一种NAND存储器及其数据转存和读取方法技术

本申请提供一种NAND存储器及其数据转存和读取方法，其中，存储器包括多个存储平面，每个存储平面包括多个存储块，存储器还包括寄存器，所述方法包括：检测存储有待转移数据的第一存储块的已擦除次数是否小于预定值；若已擦除次数小于预定值，则将第一存储块内的待转移数据读取并传输到寄存器；以及将待转移数据写入与第一存储块不同的第二存储块。入与第一存储块不同的第二存储块。入与第一存储块不同的第二存储块。

【技术实现步骤摘要】
一种NAND存储器及其数据转存和读取方法


[0001]本申请涉及存储器，还涉及一种NAND存储器及其数据转存和读取方法。

技术介绍

[0002]NAND闪存(Not AND flash)作为一种非易失性存储器，具有容量大、读写速度快、功耗低的特点。
[0003]在NAND的使用过程中，对于存储的数据而言，随着环境温度以及不操作时间的增加，数据会慢慢失效。当前，为了改善存储数据的有效性，通常会采用转存(copy back)操作。当前的转存操作通常包括：把数据从NAND的存储块传输到控制器，然后在控制器中进行数据纠错、数据解扰和数据加扰之后，再返回给NAND的存储块，从而导致了转存操作复杂的缺陷。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于，提供一种NAND存储器及其数据转存和读取方法，以解决现有技术中转存操作复杂的缺陷。
[0005]为了实现本申请的目的，提供一种NAND存储器的数据转存方法，其中所述存储器包括多个存储平面，每个所述存储平面包括多个存储块，所述存储器还包括寄存器，所述方法可包括：检测存储有待转移数据的第一存储块的已擦除次数是否小于预定值；若所述已擦除次数小于所述预定值，则将所述第一存储块内的所述待转移数据读取并传输到所述寄存器；以及将所述待转移数据写入与所述第一存储块不同的第二存储块。
[0006]根据本申请一实施例，所述存储器还包括控制器，所述方法还可包括：若所述已擦除次数大于或等于所述预定值，则将所述存储块内的所述待转移数据读取到所述控制器；以及对读取到所述控制器的所述数据进行加扰处理，并将所述加扰处理后的数据写入所述第二存储块。
[0007]根据本申请一实施例，所述已擦除次数为所述存储器中存储块的总的擦除次数，可包括当所述存储块作为单级单元已擦除的次数和/或当所述存储块作为三级单元已擦除的次数。
[0008]根据本申请一实施例，所述预定值可为所述存储器与预设比值之积，其中，所述预设比值选自8％至12％的区间。
[0009]根据本申请一实施例，所述第一存储块与所述第二存储块可位于相同存储平面内。
[0010]根据本申请一实施例，将所述第一存储块内的所述待转移数据读取并传输到所述寄存器的步骤可包括：响应于所述第一存储块为单级单元，读取所述第一存储块内的待转移数据；以及将所述待转移数据传输到所述寄存器。
[0011]根据本申请一实施例，将所述待转移数据写入与所述第一存储块不同的第二存储块的步骤可包括：响应于所述第二存储块为三级单元，读取所述寄存器内的待转移数据；以
及将所述待转移数据写入所述第二存储块。
[0012]根据本申请一实施例，在将所述待转移数据写入所述第二存储块的步骤之前，将三个作为单级单元的第一存储块内存储的待转移数据传输到所述寄存器，此时，所述将所述待转移数据写入所述第二存储块的步骤可为：将传输到所述寄存器的数据一次性地写入所述第二存储块。
[0013]为了实现本申请的目的，提供一种NAND存储器的数据读取方法，其中所述存储器包括多个存储平面，每个所述存储平面包括多个存储块，其特征在于，所述方法可包括：将选定存储块的数据传输到控制器；以及检测所述选定存储块的已擦除次数是否小于预定值；若所述选定存储块的已擦除次数小于所述预定值，则根据从所述选定存储块的越界区域获取的扰码种子，对所述数据进行解扰。
[0014]根据本申请一实施例，将选定存储块的数据传输到控制器之后，还可包括：对所述数据进行数据纠错。
[0015]根据本申请一实施例，若所述选定存储块的已擦除次数大于等于预定值，则根据已知的扰码种子，对所述数据进行译码。
[0016]为了实现本申请的目的，提供一种NAND存储器，其中所述存储器包括多个存储平面和外围控制电路，其中每个所述存储平面包括多个存储块，所述外围控制电路可被配置为：检测存储有待转移数据的第一存储块的已擦除次数是否小于预定值；若所述已擦除次数小于所述预定值，则将所述存储块内的所述待转移数据读取并传输到所述寄存器，并且将所述待转移数据写入与所述第一存储块不同的第二存储块。
[0017]根据本申请一实施例，所述外围控制电路还可包括控制器，所述外围控制电路还可被配置为执行：若所述已擦除次数大于或等于所述预定值，则将所述存储块内的所述待转移数据读取到所述存储器内的控制器；以及对读取到所述控制器的所述数据进行加扰处理，并将所述加扰处理后的数据写入第二存储块。
[0018]根据本申请一实施例，所述预定值为所述存储器与预设比值之积，其中，所述预设比值选自8％至12％的区间。
[0019]根据本申请一实施例，所述第一存储块与所述第二存储块位于相同存储平面内。
[0020]为了实现本申请的目的，提供一种NAND存储系统，包括至少一个控制器；以及与所述至少一个控制器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个控制器执行的指令，所述指令被所述至少一个控制器执行，以使所述至少一个控制器能够执行上述方法。
[0021]为了实现本申请的目的，提供一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，所述计算机指令用于使所述计算机执行上述方法。
[0022]为了实现本申请的目的，提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序在被控制器执行时实现上述方法。
[0023]根据本申请一实施例NAND存储器的数据转存方法，通过存储块的已擦除次数预先判断存储块的数据误码率，从而在转存操作中，对数据误码率比较低的存储块的数据不进行数据纠错、数据解扰和数据加扰，直接经由寄存器写入位于相同存储平面内的其他存储块，在一定程度上，有效地简化了转存操作的流程，提高了转存操作的效率。
[0024]根据本申请一实施例NAND存储器的数据读取方法，将转存的数据传输到控制器之
后，通过从越界区域获取的扰码种子进行解扰，从而提高了读取效率。
[0025]根据本申请一实施例NAND存储器，通过存储块的擦除次数预先判断存储块的数据误码率，从而在转存操作中，对数据误码率比较低的存储块的数据不进行数据纠错、数据解扰和数据加扰，直接经由寄存器写入位于相同存储平面内的其他存储块，在一定程度上，有效地简化了转存操作的流程，提高了转存操作的效率。
[0026]根据本申请另一实施例NAND存储器，控制器获取转存的数据之后，通过从OOB获取的扰码种子进行解扰，从而提高了读取效率。
附图说明
[0027]图1a为本申请一实施例NAND存储器的数据转存方法的流程示意图；
[0028]图1b为本申请一实施例NAND存储器的数据转存方法的波形示意图；
[0029]图2为本申请一实施例NAND存储器的数据读取方法的流程示意图；以及
[0030]图3为本申请一实施例NAND存储器示意图。
具体实施方式
[0031]为了更好地理解本申请，将参考附图对本申请的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本申请的示例性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NAND存储器的数据转存方法，其中所述存储器包括多个存储平面，每个所述存储平面包括多个存储块，所述存储器还包括寄存器，其特征在于，所述方法包括：检测存储有待转移数据的第一存储块的已擦除次数是否小于预定值；若所述已擦除次数小于所述预定值，则将所述第一存储块内的所述待转移数据读取并传输到所述寄存器；以及将所述待转移数据写入与所述第一存储块不同的第二存储块。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器还包括控制器，所述方法还包括：若所述已擦除次数大于或等于所述预定值，则将所述第一存储块内的所述待转移数据读取到所述控制器；以及对读取到所述控制器的所述数据进行加扰处理，并将所述加扰处理后的数据写入所述第二存储块。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述已擦除次数为所述存储器中存储块的总的擦除次数，包括所述存储块作为单级单元已擦除的次数和/或所述存储块作为三级单元已擦除的次数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定值为所述存储器总的擦除次数与预设比值之积，其中，所述预设比值选自8％至12％的区间。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储块与所述第二存储块位于相同存储平面内。6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，将所述第一存储块内的所述待转移数据读取并传输到所述寄存器的步骤包括：响应于所述第一存储块为单级单元，读取所述第一存储块内的待转移数据；以及将所述待转移数据传输到所述寄存器。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述待转移数据写入与所述第一存储块不同的第二存储块的步骤包括：响应于所述第二存储块为三级单元，读取所述寄存器内的待转移数据；以及将所述待转移数据写入所述第二存储块。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在将所述待转移数据写入所述第二存储块的步骤之前，将三个作为单级单元的第一存储块内存储的待转移数据传输到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜玲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：