一种直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置及单晶炉制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置，包括氩气加热管，氩气加热管套设在单晶炉的氩气进气管上，氩气加热管表面缠绕有加热丝，加热丝的一端通过导线连接在电源上，加热丝与电源之间还设有过热保护装置，加热丝的另一端通过导线与红外测温装置的输入端连接，红外测温装置的信号输出端连接有温控表，温控表通过导线与电源相连接，还涉及一种含有上述监测并控制氩气温度装置的单晶炉，该装置结构简单、精度高、稳定性好，可实现对氩气进行加热，监测并精确控制加热温度，从而减小温度不确定的氩气对炉内热场的影响。从而减小温度不确定的氩气对炉内热场的影响。从而减小温度不确定的氩气对炉内热场的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置及单晶炉


[0001]本技术涉及一种直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置及单晶炉，属于单晶硅生产设备领域。

技术介绍

[0002]随着全球对能源危机越来越重视，太阳能作为可再生、最安全的新能源，越来越受到人们的喜爱。太阳能光伏发电已经成为了我国主要的可再生能源发电形式之一。太阳能电池片是光伏发电系统的重要组成之一。近年来，单晶硅太阳能电池逐渐成为太阳能电池的主流，截至2019年底，国内单晶硅料产量市场占比提升至70%。
[0003]直拉法是单晶硅生长的主要方式。氩气在直拉法单晶硅生产中具有重要作用，氩气是惰性气体，它作为一种保护气体包围在单晶硅的液面周围，可以保护单晶硅不被氧化。除此之外，流动的氩气还可以带走硅液中的挥发物，以及高温下其他部位的挥发物，达到除杂的效果，可以防止单晶硅液被沾污。另外,氩气从上而下以对流的形式从晶体表面掠过，可以带走结晶潜热，从而可以保证单晶硅正常生长。
[0004]直拉法单晶硅生长的关键之一是炉内具有合理的热场。不同类型的晶体具有不同的特性，因此对热场的要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置，其特征在于：包括氩气加热管（19），所述氩气加热管（19）表面缠绕有加热丝（10），所述加热丝（10）的一端通过导线（20）连接在电源（15）上，所述加热丝（10）与电源（15）之间还设有过热保护装置（18），所述加热丝（10）的另一端通过导线（20）与红外测温装置（13）的输入端连接，所述红外测温装置（13）的信号输出端连接有温控表（14），所述温控表（14）通过导线（20）与所述电源（15）相连接。2.根据权利要求1所述的直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置，其特征在于：所述氩气加热管（19）与所述进气管（11）均为圆管，所述氩气加热管（19）的直径为进气管（11）直径的1.2倍。3.根据权利要求1所述的直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置，其特征在于：所述的红外测温装置（13）为多个锅炉用红外测温仪组成的测温系统。4.根据权利要求1所述的直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置，其特征在于：所述加热丝（10）外还设有圆柱形保护管（9），所述保护管（9）内为密闭的空腔，所述保护管（9）套设在所述氩气加热管（19）上。5.根据权利要求4所述的直...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐小方，薛逸文，王艺澄，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，
类型：新型
国别省市：