基于电涌抑制晶闸管的整流电路、整流芯片及电子器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于电涌抑制晶闸管的整流电路、整流芯片及电子器件。基于电涌抑制晶闸管的整流电路包括：第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；所述第一输入端和所述第二输入端分别接入交流电压的两极，所述第一输出端和所述第二输出端分别输出直流电压的两极；其中，所述整流电路由电涌抑制晶闸管组成，所述电涌抑制晶闸管具有反向截止功能。本实用新型专利技术实施例可以在保证整流电路较高的耐压水平的基础上，降低整流电路的通态损耗。损耗。损耗。

【技术实现步骤摘要】
基于电涌抑制晶闸管的整流电路、整流芯片及电子器件


[0001]本技术实施例涉及整流变换
，尤其涉及一种基于电涌抑制晶闸管的整流电路、整流芯片及电子器件。

技术介绍

[0002]随着5G技术的发展，电子产品对电能源的消耗逐渐增大，因此，对电子产品的电源效率，功耗的要求逐渐提高。常规的整流电路，通常采用二极管或 MOS管来实现。但是二极管在大电流的情况下，功耗会明显增大。采用MOS 管搭建的整流电路，虽然能实现较低的损耗，但是MOS管的驱动电路较为复杂，且其耐压能力较弱，在防护成本上需要加大投入。因此，现有的整流电路在功耗和耐压能力之间存在矛盾关系，存在功耗较大或耐压能力较弱的问题。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供了一种基于电涌抑制晶闸管的整流电路、整流芯片及电子器件，以在保证整流电路较高的耐压水平的基础上，降低整流电路的通态损耗。
[0004]第一方面，本技术实施例提供了一种基于电涌抑制晶闸管的整流电路，包括：
[0005]第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；所述第一输入端和所述第二输入端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于电涌抑制晶闸管的整流电路，其特征在于，包括：第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；所述第一输入端和所述第二输入端分别接入交流电压的两极，所述第一输出端和所述第二输出端分别输出直流电压的两极；其中，所述整流电路由电涌抑制晶闸管组成，所述电涌抑制晶闸管具有反向截止功能。2.根据权利要求1所述的基于电涌抑制晶闸管的整流电路，其特征在于，所述整流电路包括：全波整流电路或半波整流电路。3.根据权利要求2所述的基于电涌抑制晶闸管的整流电路，其特征在于，所述全波整流电路包括：第一晶闸管，所述第一晶闸管的第一极为所述整流电路的第二输出端，所述第一晶闸管的第二极为所述整流电路的第一输入端；第二晶闸管，所述第二晶闸管的第一极与所述第一晶闸管的第二极电连接，所述第二晶闸管的第二极为所述整流电路的第一输出端；第三晶闸管，所述第三晶闸管的第一极为所述整流电路的第二输入端，所述第三晶闸管的第二极与所述第二晶闸管的第二极电连接；第四晶闸管，所述第四晶闸管的第一极与所述第一晶闸管的第一极电连接，所述第四晶闸管的第二极与所述第三晶闸管的第一极电连接；其中，所述第一晶闸管、所述第二晶闸管、所述第三晶闸管和所述第四晶闸管均为电涌抑制晶闸管。4.根据权利要求1所述的基于电涌抑制晶闸管的整流电路，其特征在于，所述电涌抑制晶闸管包括：第一晶体管、第二晶体管和电阻；所述第一晶体管的第一极为所述电涌抑制晶闸管的第一极，所述第一晶体管的控制极与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第一晶体管的第二极分别与所述电阻的第一端和所述第二晶体管的控制极电连接；所述第二晶体管的第二极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡锦波，陈国源，
申请(专利权)人：深圳市槟城电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：