浸液曝光用液体以及浸液曝光方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种在浸液曝光方法中，折射率大于纯水，防止光致抗蚀膜或其上层膜成分的洗脱或溶解，能够抑制抗蚀图案生成时的缺陷的浸液曝光用液体、以及利用该液体的浸液曝光方法。一种浸液用曝光液体，其在通过投影光学系统的透镜和基板之间充满的液体进行曝光的浸液曝光装置或浸液曝光方法中使用，在浸液曝光装置工作的温度区域内是液体，是包含脂环烃化合物或在环结构中含有硅原子的环烃化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，详细地讲，除了这些液体以及方法以外，涉及该浸液曝光用液体的制备方法、作为浸液曝光用液体的评价方法、新型液体组合物。
技术介绍
在制造半导体元件等时，使用通过投影光学系统将作为光掩膜的标线片的图案转印至涂布有光致抗蚀剂的晶片上的各拍摄区域的分步型或步进扫描方式的投影曝光装置。使用的曝光波长越短，投影光学系统的数值孔径越大，投影曝光装置所具备的投影光学系统的分辨率的理论阈值越高。因此，随着集成电路的微细化，投影曝光装置中使用的作为放射线波长的曝光波长逐年变短，投影光学系统的数值孔径也逐渐增大。另外，当进行曝光时，焦点深度与分辨率同样地也变得重要。分辨率R和焦点深度δ的理论阈值分别用以下数学式表示。R＝k1·λ/NA (i)δ＝k2·λ/NA2(ii)其中，λ是曝光波长，k1、k2是工艺参数，NA是投影光学系统的数值孔径，当空气的折射率设为1时，以下式(ii’)定义。即，当获得相同的分辨率R时，使用了具有短波长的放射线的一方能够获得大的焦点深度δ。NA＝sinθ(θ＝曝光的光在抗蚀剂表面的最大入射角)(ii’)如上所述，至今，通过曝光光源的短波长化、数值孔径的增大，不本文档来自技高网...

【技术保护点】
浸液曝光用液体，该液体用于通过投影光学系统的透镜和基板之间充满的液体进行曝光的浸液曝光装置或浸液曝光方法，其特征在于：该液体在上述浸液曝光装置工作的温度范围内是液体，该液体包含脂环烃化合物或在环结构中含有硅原子的环烃化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫松隆，根本宏明，王勇，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]