一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器制造技术

一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器，包括由下至上依次设置的GaAs基衬底、下层DBR、有源区、氧化限制层、上层DBR和P型金属欧姆接触层；有源区、氧化限制层、上层DBR和P型金欧姆接触层共刻出圆柱形垂直腔面发射激光器谐振腔；垂直腔面发射激光器的顶部镀有圆环形P型金属电极，垂直腔面发射激光器谐振腔的GaAs基衬底下面镀有N型金属电极；垂直腔面发射激光器的谐振腔由二氧化硅绝缘层包覆，二氧化硅绝缘层通过光刻、湿法腐蚀开电极窗口，二氧化硅绝缘层通过磁控溅射生长P型金属Pad电极。本发明专利技术利用表面浅刻蚀结构，在垂直腔面发射激光器高阶模出射位置增加高阶模的损耗，提高高阶模的阈值增益，实现单模输出。实现单模输出。实现单模输出。

【技术实现步骤摘要】
一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器


[0001]本专利技术属于光电子
，具体涉及一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器。

技术介绍

[0002]自垂直腔面发射激光器概念被提出以后，该项技术一直缓慢成熟，并逐渐推向光通信、光互连、光存储、激光显示和照明等
随着科学技术的发展，垂直腔面发射激光器已经成为当今使用的最重要的半导体激光器之一。垂直腔面发射激光器出光方向垂直于衬底，可阵列集成制备大功率激光器，有源区体积小，阈值电流低，其谐振腔短，具有单纵模特性，另外垂直腔面发射激光器可以通过改变激光器的结构设计，实现高功率、单模、单偏振、窄线宽、高速调制等。
[0003]但是，由于垂直腔面发射激光器固有结构的特点，在氧化限制孔径较大时，器件通常为多模激射。垂直腔面发射激光器在多模工作状态时，多个模式混合震荡会导致谐振谱线变宽，而且多个模式竞争会导致输出光谱和光功率不稳定。垂直腔面发射激光器作为光通信、芯片级原子钟的理想光源，稳定单模输出至关重要。
[0004]目前，若想获得单模激光器，通常采用缩小氧化孔径的方法，由于氧化限制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括由下至上依次设置的GaAs基衬底(1)、下层DBR(2)、有源区(3)、氧化限制层(4)、上层DBR(5)和P型金属欧姆接触层(6)；所述有源区(3)、氧化限制层(4)、上层DBR(5)和P型金欧姆接触层共刻出圆柱形垂直腔面发射激光器谐振腔(9)；所述垂直腔面发射激光器的顶部镀有圆环形P型金属电极(7)，垂直腔面发射激光器谐振腔(9)的GaAs基衬底(1)下面镀有N型金属电极(8)；所述垂直腔面发射激光器的谐振腔(9)由二氧化硅绝缘层(11)包覆，二氧化硅绝缘层(11)通过光刻、湿法腐蚀开电极窗口，二氧化硅绝缘层(11)通过磁控溅射生长P型金属Pad电极。2.根据权利要求1所述的一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器表面浅刻蚀结构位于垂直腔面发射激光器的谐振腔(9)顶部，浅刻蚀图形为圆形围成的类圆环结构(12)。3.根据权利要求2所述的一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述氧化限制层(4)具有氧化限制孔(10)；所述类圆环结构(12)内径不小于所述氧化限制孔(10)的孔径。4.根据权利要求2所述的一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P型金属电极(7)的外环半径小于等于谐...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟红玲，贾晓卫，
申请(专利权)人：中科启迪光电子科技广州有限公司，
类型：发明
国别省市：