一种射频功率整流器电路制造技术

提供了一种射频(RF)功率整流器电路。该RF功率整流器电路包括一对差分电压输入节点，分别电连接到该对差分电压输入节点的一对输入晶体管，包括第一、第二和第三晶体管的电流镜，电连接在输入晶体管对和第一晶体管之间的一对级联晶体管，控制电阻器和控制晶体管，以及输出节点。该控制电阻器电连接到控制晶体管的源极和地以向该控制晶体管提供DC偏置，该控制晶体管电连接到该第二晶体管以向该对级联晶体管提供动态偏置。这种结构可以提高输入电压范围并且降低功耗。范围并且降低功耗。范围并且降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率整流器电路


[0001]本申请涉及一种整流器电路，特别涉及一种射频(RF)功率整流器电路。

技术介绍

[0002]射频功率整流器电路广泛用于电子设备中，例如用于自动增益控制、线性度和偏移补偿的RF收发机的功率指示电路。通常，功率指示电路可以包括例如前置放大电路、RF功率整流器电路和滤波电路。输入电压范围和功耗可能会严重影响电源指示电路的性能。

技术实现思路

[0003]根据一个实施例，射频(RF)功率整流器电路可以包括：一对差分电压输入节点；分别电连接到所述一对差分电压输入节点的一对输入晶体管；包括第一、第二和第三晶体管的电流镜；串联在所述一对输入晶体管和所述第一晶体管之间的一对级联晶体管；串联在所述一对输入晶体管和所述第一晶体管之间的一对级联晶体管；控制电阻器和控制晶体管；输出节点，所述输出节点与所述第三晶体管电连接以输出整流电压。所述第一晶体管被配置为将来自所述一对输入晶体管的输入电流添加到组合电流中，并且所述第二晶体管和所述第三晶体管分别被配置为按比例复制来自所述第一晶体管的所述组合电流。所述控制电阻器电连接到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频(RF)功率整流器电路，包括：一对差分电压输入节点；分别电连接到所述一对差分电压输入节点的一对输入晶体管。包括第一、第二和第三晶体管的电流镜，其中所述第一晶体管配置为将来自所述一对输入晶体管的输入电流添加到组合电流中，以及其中所述第二晶体管和所述第三晶体管分别配置为按比例复制来自所述第一晶体管的所述组合电流；电连接在所述一对输入晶体管和所述第一晶体管之间的一对级联晶体管；控制电阻器和控制晶体管，其中所述控制电阻器电连接到所述控制晶体管的源极和地以向所述控制晶体管提供DC偏置，以及其中所述控制晶体管电连接到所述第二晶体管以向所述一对级联晶体管提供动态偏置；和输出节点，所述输出节点与所述第三晶体管电连接以输出整流电压。2.根据权利要求1所述的RF功率整流器电路，其特征在于，所述控制电阻器的一端电连接到所述控制晶体管的源极，并且所述控制电阻器的另一端和所述一对输入晶体管的源极共同接地；所述控制晶体管的栅极和漏极电连接到所述第二晶体管的漏极，并且所述控制晶体管的栅极和漏极电连接到所述一对级联晶体管的栅极。3.根据权利要求1所述的RF功率整流器电路，其特征在于，所述一对输入晶体管通过一对电阻器电连接到偏置电路。4.根据权利要求1所述的RF功率整流器电路，其特征在于，所述电流镜的所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的源极共同电连接到电源；所述电流镜的所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的栅极共同电连接到所述一对级联晶体管的漏极。5.根据权利要求1所述的RF功率整流器电路，其特征在于，所述第三晶体管电连接到负载电阻器(R)和电容器(CL)以产生整流电压。6.根据权利要求5所述的RF功率整流器电路，其特征在于，所述负载电阻器电连接在所述第三晶体管的漏极和地之间；所述电容器电连接在所述第三晶体管的栅极和地之间。7.根据权利要求1所述的RF功率整流器电路，其特征在于，一对电容器分别电连接在所述一对差分电压输入节点和所述一对输入晶体管之间；一对电阻器分别电连接在偏置电路和所述一对输入晶体管的栅极之间。8.根据权利要求1所述的RF功率整流器电路，其特征在于，所述一对输入晶体管包括一对NMOS输入晶体管，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：博通集成电路上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：