的复合体，其特征在于，占据平行于所述基体
的表面的所述针状结晶的截面的比例在所述第二区域比在所述第一区域
低。
4.一种复合体，其具备：基体、和形成于所述基体表面的由第一氧
化物组成的多个针状结晶的排列体、及覆盖所述针状结晶的表面且含有第
二氧化物的覆膜，其特征在于，
所述针状结晶包含第一针状结晶和第二针状结晶，其中第一针状结晶
自所述基体的表面上位于彼此离开的多个起点的每一个向与所述基体的
表面形成的角度进入规定的角度范围内的方向延伸，第二针状结晶比所述
第一针状结晶短，自各起点向进入比包含所述规定的角度范围更宽的角度
范围内的方向延伸，
所述基体的表面的从所述第一针状结晶露出的露出部实质上由所述
第二针状结晶覆盖。
-->5.如权利要求1～3中任一项所述的复合体，其特征在于，
所述针状结晶包含第一针状结晶和第二针状结晶，其中第一针状结晶
自所述基体的表面上位于彼此离开的多个起点的每一个向与所述基体的
表面形成的角度进入规定的角度范围内的方向延伸，第二针状结晶比所述
第一针状结晶短，自各起点向进入比包含所述规定的角度范围更宽的角度
范围内的方向延伸，
所述基体的表面的从所述第一针状结晶露出的露出部实质上由所述
第二针状结晶覆盖。
6.如权利要求1～5中任一项所述的复合体，其特征在于，在所述针
状结晶中，长度方向和c轴的方向一致，所述针状结晶的长度方向在规定
的方向取向。
7.如权利要求1～6中任一项所述的复合体，其特征在于，还包含从
所述针状结晶的所述基体的相反侧的端部向所述针状结晶的排列区域外
延伸的多个外部针状结晶。
8.如权利要求7所述的复合体，其特征在于，所述多个外部针状结
晶在不和所述排列体发生干扰的角度范围内，向任意方向延伸。
9....
【专利技术属性】
技术研发人员：荒浪顺次，吉川暹，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，吉川暹，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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