一种交流利用单路MOS简易调光调色电路制造技术

本发明专利技术公开了一种交流利用单路MOS简易调光调色电路，它涉及LED照明技术领域。压敏电阻经交流保险丝、可控硅调光器接至电源，压敏电阻两端与整流桥相连，整流桥输出端与线性恒流控制器连接，线性恒流控制器输出端依次连接降压限流电阻、稳压二极管至地端，两分压限流电阻间节点分别与基准电压源阴极、N沟道MOS管基极相连；线性恒流控制器输出端依次连接暖光LEDS、暖色温灯珠限流限压电阻至N沟道MOS管的漏极，线性恒流控制器输出端连接白光LEDS至第一基准电压调节电阻与第二基准电压调节电阻间的节点。本发明专利技术采用单路MOS管电路进行调光调色温，无需PWM信号，走线简单，成本低，易过认证，调光调色效果好。调光调色效果好。调光调色效果好。

【技术实现步骤摘要】
一种交流利用单路MOS简易调光调色电路


[0001]本专利技术涉及的是LED照明
，具体涉及一种交流利用单路MOS简易调光调色电路。

技术介绍

[0002]发光二极管简称为LED(lighte mitting diode)，是一种常用的发光器件，它通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可将电能高效地转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等，为社会带来巨大节能贡献。LED照明与传统照明相比，能实现更多的色彩，目前实现色彩变化主要依靠灯具内红、绿、蓝、白四种或红、绿、蓝三种光源混光而成。
[0003]现有调光调色的电路有很多种，其中以下面两种作为代表：(1)一种采用多路MOS调光调色电路方案，由两路或两路以上电路制作而成，该方案需要多路MOS，多个基准电压取样反馈进行调光调色，线路复杂，调光调色效果不好；该方案存在以下缺点：
①
电子元件成本较多，实现价格比较贵；
②
控制回路和反馈电路调试困难；
③
元件较多，线路板上走线困难；(2)另一种采用MCU控制调光调色方案，此方案需利用MCU单元编写预定程序后，使用程序控制PWM信号的脉宽度，MCU按照程序处理进行调光调色，且该方案供电还需要做特殊处理，另外需要多路MOS，需要反馈才能实现调光调色，线路复杂，调试困难。具体地，该方案存在以下缺点：
①
程序编写，调试困难，程序与调光效果难调试，需要花费很长时间；
②
MCU价格昂贵，目前市场上MCU价格都是在一至几块钱不等；
③
MCU性不强，市场上很难找得到一模一样的MCU，目前市场上的MCU几乎难以替换，替换困难；
④
外围线路较多，需要单独的供电单元，供电要求多较高；
⑤
难过认证，因MCU控制采用PWM开关MOS，存在开关频率问题，过证时传导骚拢和辐射骚拢难调，需要增加安规器件才可过认证。
[0004]为了解决上述问题，设计一种新型的交流利用单路MOS简易调光调色电路尤为必要。

技术实现思路

[0005]针对现有技术上存在的不足，本专利技术目的是在于提供一种交流利用单路MOS简易调光调色电路，结构设计合理，采用单路MOS管电路进行调光调色温，线路简单，无需PWM信号即可调光色温，调光调色效果好，调试更容易，成本低，易于推广使用。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种交流利用单路MOS
简易调光调色电路，包括可控硅调光器、浪涌保护电路、整流电路、线性恒流控制器、降压稳压电路、基准电路、控制电路、暖光LEDS、白光LEDS，所述的浪涌保护电路包括有压敏电阻，整流电路包括有整流桥，降压稳压电路包括有放电电阻、滤波储能电容、降压限流电阻、第一分压限流电阻、第二分压限流电阻、稳压二极管和抗干扰电容，基准电路包括有2.5V基准电压源，控制电路包括有第一基准电压调节电阻、第二基准电压调节电阻。
[0007]压敏电阻的一端经交流保险丝、可控硅调光器接至火线L端，压敏电阻的另一端接零线N端，压敏电阻的两端分别与整流桥的1脚、3脚相连，整流桥的2脚、4脚分别与线性恒流控制器的输入端、地端，线性恒流控制器的输出端连接放电电阻与滤波储能电容的并联电路至地端，线性恒流控制器的输出端还依次连接降压限流电阻、稳压二极管至地端，稳压二极管两端并接有抗干扰电容，稳压二极管两端还并接有第一分压限流电阻与第二分压限流电阻的串联电路，第一分压限流电阻与第二分压限流电阻之间的节点分别与基准电压源的阴极、N沟道MOS管的基极相连，基准电压源的控制极与N沟道MOS管的源极相连，基准电压源的控制极与阳极之间串接有第一基准电压调节电阻、第二基准电压调节电阻，基准电压源的阳极接地；所述的线性恒流控制器的输出端依次连接暖光LEDS、暖色温灯珠限流限压电阻至N沟道MOS管的漏极，线性恒流控制器的输出端还连接白光LEDS至第一基准电压调节电阻与第二基准电压调节电阻之间的节点。
[0008]作为优选，所述的可控硅调光器可替换为直流电源，用直流调节输入电压进行调光调温，直流电源的两端并接有放电电阻、滤波储能电容，直流电源的正极端依次连接降压限流电阻、稳压二极管至地端，稳压二极管两端并接有抗干扰电容，稳压二极管两端还并接有第一分压限流电阻与第二分压限流电阻的串联电路，第一分压限流电阻与第二分压限流电阻之间的节点分别与基准电压源的阴极、N沟道MOS管的基极相连，基准电压源的控制极与N沟道MOS管的源极相连，基准电压源的控制极与阳极之间串接有第一基准电压调节电阻、第二基准电压调节电阻，基准电压源的阳极接地；所述的直流电源的输出端依次连接暖光LEDS、暖色温灯珠限流限压电阻至N沟道MOS管的漏极，线性恒流控制器的输出端还连接白光LEDS至第一基准电压调节电阻与第二基准电压调节电阻之间的节点。
[0009]作为优选，所述的暖光LEDS由暖光色温灯珠W1
‑
Wn串接而成，暖光色温灯珠为1800K
‑
3000K色温灯珠。
[0010]作为优选，所述的白光LEDS由冷光色温灯珠L1
‑
Ln串接而成，冷光色温灯珠为2700K
‑
6500K色温灯珠。
[0011]本专利技术的有益效果：本电路可用交流电可控硅调光器调光调色温，也可用直流调节输入电压进行调光调温，采用单路MOS管电路进行调光调色温，无需PWM信号即可调光调色温，电子元件少，替换性强，线路走线简单，成本低，易过认证，且不需要编写特定的程序，控制回路和反馈电路调试更简便，调光调色效果好，应用前景广阔。
附图说明
[0012]下面结合附图和具体实施方式来详细说明本专利技术；图1为本专利技术的电路框图；图2为本专利技术的电路原理图；图3为本专利技术可控硅调光器替换为直流电源的电路原理图；
图4为本专利技术的调光曲线图。
[0013]具体实施方式
[0014]为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。
[0015]参照图1
‑
4，本具体实施方式采用以下技术方案：一种交流利用单路MOS简易调光调色电路，包括可控硅调光器1、浪涌保护电路2、整流电路3、线性恒流控制器4、降压稳压电路5、基准电路6、控制电路7、暖光LEDS8、白光LEDS9，所述的浪涌保护电路2保护整个电路系统不受外界电网浪涌电压的破坏，浪涌保护电路2包括有压敏电阻VR，整流电路3把交流整流成直流，整流电路3包括有整流桥BD1，所述的线性恒流控制器4为市场通用的含可控硅调光的线性恒流IC，降压稳压电路5包括有放电电阻RD2、滤波储能电容CP4、降压限流电阻R2、第一分压限流电阻R3、第二分压限流电阻R4、稳压二极管ZD5和抗干扰电容C2，基准电路6包括有2.5V基准电压源T3，控制电路7包括有第一基准电压调节电阻RX3、第二基准电压调节电阻RX4。
[0016]压敏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交流利用单路MOS简易调光调色电路，其特征在于，包括可控硅调光器(1)、浪涌保护电路(2)、整流电路(3)、线性恒流控制器(4)、降压稳压电路(5)、基准电路(6)、控制电路(7)、暖光LEDS(8)、白光LEDS(9)，所述的浪涌保护电路(2)包括有压敏电阻(VR)，整流电路(3)包括有整流桥(BD1)，降压稳压电路(5)包括有放电电阻(RD2)、滤波储能电容(CP4)、降压限流电阻(R2)、第一分压限流电阻(R3)、第二分压限流电阻(R4)、稳压二极管(ZD5)和抗干扰电容(C2)，基准电路(6)包括有2.5V基准电压源(T3)，控制电路(7)包括有第一基准电压调节电阻(RX3)、第二基准电压调节电阻(RX4)，通过可控硅调光器(1)改变输出的亮度调节和色温调节，调冷光LED和暖光LED两种色温灯珠的不同亮度，得出不同色温，从而改变照明环境的氛围；压敏电阻(VR)的一端经交流保险丝(F1)、可控硅调光器(1)接至火线L端，压敏电阻(VR)的另一端接零线N端，压敏电阻(VR)的两端分别与整流桥(BD1)的1脚、3脚相连，整流桥(BD1)的2脚、4脚分别与线性恒流控制器(4)的输入端、地端，线性恒流控制器(4)的输出端连接放电电阻(RD2)与滤波储能电容(CP4)的并联电路至地端，线性恒流控制器(4)的输出端还依次连接降压限流电阻(R2)、稳压二极管(ZD5)至地端，稳压二极管(ZD5)两端并接有抗干扰电容(C2)，稳压二极管(ZD5)两端还并接有第一分压限流电阻(R3)与第二分压限流电阻(R4)的串联电路，第一分压限流电阻(R3)与第二分压限流电阻(R4)之间的节点分别与基准电压源(T3)的阴极、N沟道MOS管(T1)的基极相连，基准电压源(T3)的控制极与N沟道MOS管(T1)的源极相连，基准电压源(T3)的控制极与阳极之间串接有第一基准电压调节电阻(RX3)、第二基准电压调节电阻(RX4)，基准电压源(T3)的阳极接地；所述的线性恒流控制器(4)的输出端依次连接暖光LE...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆鹏军，张路华，蔡广明，李邵军，
申请(专利权)人：深圳市斯迈得半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：