【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有负极集电体和设置在其上的负极活性材料层的负 极、制造该负极的方法、包括负极的电池以及制造该电池的方法。
技术介绍
近年来，诸如多功能摄像机(录像机)、移动电话和笔记本电脑之类 的便携式电子设备应用广泛，同时迫切需要减小其尺寸和重量并延长其寿 命。作为这些便携式电子设备的电源，已经开发出电池，特别是能够提供 高能量密度的重量轻的二次电池。在这方面，利用锂的吸收和释放来进行充放电反应的二次电池(被称 为锂离子二次电池)特别值得期待，原因在于这种二次电池与现有的铅电 池和镍镉电池相比，可以提供更高的能量密度。锂离子二次电池包括负极，在负极结构中，含有负极活性材料的负极 活性材料层设置在负极集电体上。作为负极活性材料，碳材料得到了广泛 应用。然而，近年来，随着高性能和多功能的便携式电子设备的开发，进 一步要求改善电池容量。因此，己经考虑用硅来代替碳材料。由于硅的理 论容量(4199 mAh/g)明显高于石墨(372 mAh/g)的理论容量，因此有 望极大地改善电池容量。然而，当使用气相沉积法来沉积作为负极活性材料的硅以形成负极活性材料层时，结合特性...
【技术保护点】
一种负极，包括：负极集电体；和设置在所述负极集电体上的负极活性材料层，其中，所述负极活性材料层包含多个含硅（Ｓｉ）负极活性材料粒子以及所述负极活性材料粒子之间的间隙中的含有不与电极反应物形成合金的金属元素的金属材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：广濑贵一，川濑贤一，中井秀树，井本理佳子，森田望，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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