高功率半导体激光器VBG锁定装置制造方法及图纸

技术编号:32373822 阅读:13 留言:0更新日期:2022-02-20 08:52
本实用新型专利技术涉及一种高功率半导体激光器VBG锁定装置,包括光学平台,用于安装固定水冷组件、5轴调节组、功率计和光谱仪;水冷组件,用于放置半导体激光器并且对半导体激光器进行降温;5轴调节组,用于对VBG进行位置及角度的调节,将VBG移动到半导体激光器处,进行光谱锁定;功率计,接收半导体激光器输入的激光并漫反射部分激光到光谱仪处;光谱仪,用于接受功率计漫反射的激光,并反馈光谱信息,本实用新型专利技术具有方便对半导体激光器进行VBG波长锁定的效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
高功率半导体激光器VBG锁定装置


[0001]本技术涉及半导体激光器的
,具体涉及一种高功率半导体激光器VBG锁定装置。

技术介绍

[0002]半导体激光器由于体积小、重量轻、转换效率高、使用寿命长等优点,在医疗、显示、泵浦、工业加工等领域有广泛的应用。近年来,随着半导体材料外延生长技术、半导体激光波导结构优化技术、腔面钝化技术、高稳定性封装技术、高效散热技术的飞速发展,特别是在直接半导体激光工业加工应用以及大功率光纤激光器抽运需求的推动下,具有高功率、高光束质量的半导体激光器飞速发展,为获得高质量、高性能的直接半导体激光加工设备以及高性能大功率光纤激光抽运源提供了光源基础。
[0003]为了减少固体激光器、光纤体激光器泵浦源波长热致漂移带来的影响,此时需要将泵浦输出波长锁定的技术,从而形成带VBG波长锁定的半导体激光器,为了在半导体激光器上进行安装VBG锁定,此时需要设计一种能够对半导体激光器进行VBG锁定的装置。

技术实现思路

[0004]因此,本技术要解决无法对半导体激光器进行VBG波长锁定的技术问题,从而提供一种高功率半导体激光器VBG锁定装置。
[0005]一种高功率半导体激光器VBG锁定装置,包括:
[0006]光学平台,用于安装固定水冷组件、5轴调节组、功率计和光谱仪;
[0007]水冷组件,用于放置半导体激光器并且对半导体激光器进行降温;
[0008]5轴调节组,用于对VBG进行位置及角度的调节,将VBG移动到半导体激光器处,进行光谱锁定;r/>[0009]功率计,接收半导体激光器输入的激光并漫反射部分激光到光谱仪处;
[0010]光谱仪,用于接受功率计漫反射的激光,并反馈光谱信息。
[0011]进一步的,所述5轴调节组包括设置在5轴调节组移动端上的真空吸嘴,所述真空吸嘴和外部的真空泵连通,所述真空吸嘴用于吸附VBG。
[0012]进一步的,所述水冷组件包括架设在光学平台上的第一放置台和水冷板,半导体激光器位于所述水冷板的表面并和所述水冷板贴合,所述水冷板和外部的冷却水泵连通。
[0013]进一步的,所述水冷板放置在第一放置台上,所述第一放置台上设置有多个限位块,所述水冷板通过多个所述限位块限位于第一放置台预设位置。
[0014]进一步的,所述第一放置台上还设置有驱动电机,所述驱动电机驱使水冷板沿竖直方向移动。
[0015]进一步的,所述水冷组件包括TEC模组,半导体激光器放置在所述TEC 模组上。
[0016]进一步的,所述功率计和水冷组件之间设有第一光纤接头座,所述第一光纤接头座用于固定半导体激光器的输出端,所述功率计、水冷组件和第一光纤接头座处于同一平
面。
[0017]进一步的,所述光谱仪和功率计之间设有第二光纤接头座,所述第二光纤接头座用于固定光谱仪输入端,所述功率计和第二光纤接头座处于同一平面。
[0018]进一步的,所述第一光纤接头座正对所述功率计,所述功率计分别和所述第一光纤接头座与第二光纤接头座之间的两条连线之间的夹角为多少度。
[0019]进一步的,所述5轴调节组还包括三个平移轴和两个角位移轴,通过三个所述平移轴和两个所述角位移轴来调节VBG的位置和角度。
[0020]本技术技术方案,具有如下优点:
[0021]1.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,包括光学平台,用于安装固定水冷组件、5轴调节组、功率计和光谱仪;水冷组件,用于放置半导体激光器并且对半导体激光器进行降温;5轴调节组,用于对 VBG进行位置及角度的调节,将VBG移动到半导体激光器处,进行光谱锁定;功率计,接收半导体激光器输入的激光并漫反射部分激光到光谱仪处;光谱仪,用于接受功率计漫反射的激光,并反馈光谱信息,在使用时,此时将半导体激光器放置在水冷组件上,此时打开半导体激光器,并且通过5 轴调节组将VBG移动到半导体激光器处,此时打开下的半导体激光器将激光进行输出,直至将激光通过功率计进行接受并且漫反射部分激光到光谱仪处,此时通过光谱仪从而接受激光并且反馈光谱信息,此时5轴调节组用于调节VBG的位置和角度,从而通过改变VBG的位置和角度,从而实时的改变光谱锁定的效果,此时光谱仪实时的反馈光谱信息,并且通过光谱仪实时反馈的数据上位机接收,实时处理降噪成光谱图和PIB值,并且由两者来判断VBG锁定的效果,从而实现了对半导体激光器进行VBG波长锁定。
[0022]2.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述5轴调节组包括设置在5轴调节组移动端上的真空吸嘴,所述真空吸嘴和外部的真空泵连通,所述真空吸嘴用于吸附VBG,通过真空吸嘴,从而对VBG进行限位固定,并且通过5轴调节组将VBG移动到半导体激光器上的任一位置处,从而进行光谱锁定。
[0023]3.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述水冷组件包括架设在光学平台上的第一放置台和水冷板,半导体激光器位于所述水冷板的表面并和所述水冷板贴合,所述水冷板和外部的冷却水泵连通,在将半导体激光器放置在水冷组件上时,此时由于半导体激光器需要启动将激光输出到功率计上,此时工作中的半导体激光器会产生大量的热,此时通过外部的冷却水泵将冷却水输送到水冷板上,由于半导体激光器和水冷板接触,从而对半导体激光器进行冷却,防止半导体激光器过热。
[0024]4.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述水冷板放置在第一放置台上,所述第一放置台上设置有多个限位块,所述水冷板通过多个所述限位块限位于第一放置台预设位置,限位块的设置,从而能够对水冷板的位置进行限位固定,从而使水冷板不会在第一放置台上移动,影响到半导体激光器的位置稳定。
[0025]5.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述第一放置台上还设置有驱动电机,所述驱动电机驱使水冷板沿竖直方向移动,在使用时,此时通过驱动电机从而驱动水冷板在竖直方向移动,从而能够使不同型号的半导体激光器能够和功率计处于同一平面,从而使半导体激光器能够输出到功率计上。
[0026]6.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述水冷组件包括TEC模
组,半导体激光器放置在所述TEC模组上,通过TEC模组来进行对半导体激光器进行散热,从而能够更好的管控模块温度,使半导体激光器的温度管控更加好。
[0027]7.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述功率计和水冷组件之间设有第一光纤接头座,所述第一光纤接头座用于固定半导体激光器的输出端,所述功率计、水冷组件和第一光纤接头座处于同一平面,通过第一光纤接头座从而能够对半导体激光器的激光输出端进行固定,从而通过第一光纤接头座来使半导体激光器的输出端和功率计处于同一平面,从而使半导体激光器能够将激光输入到功率计上。
[0028]8.本技术提供的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述光谱仪和功率计之间设有第二光纤接头座,所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率半导体激光器VBG锁定装置,其特征在于,包括:光学平台(1),用于安装固定水冷组件(2)、5轴调节组(3)、功率计(4)和光谱仪(5);水冷组件(2),用于放置半导体激光器并且对半导体激光器进行降温;5轴调节组(3),用于对VBG进行位置及角度的调节,将VBG移动到半导体激光器处,进行光谱锁定;功率计(4),接收半导体激光器输入的激光并漫反射部分激光到光谱仪(5)处;光谱仪(5),用于接受功率计(4)漫反射的激光,并反馈光谱信息。2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器VBG锁定装置,其特征在于,所述5轴调节组(3)包括设置在5轴调节组(3)移动端上的真空吸嘴(31),所述真空吸嘴(31)和外部的真空泵连通,所述真空吸嘴(31)用于吸附VBG。3.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器VBG锁定装置,其特征在于,所述水冷组件(2)包括架设在光学平台(1)上的放置台和水冷板(22),半导体激光器位于所述水冷板(22)的表面并和所述水冷板(22)贴合,所述水冷板(22)和外部的冷却水泵连通。4.根据权利要求3所述的高功率半导体激光器VBG锁定装置,其特征在于,所述水冷板(22)放置在第一放置台(21)上,所述第一放置台(21)上设置有多个限位块,所述水冷板(22)通过多个所述限位块限位于第一放置台(21)预设位置。5.根据权利要求4所述的高功率半导体激光器VBG锁定装置,所述第一放置...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐佳维潘华东裘利平周军袁磊
申请(专利权)人:苏州长光华芯光电技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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